Cluster tool mit PECVD- und Trockenätzkammer

IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

1 cluster tool bestehend aus Transportmodul mit der Möglichkeit, insgesamt 6 Prozesskammern zu installieren für 200 mm wafer; ausgestattet mit einer Kammer für Tiefe Si-Ätzen (siehe Pkt. 2) und einer PECVD Kammer (siehe Pkt. 3); Möglichkeit nachträglich 4 weitere Kammern zu installieren.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2019-12-27. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2019-11-18.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• SPTS Technologies Limited

Wer?

• IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Wie?

• Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)

Wo?

• Brandenburg › Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt

Geschichte der Beschaffung

Datum	Dokument
2019-11-18	Auftragsbekanntmachung
2020-05-12	Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Auftragsbekanntmachung (2019-11-18)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
Referenznummer: IHP-2019-103
Kurze Beschreibung:

Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Postleitzahl: 15236
Postort: Frankfurt (Oder)
Kontakt
Internetadresse: https://www.ihp-microelectronics.com/en/start.html 🌏
E-Mail: rohner@ihp-microelectronics.com 📧
Telefon: +49 335-5625-359 📞
Fax: +49 335-5625-25359 📠
URL der Dokumente: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYUF/documents 🌏
URL der Teilnahme: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYUF 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2019-11-18 📅
Einreichungsfrist: 2019-12-27 📅
Veröffentlichungsdatum: 2019-11-22 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2019/S 226-553626
ABl. S-Ausgabe: 226
Zusätzliche Informationen

Die Vergabeunterlagen finden Sie auf dem Vergabemarktplatz Brandenburg http://vergabemarktplatz.brandenburg.de Sie können sich gern freiwillig auf der Vergabeplattform Vergabemarktplatz Brandenburg registrieren und die Vergabeunterlagen dort herunterladen. Dies bietet Ihnen den Vorteil, dass Sie automatisch über Änderungen in den Vergabeunterlagen oder über Antworten auf Fragen zum Vergabeverfahren informiert werden. Registrieren Sie sich nicht, besteht eine entsprechende Holschuld, das heißt, Sie müssen sich selbstständig informieren, ob die Vergabeunterlagen zwischenzeitlich geändert wurden und ob wir Bieterfragen zum Vergabeverfahren beantwortet haben. Wir weisen darauf hin, dass für das Stellen einer Frage zum Verfahren und für das Abgeben eines Angebotes und – sofern im konkreten Verfahren einschlägig – für das Einreichen eines Teilnahmeantrages oder für das Abgeben einer Interessenbestätigung ohnehin eine Registrierung unumgänglich ist. Die Teilnahmeunterlagen und Angebotsunterlagen müssen scannbar eingereicht werden und sollten nicht gebunden oder geklammert werden. Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYUF

Objekt
Umfang der Beschaffung
Geschätzter Gesamtwert: 2 750 000 EUR 💰
Kurze Beschreibung:

1) cluster tool bestehend aus Transportmodul mit der Möglichkeit, insgesamt 6 Prozesskammern zu installieren für 200 mm wafer; ausgestattet mit einer Kammer für Tiefe Si-Ätzen (siehe Pkt. 2) und einer PECVD Kammer (siehe Pkt. 3); Möglichkeit nachträglich 4 weitere Kammern zu installieren:

1.1) 2 load lock Kammern mit swing-out cassettes für Aufnahme von wafer carrier vom Typ Entegris KA198-80M-47C02;

1.2) Wafer aligner;

1.3) 4 Farben Alarm tower;

1.4) Hochauflösenden TFT Monitor;

1.5) Anlagenbedienung auch im Graubereich;

1.6) Geeignet für vollautomatische Hochvolumenproduktion;

1.7) Einsatzgebiet im Bereich Halbleiterherstellung;

1.8) Installation im Reinraum Klasse 1;

1.9) Spannungsversorgung 5/3L + N + PE 400 V;

1.10) Hardware und Prozess vollständig mit state of the art Software gesteuert;

1.11) Für die gesamte Anlage muss die CE-Konformität erklärt sein und sie muss der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie entsprechen.

