Beschreibung der Beschaffung
Zu dem oben beschriebenen Zweck wird ein Gerät benötigt, das in der bereits vorhandenen Handschuhbox, die die inerte Atmosphäre sicherstellt, betrieben werden kann. Eine solche Methode ist die sogenannte thermische Nanolithographie (engl.: thermal nanolithography), die vor kurzem entwickelt wurde. Es hat sich erwiesen, dass Kontakte, die mit dieser Methode an 2d-Materialien hergestellt werden, weitaus geringere Schottky Barrieren aufweisen, als dies mit anderen Verfahren der Fall ist (X. Zheng, et al., Nat Electron 2, 17 (2019)). Da geringe Schottky Barrieren für die Entwicklung von elektronischen Bauelementen, die auf 2d-Halbleitern basieren, unerlässlich sind, muss das hier zu beschaffende Gerät Kontakte mit thermischer Nanolithographie herstellen können.
Zu der im Angebotspreis anzubietenden Leistung gehören:
— Aufbau, Installation und Einweisung der Bediener am Aufstellort,
— Abnahme auf Aufstellort (SAT), im Rahmen der Abnahme sind folgende Kriterien durch den Auftragnehmer (AN) nachzuweisen:
Nachweis der Funktion aller Komponenten wie Systemsteuerung, Temperaturkontrolle, optisches Mikroskop, Srukturierung und AFM. Die Funktionsweise der AFM und Struktrietungseinheit wird insbeondere durch Strukturierung und Charakterisierung von geeigneten Testmustern durchgeführt. Die Testmuster sollen folgende Eigenschaften demonstrieren:
Linienaarys mit Periodizitäten (half pitch) von 30 nm, 60 n, 120 nm in einer Lackdicke von mindestens 4 nm. Die Linien werden mit einer Pixelgröße ≤ 10 nm abgebildet. Die größeren Strukturen sollen mit einer Pixelgröße von 30 nm und einer Scangeschwindigkeit von 30μs/Pixel (entsprechend einer Geschwindikeit von 0,5 mm/s) abgebildet werden. Die Rotation des Substrats soll keinen Einfluss auf die Abbildung haben, dies soll an Hand von Aufnahmen unter 0, 45 und 90 nachgewiesen werden. Es soll nachgewiesen werden, dass der Versatz zwischen 2 benachbarten Schreibfeldern 50 nm nicht überschreitet (Stitching error). Der Versatz von 2 Strukturen im selben Schreibfeld nach Verfahren des Tisches soll ebenfalls nicht mehr als 50 nm betragen. Die Strukturen im zweiten Schreibfeld sollen dabei jeweils an Strukturen im ersten Schreibfeld, die im AFM abgebildet werden, ausgerichtet werden. Beide Messungen können an Hand eines Nonius, von dem je ein Teil pro Schreibfeld geschrieben wird, ausgelesen werden.
Die Topografie in AFM Aufnahmen soll mit einer vertikalen Genauigkeit von 0,4 nm bestimmt werden.
— 12 Monate Garantie ab Abnahme,
— CE-Kennzeichnung.