Substratqualifizierungslabor-Gerät zur zerstörungsfreien, vollflächigen Detektion von Kristallfehlern im Volumen von SiC und anderen Halbleitermaterialien
Für die Performance und Zuverlässigkeit von SiC in der Leistungselektronik (insb. SiC-Dioden, SiC-MOSFET), aber auch von anderen neuen Materialien, spielen Materialdefekte eine große Rolle. Neben oberflächennahen Fehlern haben Defekte im Materialvolumen eine große Bedeutung. Solche Defekte sind insbesondere spezielle Versetzungstypen (wie TSDs, TEDs in SiC) und andere ausgedehnte, strukturelle Fehler im Volumen von SiC-Wafern, SiC-Epi-Schichten und von anderen Halbleiter-Materialien. Fortsetzung unter II.2.4.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-07-13.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-06-13.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2017-06-13
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Auftragsbekanntmachung
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2017-12-07
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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