Aufdampfanlage

Kurze Beschreibung

Es soll eine Anlage zur Beschichtung von glatten Oberflächen mit Metallen, Halbleitern und Isolatoren beschafft werden. Die zu beschichtenden Oberflächen sind ebenfalls Halbleiter, Isolatoren oder Metalle, die in Stücken von 0,5 cm x 0,5 cm bis zu 6 Zoll Wafern vorliegen. Die Schichten sollen Dicken von 1 nm bis zu einigen μm haben und mit hoher Präzision und Reinheit aufgebracht werden. Für solche Prozesse hat sich die sogenannte Aufdampftechnik bewährt, bei der ein Material bis über seinen Schmelzpunkt erwärmt wird, so dass eine gasförmige Phase über dem Material entsteht, die sich dann auf dem zu beschichtenden Substrat niederschlägt. Die Heizung des Materials wird dabei, je nach Material, entweder durch einen Stromfluss durch den Probenhalter oder durch Beschuss des Materials mit hochenergetischen Elektronen durchgeführt. Diese beiden Arten des Verdampfungsprozesses werden thermisches und Elektronenstrahlverdampfen genannt.

Beschreibung der Beschaffung

Die zu beschaffende Anlage soll beide zuvor genannten Prozesse beherrschen, damit eine möglichst breite Auswahl an Materialien zur Verfügung steht. Viele der Schichten werden in einem sogenannten Lift-off Prozess hergestellt, bei dem zunächst mit lithographischen Methoden eine Maske hergestellt wird, die nach der Bedampfung wieder aufgelöst wird. Damit in diesem Prozess eine saubere Trennung zwischen Schichten, die auf dem Substrat verbleiben sollen, und Schichten, die gemeinsam mit der Maske abgelöst werden sollen, muss der Abstand zwischen Verdampfungsquelle und Substrat hoch sein. Die Anlage ersetzt eine bestehende Anlage, daher muss die Geometrie der Anlage an den bestehenden Platz angepasst werden können. Die Anlage wird von vielen (>50) Nutzern genutzt, muss daher einfach zu bedienen sein, und die Pumpzeiten sollten so niedrig wie möglich sein.
Es müssen folgende technische Mindestanforderungen erfüllt werden:
Vakuumkammer
— maximalen Abmessungen: Breite: 900 mm, Tiefe: 1950 mm, Höhe: 1 800 mm
— die Innenabmessungen sollen mindestens betragen: Breite: 600 mm, Tiefe: 600 mm, Höhe: 800 mm
— Es werden folgende Flansche benötigt:
Hinten: 1x DN250 ISO-K für Pumpsystem, 2x DN40 KF, 2x DN25 KF, 2x DN16 KF (blind geflanscht, wenn nicht belegt)
Oben: 1x DN250 ISO-K für Substrat-Drehantrieb, ca. 4 Installationsbohrungen, Durchmesser 34,5 mm (blind geflanscht, wenn nicht belegt)
Unten: ca. 8-10 Installationsbohrungen, Durchmesser 34,5 mm (blind geflanscht, wenn nicht belegt)
— Edelstahl-Schutzbleche zur Verhinderung unerwünschter Beschichtung der inneren Kammerwände und Tür, herausnehmbar
Vakuumsystem
— Trockene, wartungsfreie Rootspumpe mit Nennsaugvermögen ≥ 55 m/h und Enddruck ≤ 3 E-2 mbar,
— Magnetgelagerte Turbomolekularpumpe mit Saugleistung ≥ 2100 l/s,
— Kombiniertes Vakuummessystem im Bereich von 1 000 mbar bis 5E-10 mbar mit einer Genauigkeit von mindestens 15 % (Bereich 1E-2 mbar bis 1 E-8 mbar)
Elektronenstrahlverdampfer
— der Abstand zwischen Quelle und Substrat muss mindestens 40 cm betragen,
— die Leistung des Elektronenstrahlverdampfers muss mindestens 6 kW betragen,
— es müssen mindestens 6 Positionen für Tiegel zur Aufnahme der Aufdampfmaterialien vorgesehen werden, die ohne Öffnung der Vakuumkammer gewechselt werden können,
— Elektro-pneumatische Verdampferblende, Edelstahl, Blenden-Durchmesser ca. 100 mm
Thermischer Verdampfer
— Ausgangsspannung/-strom: max. 5V/max. 400A, Ausgangsleistung: max. 2 kVA
— Elektro-pneumatische Verdampferblende, Edelstahl, Blenden-Durchmesser ca. 100 mm
— Thermischer Einzelverdampfer, bestehend aus zwei wassergekühlten Hochstrom-Durchführungen mit universeller Klemmverschraubung für Verdampfer-Schiffchen oder -Wendel
— Dünnschichtmessgeräte mittels Schwingquarzmessungen für 4 Sensoren, Genauigkeit besser 0,1 Å/s, Genaue Position der Sensoren: 3 Messköpfe direkt an den Verdampferquellen, 1 Messkopf auf Substrathöhe zentral in der rotierenden Hohlwelle
Probenhalter
— Substratteller aus Edelstahl, Durchmesser ca. 500 mm, zur Aufnahme von 4 Substraten je 100 mm Durchmesser,
— Substrat-Einlegering aus Edelstahl, für ein Einzelsubstrat mit 100 mm Durchmesser,
— Pneumatische Substratblende, zum Abschatten einer Substratposition unter dem Drehteller, Blenden-Durchmesser ca. 130 mm
Systemsteuerung
— Farb-Touchscreen, Tastatur und Maus zur Anlagenbedienung
— grafische Benutzer-Oberfläche zur Darstellung des Vakuumsystems mit Prozessparametern, Status- und Fehlermeldungen
— manueller Bedienmodus zur Aktivierung der einzelnen Anlagenfunktionen
— automatischer Bedienmodus zur schrittgesteuerten Bearbeitung (Pumpen, Belüften, rezepturgesteuerter Bedampfungsablauf)
— Data-Logging der relevanten Prozessparameter
Substratheizung (Option)
— Prozesstemperatur bis 550C regelbar, max. Leistungsaufnahme 4 kW gesamt
Ionenquelle (Option)
— Ionenquelle zur Reinigung der Substrate Plasma-Neutralisierung durch Filament, montiert innerhalb der Vakuumkammer

