Beschreibung der Beschaffung
1. planar plate reactor vom Typ Super e (AMAT) mit Magnetfeld für 200 mm Wafer mit notch Arbeitsbereich Druck 30 bis 400 m Torr Einsatzgebiet: trockenchemisches Ätzen von Nitrid- und Oxischichten im front end Bereich,
2) Elektrostatic chuck: ceramic ESC Anregung über Katode mit 13.56 MHz,
3. RF Generator Fa. ENI mit max. Leistung von 2800 W,
4. process kit,
5. swap kit,
6.Turbopumpe Fa. Edwards für Druckbereich 30 bis 400 m Torr bei einem Gasfluss von 100 sccm,
7. consumable spare part kit,
8. Endpunktsystem: Einbindung in ein bereits vorhandenes OES-System mit CO und CN Filter,
9. Gaslinien: Ar (200); CHF3 (100); CF4 (100); O2 (50); CO (200); CH3F (20); C4F8 (20); CH2F2 (50); Cl2 (50); SF6 (50) von Firma HORIBA STEC,
10. Prozessspezifikation:
Oxidätzrate = 400-500 nm/min; Uniformität < 6 %
Nitridätzrate = 180-220 nm/min; Uniformität < 6 %
Oxid/Nitrid-Selektivität = > 10
Nitrid/Oxid-Selektivität = > 8
11. Prozessnachweis: Überführung eines vom IHP bestimmten Ätzrezeptes von der vorhandenen auf die neue Kammer,
12. Manuals für Hardware und BKM,
13. Zusätzlich 1 Jahr Garantie,
14. Installation:
a) Installation, Einbindung in bestehendes mainframe und Inbetriebnahme der Kammer,
b) Einweisung vor Ort.