Beschreibung der Beschaffung
1) cluster tool bestehend aus Transportmodul mit der Möglichkeit, insgesamt 6 Prozesskammern zu installieren für 200 mm wafer; ausgestattet mit einer Kammer für Tiefe Si-Ätzen (siehe Pkt. 2) und einer PECVD Kammer (siehe Pkt. 3); Möglichkeit nachträglich 4 weitere Kammern zu installieren:
1.1) 2 load lock Kammern mit swing-out cassettes für Aufnahme von wafer carrier vom Typ Entegris KA198-80M-47C02,
1.2) Wafer aligner,
1.3) 4 Farben Alarm tower,
1.4) Hochauflösenden TFT Monitor,
1.5) Anlagenbedienung auch im Graubereich,
1.6) Geeignet für vollautomatische Hochvolumenproduktion,
1.7) Einsatzgebiet im Bereich Halbleiterherstellung,
1.8) Installation im Reinraum Klasse 1,
1.9) Spannungsversorgung 5/3L + N + PE 400 V,
1.10) Hardware und Prozess vollständig mit state of the art Software gesteuert,
1.11) Für die gesamte Anlage muss die CE-Konformität erklärt sein und sie muss der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie entsprechen.
2) Prozesskammer für trockenchemischesTiefes Siliziumätzen, installiert am obigen cluster tool (siehe Pkt. 1):
2.1) Durchführung Bosch-Prozess; Lizenz,
2.2) Source Plasmaquelle für RF mit Generator,
2.3) Bias Plasmaquelle für RF mit Generator,
2.4) Bias Plasmaquelle für LF mit Generator; mit Pulsfähigkeit,
2.5) Matching unit für source RF / bias RF,
2.6) Matching unit für source RF / bias LF,
2.7) Turbopumpe,
2.8) Beheizbares VAT pendulum valve,
2.9) MFC gesteuerte Gaslinien, ausgelegt für Boschprozess,
2.10) Ceramic echuck mit He back side pressure,
2.11) Waferless auto clean capability,
2.12) Endpunktsystem für clean between wafer Prozedur,
2.13) Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle auch bei geringem open area,
2.14) wafer edge protection,
2.15) Prozesssoftware: gase pulsing and parameter ramping,
2.16) Prozessspezifikation.
a) Allgemein:
— Selektivität zum Resist ca. 100 : 1;
— Selektivität zu Oxid ca. 130 : 1;
— keine notch bei Stopp auf Oxid;
— profile tilt < 0.1Grad.
b) cavity etch = min. Strukturgröße > 100 x 100 Müm:
— Ätzrate 8-10 Müm/min;
— Profilwinkel: 89-90 Grad;
— Scallops Größe < 0.6 Müm;
— Stopp auf Oxid: notch frei;
— Ätztiefe max. 750 Müm (complete wafer thickness).
c) High aspect ratio etch (25 : 1; TSV):
— Unterschnitt max. 50 nm;
— Scallops Größe < 50 nm;
— Ätzrate > 3 Müm/min;
— Profilwinkel: 89-90 Grad bis leicht schräg;
— Ätztiefe ca. 100 Müm.
Tiefenvariation über den wafer besser 2 %
2.17) – Nachweisprozess im Rahmen der Evaluierung: Leistungsspezifikation wird bei Erfüllung der Leistungsbeschreibung übermittelt. Wafer werden vom IHP zur Verfügung gestellt;
2.18) Nach Installation der Prozesskammer Nachweis eines Prozesses.
3) Prozesskammer für PECVD, installiert am obigen cluster tool (siehe Pkt. 1):
3.1) MFC controlled gas lines, ausgelegt für in Pkt. 3.11 beschriebene TEOS und Nitridabscheidung,
3.2) Process temperature control system for platen and showerhead,
3.3) Temperature controlled chamber walls,
3.4) Air cooled platen für Abscheidetemp. < 200 Grad C bis in Bereich 100 Grad C,
3.5) MHz RF Generator,
3.6) kHz RF Generator,
3.7) Plasma clean end-point detector,
3.8) Remote plasma clean kit,
3.9) Remote plasma clean endpoint kit,
3.10) Fähigkeit TEOS Oxid Abscheidung,
3.11) Prozessspezifikation.
Oxidabscheiderate, Nitirdabscheiderate
a) TEOS SiO2
200 Grad C process dep. Rate > 300 nm/min
10 Müm thickness; stress < 20 MPa; step coverage 60 %
1????????50 adder >/= 0.2 Müm particle;
b) SiH4 based SiN
200 Grad C process dep. Rate > 200 nm/min
0.5 Müm thickness; stress < 50 MPa; step coverage 40 %
1????????50 adder >/= 0.2 Müm particle
N@633nm ~ 1.95-2.00
WER in PHO < 10 nm/min.
3.12) Nachweisprozess im Rahmen der Evaluierung: Leistungsspezifikation wird bei Erfüllung der Leistungsbeschreibung übermittelt. Wafer werden vom IHP zur Verfügung gestellt;
3.13) Nach Installation der Prozesskammer Nachweis eines Prozesses.
4) System allgemein:
4.1) Verbrauchsmaterial kit,
4.2) Ersatzteil kit,
4.3) Zusätzlich 12 Monate Garantie;
4.4) Installation und Inbetriebnahme.
Siehe Leistungsbeschreibung.