Tiefe Oxidätzkammer „Synapse“

IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1x Rapier- und 1x APM-Kammer montiert sind;
2. Mindestanforderung an Kammer:
2.1. Installation in Reinraum Klasse 1,
2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer,
2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden,
2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden,
2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie.
3. Kammerausstattung:
3.1. Planare ICP source,
3.2. Source Generator für RF,
3.3. Bias Generator für RF,
3.4. Matching unit für source RF/bias RF,
3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe,
3.6. beheizbares VAT pendulum valve,
3.7. Digitale MFC gesteuerte Gaslinien, Gase und MFC Größen noch zu definieren anhand der Prozessspezifikation,
3.8. Ceramic echuck mit He back side pressure,
3.9. Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle,
3.10. Chiller passend zur Kammer, der die Prozessspezifikation garantiert.
4. Prozess:
4.1. Mindestanforderung Prozessspezifikation.
a) Allgemein:
Oxidätzen:
— Selektivität zum Resist > 5:1;
— Selektivität zu Si > 15:1;
— Oxidätzrate > 500 nm/min;
— Uniformity +/- 3 %.
Nitridätzen:
— Nitridätzrate > 200 nm/min;
— Oxid/Nitrid-Selektivität > 5:1;
— Nitrid/Oxid-Selektivität > 4:1.
b) Prozess:
— Ätzen von 20 Müm dicken Oxidschichten über Resist mit Stopp auf Si;
— Profilwinkel 84 bis 90Grad;
— space width > 10 Müm.
4.2. nach Installation der Kammer Nachweis eines vom IHP definierten Prozesses.
5. System allgemein:
5.1. Zusätzlich 12 Monate Garantie,
5.2. Installation und Inbetriebnahme.
6. Dokumente:
6.1. Facility Installation manual und FDS,
6.2. Maintenance manual,
6.3. Servicemanuals (u. a. Schaltpläne, Teileliste),
6.4. Sicherheitsdokumentation und Bedienerdokumentation,
6.5. OEM Dokumentation verbauter Teile,
6.6. User guide.
7. Training:
7.1. Operation and maintenance chamber training.
8. Weitere optionale Anforderungen:
8.1. verlängerte elektrische Kabel (20m),
8.2. 20 m Schlauch für chiller,
8.3. Verbrauchsmaterial kit,
8.4. Ersatzteil kit.
9. Lieferung DDP, CIP oder DAP nach Incoterms 2010 Wareneingang IHP.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2020-05-26. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2020-04-20.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2020-04-20 Auftragsbekanntmachung
2020-11-06 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2020-04-20)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
Referenznummer: IHP-2020-040
Kurze Beschreibung:
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1x Rapier- und 1x APM-Kammer montiert sind; 2. Mindestanforderung an Kammer: 2.1. Installation in Reinraum Klasse 1, 2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer, 2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden, 2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden, 2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie. 3. Kammerausstattung: 3.1. Planare ICP source, 3.2. Source Generator für RF, 3.3. Bias Generator für RF, 3.4. Matching unit für source RF/bias RF, 3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe, 3.6. beheizbares VAT pendulum valve, 3.7. Digitale MFC gesteuerte Gaslinien, Gase und MFC Größen noch zu definieren anhand der Prozessspezifikation, 3.8. Ceramic echuck mit He back side pressure, 3.9. Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle, 3.10. Chiller passend zur Kammer, der die Prozessspezifikation garantiert. 4. Prozess: 4.1. Mindestanforderung Prozessspezifikation. a) Allgemein: Oxidätzen: — Selektivität zum Resist > 5:1; — Selektivität zu Si > 15:1; — Oxidätzrate > 500 nm/min; — Uniformity +/- 3 %. Nitridätzen: — Nitridätzrate > 200 nm/min; — Oxid/Nitrid-Selektivität > 5:1; — Nitrid/Oxid-Selektivität > 4:1. b) Prozess: — Ätzen von 20 Müm dicken Oxidschichten über Resist mit Stopp auf Si; — Profilwinkel 84 bis 90Grad; — space width > 10 Müm. 4.2. nach Installation der Kammer Nachweis eines vom IHP definierten Prozesses. 5. System allgemein: 5.1. Zusätzlich 12 Monate Garantie, 5.2. Installation und Inbetriebnahme. 6. Dokumente: 6.1. Facility Installation manual und FDS, 6.2. Maintenance manual, 6.3. Servicemanuals (u. a. Schaltpläne, Teileliste), 6.4. Sicherheitsdokumentation und Bedienerdokumentation, 6.5. OEM Dokumentation verbauter Teile, 6.6. User guide. 7. Training: 7.1. Operation and maintenance chamber training. 8. Weitere optionale Anforderungen: 8.1. verlängerte elektrische Kabel (20m), 8.2. 20 m Schlauch für chiller, 8.3. Verbrauchsmaterial kit, 8.4. Ersatzteil kit. 9. Lieferung DDP, CIP oder DAP nach Incoterms 2010 Wareneingang IHP.