2) Prozesskammer für trockenchemischesTiefes Siliziumätzen, installiert am obigen cluster tool (siehe Pkt. 1):

2.1) Durchführung Bosch-Prozess; Lizenz;

2.2) Source Plasmaquelle für RF mit Generator;

2.3) Bias Plasmaquelle für RF mit Generator;

2.4) Bias Plasmaquelle für LF mit Generator; mit Pulsfähigkeit;

2.5) Matching unit für source RF / bias RF;

2.6) Matching unit für source RF / bias LF;

2.7) Turbopumpe;

2.8) Beheizbares VAT pendulum valve;

2.9) MFC gesteuerte Gaslinien, ausgelegt für Boschprozess;

2.10) Ceramic echuck mit He back side pressure;

2.11) Waferless auto clean capability;

2.12) Endpunktsystem für clean between wafer Prozedur;

2.13) Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle auch bei geringem open area;

2.14) wafer edge protection;

2.15) Prozesssoftware: gase pulsing and parameter ramping;

2.16) Prozessspezifikation.

a) Allgemein:

— Selektivität zum Resist ca. 100 : 1,

— Selektivität zu Oxid ca. 130 : 1,

— keine notch bei Stopp auf Oxid,

— profile tilt < 0.1Grad.

b) cavity etch = min. Strukturgröße > 100 x 100 Müm:

— Ätzrate 8-10 Müm/min,

— Profilwinkel: 89-90 Grad,

— Scallops Größe < 0.6 Müm,

— Stopp auf Oxid: notch frei,

— Ätztiefe max. 750 Müm (complete wafer thickness).

c) High aspect ratio etch (25 : 1; TSV):

— Unterschnitt max. 50 nm,

— Scallops Größe < 50 nm,

— Ätzrate > 3 Müm/min,

— Profilwinkel: 89-90 Grad bis leicht schräg,

— Ätztiefe ca. 100 Müm.

Tiefenvariation über den wafer besser 2 %

2.17) – Nachweisprozess im Rahmen der Evaluierung: Leistungsspezifikation wird bei Erfüllung der Leistungsbeschreibung übermittelt. Wafer werden vom IHP zur Verfügung gestellt;

2.18) Nach Installation der Prozesskammer Nachweis eines Prozesses.

3) Prozesskammer für PECVD, installiert am obigen cluster tool (siehe Pkt. 1):

3.1) MFC controlled gas lines, ausgelegt für in Pkt. 3.11 beschriebene TEOS und Nitridabscheidung;

3.2) Process temperature control system for platen and showerhead;

3.3) Temperature controlled chamber walls;

3.4) Air cooled platen für Abscheidetemp. < 200 Grad C bis in Bereich 100 Grad C;

3.5) MHz RF Generator;

3.6) kHz RF Generator;

3.7) Plasma clean end-point detector;

3.8) Remote plasma clean kit;

3.9) Remote plasma clean endpoint kit;

3.10) Fähigkeit TEOS Oxid Abscheidung;

3.11) Prozessspezifikation.

Oxidabscheiderate, Nitirdabscheiderate

a) TEOS SiO2

200 Grad C process dep. Rate > 300 nm/min

10 Müm thickness; stress < 20 MPa; step coverage 60 %

1????????50 adder >/= 0.2 Müm particle;

b) SiH4 based SiN

200 Grad C process dep. Rate > 200 nm/min

0.5 Müm thickness; stress < 50 MPa; step coverage 40 %

1????????50 adder >/= 0.2 Müm particle

N@633nm ~ 1.95-2.00

WER in PHO < 10 nm/min.

