Beschreibung der Beschaffung
Erforderliche Funktionen des CSAM:
— Laterale Auflösung in der x/y-Ebene = 0.05 Müm
— Tiefenauflösung in der z-Ebene = 1 Müm
— Messung mit akustischen Transducern im MHz-Bereich (hohe Eindringtiefe, geringe Auflösung) bis GHz-Bereich (geringe Eindringtiefe, hohe Auflösung)
— Messung von Strukturen in Waferstacks von bis zu 3 mm Dicke
— Messung mit Autofokus zum automatischen Ausgleich von Waferbow und Dickenvariation
— Messung von Schnittbildern entlang von xy-Schnittlinien über einen gegebenen Dickenbereich(z)
— Messung von Schnittbildern entlang einer gegebenen z-Ebene
— Kombination von xy- und z-Schnitten für tomografische Darstellungen
— Messung der Intensität in Abhängigkeit zur z-Position zur Aufklärung physikalischer Eigenschaften der Schichten
— integriertes System zur Probentrocknung
— Benutzerfreundliche Software/Visualisierung
— Benutzerfreundliche Rezepterstellung
— Export der Messergebnisse in geeignetem Dateiformat(.csv o.ä.)
— Import von Testfeldlayouts im IHP-gebräuchlichen Dateiformat zur Rezepterstellung (z.B. .gds-Format)
— Messung von Wafern auf Grindingtape
— Messung von Wafern auf Grindingframes
Spezifikationen:
Parameter Spezifikation
Xy-Wiederholgenauigkeit +/- 0.1 Müm
Substratgrößen 200 mm Wafer
200 mm Wafer auf Grindingframes
Demo:
Inhalt der Ausschreibung ist der Nachweis der Machbarkeit innerhalb einer Demo, welche als auschlaggebendes Vergabekriterium dient. Dabei sollen folgende zwei Anwendungsfälle nachgewiesen werden:
Scan eines kompletten Waferstacks (200mm) zur Untersuchung auf Voids und andere messbare strukturelle Fehler.
Scan von vorgegebenen Strukturen mit hochauflösender 3D-Bildgebung.
Scan von Wafern mit vertikalen Durchkontaktierungen (Through-Silicon Vias) zur Untersuchung auf lateralen und vertikalen Voids innerhalb der TSVs. Die Waferdicke beträgt 725 Müm und die TSVs befinden sich in einer Tiefe bis ca. 75-100 Müm von der Waferoberfläche. Die TSVs bestehen aus einem Hohlzylinder verfüllt mit Wolfram mit einem Außendurchmesser von 25 Müm und einer Grabenbreite von 3 Müm. Hierbei soll gezeigt werden, ob Voids detektiert werden können.
Die Proben werden am IHP hergestellt und dem Bieter zur Verfügung gestellt.
Es ist vom Bieter nachzuweisen, dass durch die Messungen und durch notwendige Handlingschritte keine Kontamination der Wafer stattfindet und diese nach der Messung wieder in den IHP-Backend-Prozess zurückgeführt werden können.
Service:
Zur Einarbeitung im Umgang mit dem beschriebenen Tool werden 2 Mitarbeiter des IHP in einem angemessenen Zeitrahmen (min. 3 Tage) vor Ort am IHP geschult.
Beim Verlassen eines geschulten Mitarbeiters verpflichtet sich der Bieter, einen vom IHP zu bestimmenden Mitarbeiter, erneut zu schulen.
Weiterhin ist die nachfolgende Unterstützung durch mindestens 20 zusätzliche Prozess-bzw. Maintenance Supporttage Inhalt der Ausschreibung.
Maintenance- und Supportanfragen sind vom Bieter zeitnah zu bearbeiten (1-2 Wochen).
Zusätzliche Informationen:
Das akustische Mikroskop muss nach geltendem europäischen, deutschem und brandenburgischem Recht hergestellt werden, was durch eine EG-Konformitätserklärung nachzuweisen ist. Dazu müssen die Bieter dem IHP die erforderlichen Informationen zukommen lassen. Weiterhin muss nachgewiesen werden, dass die entsprechende Anlage schon bei anderen Forschungseinrichtungen/Firmen im Bereich der Halbleiterbranche erfolgreich eingesetzt wird. Eine zweijährige Garantie, anlagen- und prozesstechnische Unterstützung beim Einfahren des Tools sowie die Lieferung entsprechender Hardware und Rezepte der Demoversuche sind Inhalt der Ausschreibung. Eine Lieferung, Installation und technischen Abnahme bis Ende Q4 2018 ist unbedingt erforderlich. Das Tool soll in einem Reinraum des IHP mit der Klasse ISO7 installiert und verwendet werden und muss damit die entsprechenden Anforderungen bezüglich Reinheit erfüllen.