Kurze Beschreibung
Das Fraunhofer IISB beschafft ein hochauflösendes Gerät zur zerstörungsfreien, vollflächigen Detektion oberflächennaher Kristallfehler für Wafer (Durchmesser >=150mm) aus Siliziumkarbid (SiC) und optional anderen Halbleitermaterialien großer Bandlücke (WBG). Relevante Kristallfehler, z. B. Kratzer, Partikel und Pits bis hin zu ausgedehnten Materialdefekten wie BPDs, müssen in Substraten, Epitaxieschichten und teilprozessierten Wafern charakterisiert und über die verschiedenen Prozessstadien nachverfolgt werden können. Das Gerät muss neben der Hardware auch über eine Software inkl. Datenbank verfügen, um die unterschiedlichen Defekte automatisch klassifizieren und deren Position auf dem Wafer nach nutzerdefinierten Vorgaben in Form von Defektfehlerkarten automatisiert auswerten zu können.