3.12) Nachweisprozess im Rahmen der Evaluierung: Leistungsspezifikation wird bei Erfüllung der Leistungsbeschreibung übermittelt. Wafer werden vom IHP zur Verfügung gestellt;

3.13) Nach Installation der Prozesskammer Nachweis eines Prozesses.

4) System allgemein:

4.1) Verbrauchsmaterial kit;

4.2) Ersatzteil kit;

4.3) Zusätzlich 12 Monate Garantie;

4.4) Installation und Inbetriebnahme.

Siehe Leistungsbeschreibung.

Geschätzter Wert ohne MwSt: 2 750 000 EUR 💰
Dauer: 1 Monate
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:

IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Im Technologiepark 25

15236 Frankfurt (Oder)

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:

— Bescheinigung in Steuersachen.

Der AG behält sich vor Auftragsvergabe vor, eine Anfrage bei dem zuständigen Anti-Korruptionsregister sowie beim Gewerbezentralregisteramt durchzuführen.

Technische und berufliche Fähigkeiten:

Referenzen:

Es werden vergleichbare auftragsbezogene Firmenreferenzen in Bezug zur ausgeschriebenen Leistung erwartet. Vergleichbar heißt Referenzen in Zusammenarbeit mit dem Auftrag.

Die Referenzen sind als Art Referenzbescheinigung durch den Bieter mit den folgenden Angaben mit der Angebotsabgabe einzureichen:

— Referenzgeber,

— Ansprechpartner des Referenzgebers inklusive Telefonnummer,

— Zeitraum Beginn/Ende der Ausführung,

— Kurzbeschreibung des Auftragsumfangs.

Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung: Angebote über 2 750 000,00 EUR führen zum Ausschluss.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 12:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2020-02-25 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2019-12-27 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 12:00
Ort des Eröffnungstermins: Frankfurt (Oder)

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Forschung und Entwicklung
Kontakt
Kontaktperson: Beschaffung
Dokumente URL: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYUF/documents 🌏

Referenz
Zusätzliche Informationen

Die Vergabeunterlagen finden Sie auf dem Vergabemarktplatz Brandenburg

http://vergabemarktplatz.brandenburg.de

Sie können sich gern freiwillig auf der Vergabeplattform Vergabemarktplatz Brandenburg registrieren und die Vergabeunterlagen dort herunterladen.

Dies bietet Ihnen den Vorteil, dass Sie automatisch über Änderungen in den Vergabeunterlagen oder über Antworten auf Fragen zum Vergabeverfahren informiert werden.

Registrieren Sie sich nicht, besteht eine entsprechende Holschuld, das heißt, Sie müssen sich selbstständig informieren, ob die Vergabeunterlagen zwischenzeitlich geändert wurden und ob wir Bieterfragen zum Vergabeverfahren beantwortet haben.

Wir weisen darauf hin, dass für das Stellen einer Frage zum Verfahren und für das Abgeben eines Angebotes und – sofern im konkreten Verfahren einschlägig – für das Einreichen eines Teilnahmeantrages oder für das Abgeben einer Interessenbestätigung ohnehin eine Registrierung unumgänglich ist.

Die Teilnahmeunterlagen und Angebotsunterlagen müssen scannbar eingereicht werden und sollten nicht gebunden oder geklammert werden.

Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYUF

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Landes Brandenburg beim Ministerium für Wirtschaft und Europaangelegenheiten
Postanschrift: Heinrich-Mann-Allee 107
Postort: Potsdam
Postleitzahl: 14473
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 331 / 866-1719 📞
Fax: +49 331 / 866-1652 📠
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Postort: Frankfurt (Oder)
Postleitzahl: 15236
Telefon: +49 335-5625-359 📞
E-Mail: rohner@ihp-microelectronics.com 📧
Fax: +49 335-5625-25359 📠
Quelle: OJS 2019/S 226-553626 (2019-11-18)

Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2020-05-12)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 3 390 000 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: IHP GmbH
Kontakt
Internetadresse: http://www.ihp-microelectronics.com 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2020-05-12 📅
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-15 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2020/S 095-226695
Verweist auf Bekanntmachung: 2019/S 226-553626
ABl. S-Ausgabe: 95

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

1.1) 2 load lock Kammern mit swing-out cassettes für Aufnahme von wafer carrier vom Typ Entegris KA198-80M-47C02,

1.2) Wafer aligner,

1.3) 4 Farben Alarm tower,

1.4) Hochauflösenden TFT Monitor,

1.5) Anlagenbedienung auch im Graubereich,

1.6) Geeignet für vollautomatische Hochvolumenproduktion,

1.7) Einsatzgebiet im Bereich Halbleiterherstellung,

1.8) Installation im Reinraum Klasse 1,

1.9) Spannungsversorgung 5/3L + N + PE 400 V,

1.10) Hardware und Prozess vollständig mit state of the art Software gesteuert,

2.1) Durchführung Bosch-Prozess; Lizenz,

2.2) Source Plasmaquelle für RF mit Generator,

2.3) Bias Plasmaquelle für RF mit Generator,

2.4) Bias Plasmaquelle für LF mit Generator; mit Pulsfähigkeit,

2.5) Matching unit für source RF / bias RF,

2.6) Matching unit für source RF / bias LF,

2.7) Turbopumpe,

2.8) Beheizbares VAT pendulum valve,

2.9) MFC gesteuerte Gaslinien, ausgelegt für Boschprozess,

2.10) Ceramic echuck mit He back side pressure,

2.11) Waferless auto clean capability,

2.12) Endpunktsystem für clean between wafer Prozedur,

2.13) Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle auch bei geringem open area,

2.14) wafer edge protection,

2.15) Prozesssoftware: gase pulsing and parameter ramping,

— Selektivität zum Resist ca. 100 : 1;

— Selektivität zu Oxid ca. 130 : 1;

— keine notch bei Stopp auf Oxid;

— Ätzrate 8-10 Müm/min;

— Profilwinkel: 89-90 Grad;

— Scallops Größe < 0.6 Müm;

— Stopp auf Oxid: notch frei;

— Unterschnitt max. 50 nm;

— Scallops Größe < 50 nm;

— Ätzrate > 3 Müm/min;

— Profilwinkel: 89-90 Grad bis leicht schräg;

3.1) MFC controlled gas lines, ausgelegt für in Pkt. 3.11 beschriebene TEOS und Nitridabscheidung,

3.2) Process temperature control system for platen and showerhead,

3.3) Temperature controlled chamber walls,

3.4) Air cooled platen für Abscheidetemp. < 200 Grad C bis in Bereich 100 Grad C,

3.5) MHz RF Generator,

3.6) kHz RF Generator,

3.7) Plasma clean end-point detector,

3.8) Remote plasma clean kit,

3.9) Remote plasma clean endpoint kit,

3.10) Fähigkeit TEOS Oxid Abscheidung,

4.1) Verbrauchsmaterial kit,

4.2) Ersatzteil kit,

Verfahren
Vergabekriterien
Kostenkriterium (Name): Preis
Kostenkriterium (Gewichtung): 40 %
Kostenkriterium (Name): Technische und technologische Beurteilung
Kostenkriterium (Gewichtung): 60 %

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2020-02-16 📅
Name: SPTS Technologies Limited
Postanschrift: Ringland Way, Newport, GWENT
Postort: Wales
Postleitzahl: NP182TA
Land: Vereinigtes Königreich 🇬🇧
Gesamtwert des Auftrags: 2 727 578 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Nationale Registrierungsnummer: 2019/S 226-553626
Kontakt
Kontaktperson: S. Rohner
Internetadresse: www.ihp-microelectronics.com 🌏
Quelle: OJS 2020/S 095-226695 (2020-05-12)

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