Beschaffung einer ICP-RIE zum sanften Tiefatzen von Halbleiter-Nanostrukturen

Deutsche Forschungsgemeinschaft

Beschaffung einer ICP-RIE zum sanften Tiefatzen von Halbleiter-Nanostrukturen.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2020-01-13. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2019-12-02.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2019-12-02 Auftragsbekanntmachung
2020-08-13 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2019-12-02)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Industrielle Maschinen
Referenznummer: EXC 2123/2019 (A 798)
Kurze Beschreibung: Beschaffung einer ICP-RIE zum sanften Tiefatzen von Halbleiter-Nanostrukturen.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Industrielle Maschinen 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Braunschweig 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Deutsche Forschungsgemeinschaft
Postort: Bonn
Kontakt
Internetadresse: http://www.dfg.de 🌏
E-Mail: boris.licker@dfg.de 📧
URL der Dokumente: https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841 🌏
URL der Teilnahme: https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2019-12-02 📅
Einreichungsfrist: 2020-01-13 📅
Veröffentlichungsdatum: 2019-12-03 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2019/S 233-571049
ABl. S-Ausgabe: 233

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Es soll eine ICP-RIE (RIE: Reactive Ion Etching; ICP: Inductively Coupled Plasma) zum sanften Tiefätzen von Halbleiter-Nanostrukturen angeschafft werden. Die Anlage soll optimiert sein für das ICP Ätzen von nitridischen Halbleitern für optoelektronische und elektronische Anwendungen. Auch Phosphidische und Arsenidische Halbleiter sollen grundsätzlich bearbeitet werden können.
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Die Anlage wird von mehreren Nutzern in einer Umgebung verwendet, in der sowohl Forschung als auch Kleinserien-Produktion stattfindet. Die Anlage muss deshalb auf die Bedienung durch mehrere Nutzer ausgelegt sein.
Im Einzelnen sind folgende Mindestanforderungen zu erfüllen:
— Vakuum-Probenschleuse:
Die Anlage benötigt eine Schleuse zum zügigen Ein- und Ausschleusen von Proben, ohne dass das Vakuum in der Anlage gebrochen werden muss. Die UHV-seitige Bedienung der Schleuse (Abpumpen, Belüften) muss automatisiert erfolgen. Das herunterfahren von ggf. Turbo-Pumpen ist in einem automatisierten, sanften Modus zu gewährleisten,
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— Sicherheitsabschaltung:
Die gesamte Anlage muss eine automatische Prozedur zum sicheren Herunterfahren der Anlage und aller Pumpen und sonstiger Systeme der Anlage besitzen,
— Probengröße:
Der Reaktor muss Proben bis zu einem Durchmesser von mindestens 200 mm (8 Zoll) verarbeiten können,
— Wafer-Temperatur:
Zur Kontrolle der Wafer-Temperatur ist neben einer Heizung auch eine Helium-Rückseitenkühlung notwendig,
— Gas-Handling-System:
Für die geplanten Prozesse werden mindestens 6 MFC-geregelte Gasleitungen benötigt, davon mindestens 2 mit Bypass für korrosive Medien (in diesem Fall: Cl2 und BCl3),
— HF-Leistung:
Die maximale HF-Leistung (Substratelektrode) muss mindestens 300 W, die maximale ICP-Leistung mindestens 1 200 W betragen,
— Anlagensteuerung und Prozesskontrolle:
Automatisierte Steuerungsmöglichkeiten müssen vorhanden sein (PC, inkl. Software). Der Prozess muss zur besseren Reproduzierbarkeit automatisch überwacht werden (z. B. die Einhaltung der Setpoints) und die Prozessdaten müssen für eine spätere Auswertung möglichst detailliert dauerhaft gespeichert werden können. Ein Blindflansch (später dann mit Quarzglasfenster auszustatten) sollte bereitstehen, damit später eine optische Emissions-Spektroskopie-Analyse nachgerüstet werden kann,
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— Größe des Geräts:
Die Größe des Geräts (ohne zusätzliche Aufbauten wie z. B. Pumpen oder Kontrollracks) sollte möglichst kompakt sein und die Breite/Länge sollte 1000 mm/2000 mm keinesfalls überschreiten. Eine oder mehrere Seitenwände des Geräts (zumindest eine der Längsseiten) sollte in die Reinraumwand integrierbar sein. Der Bereich um das Gerät, der zur Wartung und Reparatur benötigt wird, sollte eine Breite von 80 cm um das Gerät herum nicht überschreiten,
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— Prozess-Spezifikationen:
Wir erwarten, dass der Hersteller Standard-Rezepte, insbesondere zum Ätzen von AlGaN, GaN, InGaN, und zum Reinigen des Reaktors mitliefert und auch vor Ort demonstriert. Key Performance Indicators des Ätzprozesses sind anzugeben,
— Abgasreinigung und Sicherheit:
Ein Abgasreinigungssystem inklusive Sicherheitsvorrichtungen ist für den Betrieb der Anlage unabdingbar und sollte direkt vom Hersteller mit angeboten werden, da dieser am besten weiß, welche Reinigungssysteme die gesetzlichen Anforderungen am besten erfüllen,
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— Spezifizierte Prozesse:
Folgende Prozesse müssen in der Anlage durchführbar sein: GaN (Al0.7Ga0.3N) mit SiOx oder SiN Masken muss mit Raten von mindestens 0,5 μm/min (0,3 μm/min) geätzt werden können. Die Selektivität von GaN zur SiOx und SiN Maske sollte mindestens 5:1 (3:1) oder höher sein. Der Flankenwinkel der tiefgeätzten GaN Strukturen sollte mindestens 85
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Dauer: 1 Tage
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: TU Braunschweig