Beschreibung der Optionen

Option 1 Substratheizung:
Heizbarer Substratheizer, Prozesstemperatur bis 550C regelbar max. Leistungsaufnahme 4 kW gesamt
Option 2 Ionenquelle
Ionenquelle zur Reinigung der Substrate, Plasma-Neutralisierung durch Filament, montiert innerhalb der Vakuumkammer

Liste und kurze Beschreibung der Bedingungen

Eigenerklärung über den Eintrag in einem Berufs- oder Handelsregister nach Maßgabe der Rechtsvorschriften des Staats, in dem der Bieter niedergelassen ist.
Eigenerklärung zu den in §§ 123, 124 GWB genannten Ausschlussgründen.

Liste und kurze Beschreibung der Auswahlkriterien

Eigenerklärung zum Gesamtumsatz der letzten 3 abgeschlossenen Geschäftsjahre sowie zum Umsatz der letzten 3 abgeschlossenen Geschäftsjahre bezogen auf Leistungen, die mit der zu vergebenden Leistung vergleichbar sind.

Bedingungen für die Teilnahme (technische und berufliche Fähigkeiten)

Es werden zwei Referenzsysteme gefordert, die thermisches Verdampfen und Elektronenstrahlverdampfen verschiedener Materialien unter HV-Bedingungen ermöglichen. Dabei müssen die Dimensionen des Gesamtsystems, erreichbarer Enddruck, Abpumpzeiten, Aufdampfraten, Leistungen der Verdampfer und die Zahl der Verdampferquellen vergleichbar (d.h. ±10 % der im Leistungsverzeichnis geforderten Werte) sein.

Genaue Informationen über Fristen für Überprüfungsverfahren

Rechtsbehelfe gemäß § 160 GWB:
1) Die Vergabekammer leitet ein Nachprüfungsverfahren nur auf Antrag ein;
2) Antragsbefugt ist jedes Unternehmen, das ein Interesse an dem öffentlichen Auftrag oder der Konzession hat und eine Verletzung in seinen Rechten nach § 97 Absatz 6 GWB durch Nichtbeachtung von Vergabevorschriften geltend macht. Dabei ist darzulegen, dass dem Unternehmen durch die behauptete Verletzung der Vergabevorschriften ein Schaden entstanden ist oder zu entstehen droht;
3) Der Antrag ist unzulässig, soweit:
(1) Der Antragsteller den geltend gemachten Verstoß gegen Vergabevorschriften vor Einreichen des Nachprüfungsantrags erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht innerhalb einer Frist von 10 Kalendertagen gerügt hat; der Ablauf der Frist nach § 134 Absatz 2 GWB bleibt unberührt;
(2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden;
(3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden;
(4) Mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind.
Satz 1 gilt nicht bei einem Antrag auf Feststellung der Unwirksamkeit des Vertrags nach § 135 Absatz 1 Nummer 2. § 134 Absatz 1 Satz 2 bleibt unberührt.