Beschreibung der Beschaffung
Nähere Informationen gemäß Leitungsbeschreibung
Die Prozesskammer muss aus einem Aluminiumblock gefräst und ohne unnötigen Dichtungen gefertigt sein.
Das Design des Gesamtsystems (inkl. ICP-Quelle und Pumpsystem) muss radialsymmetrisch sein, um beste Gleichmäßigkeit über einen großen Parameterbereich zu gewährleisten.
Die Prozesskammer muss über Flansche für das Pumpsystem (min 100 mm) und ein Sichtfenster (min 40 mm) verfügen. Es muss zusätzlich mindestens ein 40 mm Flansch vorhanden sein (blindgeflanscht).
Die Kühlung der Substratelektrode muss durch flüssigen Stickstoff erfolgen.
Die Kühlung/Heizung der Substratelektrode muss mindestens in einem Temperaturbereich von 150 C bis + 400 C möglich sein.
Die Substratelektrode muss einen Durchmesser von mindestens 240 mm aufweisen.
Eine Helium Rückseiten-Kühlung der Substratelektrode (mechanische Klemmung) zur Verbesserung des thermischen Kontaktes muss vorhanden sein. Der Heliumfluss muss gemessen werden und auf dem PC zur Anlagensteuerung angezeigt werden. Die Steuerung des Heliumflusses muss über den Druck als Regelparameter erfolgen.
Halter/Klemmringe für verschiedene Wafer-Größen (8", 6", 4") müssen mitgeliefert werden. Halter für kleinere bzw. unregelmäßig geformte Proben sind optional anzubieten.
Die Temperatur ist als Prozessparameter in die Steuerung einzugeben.
Die Temperatur der Prozesse muss von -150 C bis + 400 C möglich sein, Kühlung muss durch LN2 möglich sein. Eine elektrische Heizung muss integriert sein. Hierzu sind bitte mindestens 20 Referenzen anzugeben.
Die Systemsteuerung soll durch Speicherprogrammierbare Steuerung (SPS) mit digitalen und analogen I/O erfolgen.
Ein Datenlogging muss mit einer Geschwindigkeit von mindestens 250 ms erfolgen.
Es müssen Prozessschritte schneller oder gleich 10 ms möglich sein.
Eine LAN Anbindung zur Anlagensteuerung muss möglich sein.
Eine automatische Überwachung des Prozessablaufs mit vorgebbaren Grenzwerten für die Parameter muss möglich sein.
Eine Möglichkeit zur manuellen Steuerung des Prozesses am Computer muss möglich sein.
Das System muss automatische Lecktests und eine automatische MFC Kalibrierung durchführen können.
Das System muss über ein Userlevel Management (mindestens 3 Stufen) verfügen.
Beim Betrieb des Systems mit optischer Emission zur Kontrolle muss über ein PC gesteuertes System das ganze Spektrum von 200 nm bis 800 nm (gleichzeitig) aufgezeichnet werden können. Die Kontrolle ist in die Systemsoftware zu integrieren.
Das RIE-System muss ohne mechanische Änderungen im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können (ohne Umbau).
Das RIE-System muss über die notwendigen Anschlüsse / Flansche verfügen, um eine Endpunkterkennung mittels optischer Emission und Laserinterferometrie (incl. x/y-Tisch und CCD Kamera) nachzurüsten.
Substratelektrode:
Das System muss über einen 13,56 MHz Generator mit automatischer HF Abstimmung verfügen.
Die automatische Abstimmeinheit muss direkt an die Quelle gekoppelt sein (keine Kabel).
Die automatische Abstimmeinheit (reflektierte Leistung muss < 2 % der Vorwärtsleistung betragen, abstimmbar möglichst über den kompletten Bereich) muss über folgende Anlagensoftware-unterstützte Modi verfügen:
— die Kapazitäten bleiben in der letzten Position beim Wechsel auf einen neuen Prozessschritt (Arbeitsmodus 1),
— die Kapazitäten starten von einer festen, vorwählbaren Position (Arbeitsmodus 2),
— manuelle Einstellung der Kapazitätspositionen (Arbeitsmodus 3).
Die Leistung des Systems soll 300 W (bei 13,56 MHz) betragen.
Das System muss über ein eigenes Datenlogging der Plasma- und Abstimmeinheit verfügen.
Die Plasmaquelle soll über Power/ Bias Steuerung verfügen.
Die Startpositionen aller Kapazitäten der Matching Einheiten müssen unabhängig für jeden Prozessschritt gewählt werden können (auch ein voll manueller Betrieb muss möglich sein). Sie müssen auch im Datalogging erfasst werden. Das System muss für 200 mm Wafer homogen arbeiten.