RTP-Ofen für die Waferproduktion
Die gesuchte Anlage soll einen InP-Wafer in kurzer Zeit auf hohe Temperaturen bringen und ihn schnell abkühlen. Üblich sind hier Lampenarays, die die Heizung übernehmen. Für die geforderten Abkühlraten wird eine Kühlposition notwendig sein, die automatisch nach Prozessende angefahren werden muss. Der hauptsächlich genutzte Temperaturbereich liegt zwischen 350°C und 650°C. Insgesamt sollte die Anlage aber den Bereich von 300°C bis 900°C abdecken. Um in der gleichen Anlage tempern und diffundieren zu können, sollen die Wafer in einer Box prozessiert werden. Sie muss Wafer von 1x2“ bis 1x4“ aufnehmen können. Grundsätzlich muss die Anlage aber auch auf 1x6“ erweiterbar sein.
Zur Temperaturkontrolle muss ein zweites Messsystem in der Anlage vorhanden sein oder ein externen Kontrollverfahren mitgeliefert werden, um die Temperaturkonstanz regelmäßig überprüfen zu können.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-05-05.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-04-05.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2017-04-05
|
Auftragsbekanntmachung
|
| 2017-09-14
|
Bekanntmachung über vergebene Aufträge
|