Automatisches in-line Wafer-Messsystem für Schichtdicken, Topographien, Rauheit sowie Warpage / Bow
Geplant ist die Anschaffung eines automatischen inline Messsystems zur zerstörungsfreien Messung von 2D/3D Eigenschaften im nm- und μm-Bereich für Messaufgaben im Bereich der 2.5D/3D-Wafer-Level-Systemintegration. Das Messsystem ist fähig, 300 mm und 200 mm-Wafersubstrate (Glas, Si, Glas/Si und Si/Si Stacks) mit Verwölbungen ≤3 mm und Dicken 300-1 500 μm zu bearbeiten. Das Gerät ist von der Anlagenkonzeption ein Multi-Sensor-System. Die Messung und Aufbereitung der Messdaten erfolgt dabei rezeptbasierend automatisch und flächenaufgelöst mit parametrischer lateraler Auflösung im Bereich 2-10 μm. Das Gerät ist diesbezüglich mit einem integrierten Wafer-Alignment inkl. Glaswafer-Erkennung und Wafer-ID-Lesegerät auszustatten. In Abhängigkeit der Messaufgabe erfolgt das Wafer-Handling vollautomatisch. Zwei 300 mm-FOUP-Ladestationen sind dafür vorzusehen.
Fortsetzung II.2.4):
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2018-05-28.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2018-04-27.
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
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Dokument |
2018-04-27
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Auftragsbekanntmachung
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