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Vorsorglich weisen wir darauf hin, dass eine Auftragsvergabe nur auf der Grundlage der beigefügten „Allgemeinen Geschäftsbedingungen für Lieferungen und Leistungen“ erfolgen wird. Deren Akzeptanz ist mit dem Teilnahmeantrag zu bestätigen.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 12:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): technischer Wert
Qualitätskriterium (Gewichtung): 50
Preis (Gewichtung): 50

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: e. V.
Kontakt
Dokumente URL: https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=297841 🌏

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Bundeskartellamt – Vergabekammer des Bundes
Postort: Bonn
Land: Deutschland 🇩🇪
Quelle: OJS 2019/S 233-571049 (2019-12-02)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2020-08-13)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 1 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Referenz
Daten
Absendedatum: 2020-08-13 📅
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-18 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2020/S 159-387653
Verweist auf Bekanntmachung: 2019/S 233-571049
ABl. S-Ausgabe: 159

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Die Anlage benötigt eine Schleuse zum zügigen Ein- und Ausschleusen von Proben, ohne dass das Vakuum in der Anlage gebrochen werden muss. Die UHV-seitige Bedienung der Schleuse (Abpumpen, Belüften) muss automatisiert erfolgen. Das herunterfahren von ggf. Turbo-Pumpen ist in einem automatisierten, sanften Modus zu gewährleisten;
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Die gesamte Anlage muss eine automatische Prozedur zum sicheren Herunterfahren der Anlage und aller Pumpen und sonstiger Systeme der Anlage besitzen;
Der Reaktor muss Proben bis zu einem Durchmesser von mindestens 200 mm (8 Zoll) verarbeiten können;
Zur Kontrolle der Wafer-Temperatur ist neben einer Heizung auch eine Helium-Rückseitenkühlung notwendig;
Für die geplanten Prozesse werden mindestens 6 MFC-geregelte Gasleitungen benötigt, davon mindestens zwei mit Bypass für korrosive Medien (in diesem Fall: Cl2 und BCl3);
Die maximale HF-Leistung (Substratelektrode) muss mindestens 300 W, die maximale ICP-Leistung mindestens 1200 W betragen;
Automatisierte Steuerungsmöglichkeiten müssen vorhanden sein (PC, inkl. Software). Der Prozess muss zur besseren Reproduzierbarkeit automatisch überwacht werden (z. B. die Einhaltung der Setpoints) und die Prozessdaten müssen für eine spätere Auswertung möglichst detailliert dauerhaft gespeichert werden können. Ein Blindflansch (später dann mit Quarzglasfenster auszustatten) sollte bereitstehen, damit später eine optische Emissions-Spektroskopie-Analyse nachgerüstet werden kann;
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Die Größe des Geräts (ohne zusätzliche Aufbauten wie z. B. Pumpen oder Kontrollracks) sollte möglichst kompakt sein und die Breite/Länge sollte 1 000 mm/2 000 mm keinesfalls überschreiten. Eine oder mehrere Seitenwände des Geräts (zumindest eine der Längsseiten) sollte in die Reinraumwand integrierbar sein. Der Bereich um das Gerät, der zur Wartung und Reparatur benötigt wird, sollte eine Breite von 80 cm um das Gerät herum nicht überschreiten;
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Wir erwarten, dass der Hersteller Standard-Rezepte, insbesondere zum Ätzen von AlGaN, GaN, InGaN, und zum Reinigen des Reaktors mitliefert und auch vor Ort demonstriert. Key Performance Indicators des Ätzprozesses sind anzugeben;
Ein Abgasreinigungssystem inklusive Sicherheitsvorrichtungen ist für den Betrieb der Anlage unabdingbar und sollte direkt vom Hersteller mit angeboten werden, da dieser am besten weiß, welche Reinigungssysteme die gesetzlichen Anforderungen am besten erfüllen;
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Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2020-08-13 📅
Name: Oxford Instruments GmbH
Postort: Wiesbaden
Land: Deutschland 🇩🇪
Wiesbaden, Kreisfreie Stadt 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 1 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 4

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: e.V.

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Bundeskartellamt - Vergabekammer des Bundes
Quelle: OJS 2020/S 159-387653 (2020-08-13)
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