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Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Postleitzahl: 15236
Postort: Frankfurt (Oder)
Kontakt
Internetadresse: https://www.ihp-microelectronics.com/en/start.html 🌏
E-Mail: rohner@ihp-microelectronics.com 📧
Telefon: +49 335-5625-359 📞
Fax: +49 335-5625-25359 📠
URL der Dokumente: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYQ9/documents 🌏
URL der Teilnahme: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYQ9 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2020-04-20 📅
Einreichungsfrist: 2020-05-26 📅
Veröffentlichungsdatum: 2020-04-22 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2020/S 079-185979
ABl. S-Ausgabe: 79
Zusätzliche Informationen
Die Vergabeunterlagen finden Sie auf dem Vergabemarktplatz Brandenburg http://vergabemarktplatz.brandenburg.de Sie können sich gern freiwillig auf der Vergabeplattform Vergabemarktplatz Brandenburg registrieren und die Vergabeunterlagen dort herunterladen. Dies bietet Ihnen den Vorteil, dass Sie automatisch über Änderungen in den Vergabeunterlagen oder über Antworten auf Fragen zum Vergabeverfahren informiert werden. Registrieren Sie sich nicht, besteht eine entsprechende Holschuld, das heißt, Sie müssen sich selbstständig informieren, ob die Vergabeunterlagen zwischenzeitlich geändert wurden und ob wir Bieterfragen zum Vergabeverfahren beantwortet haben. Wir weisen darauf hin, dass für das Stellen einer Frage zum Verfahren und für das Abgeben eines Angebotes und – sofern im konkreten Verfahren einschlägig – für das Einreichen eines Teilnahmeantrages oder für das Abgeben einer Interessenbestätigung ohnehin eine Registrierung unumgänglich ist. Die Teilnahmeunterlagen und Angebotsunterlagen müssen scannbar eingereicht werden und sollten nicht gebunden oder geklammert werden. Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYQ9
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Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1x Rapier- und 1x APM-Kammer montiert sind;
2. Mindestanforderung an Kammer:
2.1. Installation in Reinraum Klasse 1,
2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer,
2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden,
2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden,
2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie.
3. Kammerausstattung:
3.1. Planare ICP source,
3.2. Source Generator für RF,
3.3. Bias Generator für RF,
3.4. Matching unit für source RF/bias RF,
3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe,
3.6. beheizbares VAT pendulum valve,
3.7. Digitale MFC gesteuerte Gaslinien, Gase und MFC Größen noch zu definieren anhand der Prozessspezifikation,
3.8. Ceramic echuck mit He back side pressure,
3.9. Optisches Endpunktsystem für Prozesskontrolle,
3.10. Chiller passend zur Kammer, der die Prozessspezifikation garantiert.
4. Prozess:
4.1. Mindestanforderung Prozessspezifikation.
a) Allgemein:
Oxidätzen:
— Selektivität zum Resist > 5:1;
— Selektivität zu Si > 15:1;
— Oxidätzrate > 500 nm/min;
— Uniformity +/- 3 %.
Nitridätzen:
— Nitridätzrate > 200 nm/min;
— Oxid/Nitrid-Selektivität > 5:1;
— Nitrid/Oxid-Selektivität > 4:1.
b) Prozess:
— Ätzen von 20 Müm dicken Oxidschichten über Resist mit Stopp auf Si;
— Profilwinkel 84 bis 90Grad;
— space width > 10 Müm.
4.2. nach Installation der Kammer Nachweis eines vom IHP definierten Prozesses.
5. System allgemein:
5.1. Zusätzlich 12 Monate Garantie,
5.2. Installation und Inbetriebnahme.
6. Dokumente:
6.1. Facility Installation manual und FDS,
6.2. Maintenance manual,
6.3. Servicemanuals (u. a. Schaltpläne, Teileliste),
6.4. Sicherheitsdokumentation und Bedienerdokumentation,
6.5. OEM Dokumentation verbauter Teile,
6.6. User guide.
7. Training:
7.1. Operation and maintenance chamber training.
8. Weitere optionale Anforderungen:
8.1. verlängerte elektrische Kabel (20m),
8.2. 20 m Schlauch für chiller,
8.3. Verbrauchsmaterial kit,
8.4. Ersatzteil kit.
9. Lieferung DDP, CIP oder DAP nach Incoterms 2010 Wareneingang IHP.
Geschätzter Gesamtwert: 900 000 EUR 💰
Kurze Beschreibung:
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1x Rapier- und 1x APM-Kammer montiert sind,
8.1. verlängerte elektrische Kabel (20 m),
Geschätzter Wert ohne MwSt: 900 000 EUR 💰
Dauer: 1 Monate
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:
IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Im Technologiepark 25
15236 Frankfurt (Oder)

