Reaktiver Ionenstrahl-Ätzer
Reaktiver Ionenstrahl-Ätzer:
Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-11-09.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-10-25.
Wer?
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Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
2017-10-25
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Auftragsbekanntmachung
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