Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150 mm (aufrüstbar auf 200 mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-07-19.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-07-05.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Auftragsbekanntmachung (2017-07-05) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Referenznummer: E_079_230247 grg-ort FMD
Kurze Beschreibung:
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150 mm (aufrüstbar auf 200 mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150 mm (aufrüstbar auf 200 mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke📦 Ort der Leistung
NUTS-Region: Erlangen, Kreisfreie Stadt
🏙️
Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe
Postanschrift: Hansastr. 27c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de📧
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de🌏
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de🌏
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt. Damit sichergestellt ist, dass erbetene zusätzliche Informationen auch die anderen Bewerber noch rechtzeitig erreichen, müssen die Rückfragen oder Hinweise bis spätestens 14.7.2017 eingehen. Gem. § 9 Abs. 3 S. 2 VgV stehen die Auftragsbekanntmachung und die Vergabeunterlagen bei der deutschen eVergabe für Sie auch ohne Registrierung zur Verfügung. Bitte beachten Sie, dass für Teilnahmeanträge, Angebotsabgaben und Bieterfragen eine Registrierung notwendig ist. Wir empfehlen daher eine frühzeitige Registrierung auch um evtl. Bieterinformationen zu erhalten; ansonsten tragen Sie das Risiko eines evtl. Angebotsausschlusses.
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt. Damit sichergestellt ist, dass erbetene zusätzliche Informationen auch die anderen Bewerber noch rechtzeitig erreichen, müssen die Rückfragen oder Hinweise bis spätestens 14.7.2017 eingehen. Gem. § 9 Abs. 3 S. 2 VgV stehen die Auftragsbekanntmachung und die Vergabeunterlagen bei der deutschen eVergabe für Sie auch ohne Registrierung zur Verfügung. Bitte beachten Sie, dass für Teilnahmeanträge, Angebotsabgaben und Bieterfragen eine Registrierung notwendig ist. Wir empfehlen daher eine frühzeitige Registrierung auch um evtl. Bieterinformationen zu erhalten; ansonsten tragen Sie das Risiko eines evtl. Angebotsausschlusses.
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150 mm (aufrüstbar auf 200 mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150 mm (aufrüstbar auf 200 mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Dauer: 6 Monate Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: 91058 Erlangen.
Verfahren
Beschleunigtes Verfahren: Vorinformation E_079_229505 grg-Ahö FMD.
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 23:59
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2017-08-11 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2017-07-20 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 12:00
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemomblerstraße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postort: München
Postleitzahl: 80686
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de📧
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
Quelle: OJS 2017/S 129-263268 (2017-07-05)
Ergänzende Angaben (2017-08-11) Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150mm (aufrüstbar auf 200mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150mm (aufrüstbar auf 200mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ergänzende Angaben
Nasschemische Reinigungs- und Ätzbank für dicke und gedünnte SiC-Wafer.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150mm (aufrüstbar auf 200mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Zur Herstellung von Leistungsbauelemente auf SiC Wafer ist nach fast jedem Fertigungsprozessschritt eine nasschemische Reinigung nötig. Dies geschieht normalerweise in Reinigungsbänken, in denen bis zu 25 Wafer gleichzeitig gereinigt werden können. Nach bestimmten Fertigungsprozessschritten ist es aber besser eine Einzelscheibenreinigung durchzuführen. Dazu wird folgende Anlage benötigt: Einzelwaferanlage für SiC-Scheiben mit 100 und 150mm (aufrüstbar auf 200mm) und für 9" quadratische Substrate zur nasschemischen Reinigung; Chemieversorgung (TMAH und H2SO4) durch Drucktanks, Manuelle Befüllung, CO2 Bubbler, Vorwärmung H2SO4 auf 70°C, Vorwärmung DI-Wasser auf 70°C, automatische Spüllung und Neutralisation der Reinigungskammer, einfacher Chuck-Tausch, Reinraumkompatibilität, Computergesteuert, CE-Kennzeichnung.
Quelle: OJS 2017/S 155-321882 (2017-08-11)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2017-09-06) Objekt Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Verfahren
Angebotsart: Entfällt
Öffentlicher Auftraggeber Kontakt
Telefon: +49 1205-7270📞
Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2017-08-30 📅
Öffentlicher Auftraggeber Kontakt
Kontaktperson: Tomo
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF Referat Z 23
Postanschrift: Heinemannstr. 2
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53175
Land: Deutschland 🇩🇪 Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe
Quelle: OJS 2017/S 173-354132 (2017-09-06)