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
— Bescheinigung in Steuersachen:
Der AG behält sich vor Auftragsvergabe vor, eine Anfrage bei dem zuständigen Anti-Korruptionsregister sowie beim Gewerbezentralregisteramt durchzuführen.
Technische und berufliche Fähigkeiten:
Referenzen:
Es werden vergleichbare auftragsbezogene Firmenreferenzen in Bezug zur ausgeschriebenen Leistung erwartet. Vergleichbar heißt Referenzen in Zusammenarbeit mit dem Auftrag.
Die Referenzen sind als Art Referenzbescheinigung durch den Bieter mit den folgenden Angaben mit der Angebotsabgabe einzureichen:
— Referenzgeber;
— Ansprechpartner des Referenzgebers inklusive Telefonnummer;
— Zeitraum Beginn/Ende der Ausführung;
— Kurzbeschreibung des Auftragsumfangs.
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung: Für die ausgeschriebene Anlage gilt ein Richtpreis von 0.9 Mill. EUR.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 12:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2020-07-24 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2020-05-26 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 12:00
Ort des Eröffnungstermins: Frankfurt (Oder)

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Forschung und Entwicklung
Kontakt
Kontaktperson: Beschaffung
Dokumente URL: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXSTYYDYYQ9/documents 🌏

Referenz
Zusätzliche Informationen
Die Vergabeunterlagen finden Sie auf dem Vergabemarktplatz Brandenburg
Sie können sich gern freiwillig auf der Vergabeplattform Vergabemarktplatz Brandenburg registrieren und die Vergabeunterlagen dort herunterladen.
Dies bietet Ihnen den Vorteil, dass Sie automatisch über Änderungen in den Vergabeunterlagen oder über Antworten auf Fragen zum Vergabeverfahren informiert werden.
Registrieren Sie sich nicht, besteht eine entsprechende Holschuld, das heißt, Sie müssen sich selbstständig informieren, ob die Vergabeunterlagen zwischenzeitlich geändert wurden und ob wir Bieterfragen zum Vergabeverfahren beantwortet haben.
Wir weisen darauf hin, dass für das Stellen einer Frage zum Verfahren und für das Abgeben eines Angebotes und – sofern im konkreten Verfahren einschlägig – für das Einreichen eines Teilnahmeantrages oder für das Abgeben einer Interessenbestätigung ohnehin eine Registrierung unumgänglich ist.
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Die Teilnahmeunterlagen und Angebotsunterlagen müssen scannbar eingereicht werden und sollten nicht gebunden oder geklammert werden.
Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYQ9

