Tiefe Oxidätzkammer „Synapse“

Kurze Beschreibung

1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1 x Rapier- und 1 x APM-Kammer montiert sind;
2. Mindestanforderung an Kammer:
2.1. Installation in Reinraum Klasse 1,
2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer,
2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden,
2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden,
2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie.
3. Kammerausstattung:
3.1. Planare ICP source,
3.2. Source Generator für RF,
3.3. Bias Generator für RF,
3.4. Matching unit für source RF/bias RF,
3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe,
3.6. beheizbares VAT pendulum valve,
3.7. D.

Beschreibung der Beschaffung

1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1 x Rapier- und 1 x APM-Kammer montiert sind,
2. Mindestanforderung an Kammer:
2.1. Installation in Reinraum Klasse 1,
2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer,
2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden,
2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden,
2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie.
3. Kammerausstattung:
3.1. Planare ICP source,
3.2. Source Generator für RF,
3.3. Bias Generator für RF,
3.4. Matching unit für source RF/bias RF,
3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe,
3.6. beheizbares VAT pendulum valve,
3.7. Digitale MFC gesteuerte Gaslinien, Gase und MFC Größen noch zu definieren anhand der Prozessspezifikation,
3.8. Ceramic echuck mit He back side pressure,
3.9. Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle,
3.10. Chiller passend zur Kammer, der die Prozessspezifikation garantiert.
4. Prozess:
4.1. Mindestanforderung Prozessspezifikation.
a) Allgemein:
Oxidätzen:
— Selektivität zum Resist > 5:1,
— Selektivität zu Si > 15:1,
— Oxidätzrate > 500 nm/min,
— Uniformity +/- 3 %.
Nitridätzen:
— Nitridätzrate > 200 nm/min,
— Oxid/Nitrid-Selektivität > 5:1,
— Nitrid/Oxid-Selektivität > 4:1.
b) Prozess:
— Ätzen von 20 Müm dicken Oxidschichten über Resist mit Stopp auf Si,
— Profilwinkel 84 bis 90Grad,
— space width > 10 Müm.
4.2. nach Installation der Kammer Nachweis eines vom IHP definierten Prozesses.
5. System allgemein:
5.1. Zusätzlich 12 Monate Garantie,
5.2. Installation und Inbetriebnahme.
6. Dokumente:
6.1. Facility Installation manual und FDS,
6.2. Maintenance manual,
6.3. Servicemanuals (u. a. Schaltpläne, Teileliste),
6.4. Sicherheitsdokumentation und Bedienerdokumentation,
6.5. OEM Dokumentation verbauter Teile,
6.6. User guide.
7. Training:
7.1. Operation and maintenance chamber training.
8. Weitere optionale Anforderungen:
8.1. verlängerte elektrische Kabel (20 m),
8.2. 20 m Schlauch für chiller,
8.3. Verbrauchsmaterial kit,
8.4. Ersatzteil kit.
9. Lieferung DDP, CIP oder DAP nach Incoterms 2010 Wareneingang IHP.