Reaktiver Ionenstrahl-Ätzer: Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-11-09.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-10-25.
Auftragsbekanntmachung (2017-10-25) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Referenznummer: E_059_273609 humt-wit FMD
Kurze Beschreibung:
Reaktiver Ionenstrahl-Ätzer:
Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke📦 Ort der Leistung
NUTS-Region: Berlin🏙️
Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastr. 27 c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de📧
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de/🌏
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de/🌏
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Reaktiver Ionenstrahl-Ätzer:
Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Das Gerät soll im Rahmen der am IZM Berlin bestehenden Dünnfilmtechnologie zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf Halbleitersubstraten eingesetzt werden. Im speziellen Fall dient das Gerät zum Ätzen von dünnen Metallschichten und Schichtsystemen auf Wafern mit einem Durchmesser von 100 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm nach SEMI-Standard. Zur Definition des herzustellenden Strukturmusters werden üblicherweise metallische Mikrostrukturen, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Masken oder auch lithographisch aufgebrachte Fotoresiste und Polymere verwendet. Je nach abzutragendem Metall und dessen Anordnung im Schichtsystem werden sowohl inerte Gase wie Argon und Krypton als auch reaktive Gase und Gasgemische aus O2, Cl2, CF4 und SF6 als Ätzmedium eingesetzt. Zur Beobachtung des Ätzfortschrittes und zur Endpunkdetektion des Schichtabtrages ist das Gerät mit einem Sekundärionen-Massenspektrometer auszurüsten.
Dauer: 10 Monate Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: 13355 Berlin.
Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen Bedingungen für die Teilnahme
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
— Firmenprofil
— Umsatz der letzten drei Geschäftsjahre
— Eigenerklärung über das Nichtvorliegen von Ausschlussgründen nach § 123 und § 124 des Gesetzes gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB)
— Auszug aus dem Gewerbezentralregister gem. § 150 a GewO (wird durch den Auftraggeber eingeholt).
Technische und berufliche Fähigkeiten: — Komplette Referenzen von Ionenstrahl-Systeme nicht älter als drei Jahre.
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Verfahren
Beschleunigtes Verfahren: 2017/S 051-093531.
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 12:00
Datum der Absendung der Aufforderungen: 2017-11-13 📅
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemombler Straße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §160 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. §134 GWB informiert.
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF Referat Z 23
Postanschrift: Heinemannstraße 2
Postleitzahl: 53175
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postort: München
Postleitzahl: 80686
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de📧
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
Quelle: OJS 2017/S 208-429979 (2017-10-25)