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Landes Brandenburg beim Ministerium für Wirtschaft und Europaangelegenheiten
Postanschrift: Heinrich-Mann-Allee 107
Postort: Potsdam
Postleitzahl: 14473
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 331 / 866-1719 📞
Fax: +49 331 / 866-1652 📠
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Postort: Frankfurt (Oder)
Postleitzahl: 15236
Telefon: +49 335-5625-359 📞
E-Mail: rohner@ihp-microelectronics.com 📧
Fax: +49 335-5625-25359 📠
Quelle: OJS 2020/S 079-185979 (2020-04-20)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2020-11-06)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1 x Rapier- und 1 x APM-Kammer montiert sind; 2. Mindestanforderung an Kammer: 2.1. Installation in Reinraum Klasse 1, 2.2. Einsatzgebiet Tiefes Oxidätzen (low pressure + high density plasma) von 200 mm Wafer, 2.3. Hardware und Prozess muss vollständig mit state of the art Software gesteuert und in die bestehende Anlage und Anlagensteuerung integriert werden, ohne das bereits vorhandene Prozesse und Hardwarekomponenten davon beeinflusst werden, 2.4. für die gesamte Kammer und für das geänderte Gesamtsystem muss die CE-Konformität erklärt werden, 2.5. Kammer entspricht der aktuellen EG-Maschinenrichtlinie. 3. Kammerausstattung: 3.1. Planare ICP source, 3.2. Source Generator für RF, 3.3. Bias Generator für RF, 3.4. Matching unit für source RF/bias RF, 3.5. Temperatur gemanagte Maglev Turbopumpe, 3.6. beheizbares VAT pendulum valve, 3.7. D.
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Gesamtwert des Auftrags: 900 000 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: IHP GmbH
Kontakt
Internetadresse: http://www.ihp-microelectronics.com 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2020-11-06 📅
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-11 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2020/S 220-539904
Verweist auf Bekanntmachung: 2020/S 079-185979
ABl. S-Ausgabe: 220

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1 x Rapier- und 1 x APM-Kammer montiert sind;
3.7. D.
1. Synapse Prozesskammer für Tiefes Oxidätzen, zu installieren an einem vorhandenen fxP Versalis Transportmodul von Fa. SPTS an dem bereits 1 x Rapier- und 1 x APM-Kammer montiert sind,
— Selektivität zum Resist > 5:1,
— Selektivität zu Si > 15:1,
— Oxidätzrate > 500 nm/min,
— Nitridätzrate > 200 nm/min,
— Oxid/Nitrid-Selektivität > 5:1,
— Ätzen von 20 Müm dicken Oxidschichten über Resist mit Stopp auf Si,
— Profilwinkel 84 bis 90Grad,

Verfahren
Vergabekriterien
Kostenkriterium (Name): Preis
Kostenkriterium (Gewichtung): 40 %
Kostenkriterium (Name): garantierte Prozessparameter laut Leistungsbeschreibung
Kostenkriterium (Gewichtung): 30 %
Kostenkriterium (Name): Integration in bestehendes mainframe

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2020-06-22 📅
Name: SPTSTechnologies Limited
Postanschrift: Ringland Way, Newport
Postort: South Wales
Postleitzahl: NP182TA
Land: Vereinigte Staaten 🇺🇸
Gesamtwert des Auftrags: 824 768 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Nationale Registrierungsnummer: 2020/S 079-185979
Kontakt
Kontaktperson: S. Rohner
Internetadresse: www.ihp-microelectronics.com 🌏
Quelle: OJS 2020/S 220-539904 (2020-11-06)