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Beschreibung der Beschaffung

01 Stck. LPCVD-Anlage (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition)
Lieferumfang:
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH benötigt eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung von Schichten bei Niederdruck auf doppelseitig prozessierte 4- und 6- Zoll Wafer.
Vorhandene Medien sind:
- Stromanschluss 2-polig mit zusätzlicher Erde, 32 A
- Gase: Stickstoff 6.0, Ammoniak 6.0, Dichlorsilan Ultra Plus, Distickstoffoxid 4.8, Silan 6.0
- Kühlwasserkreislauf
- technische Abluft
- Ethernetanschluss
- Reinstluft für Pneumatik ( > 6 Pa)
- Aufstellfläche + Wartungsbereich 8000 mm x 3700 mm
- Max. Anlagenhöhe: 2800 mm
Die Anlage soll mit den vorhandenen Medien und zusätzlichem TEOS-Modul und Wärmetauscher zu betreiben sein. Prozessdaten sollen über den Ethernetanschluss zu exportieren sein.
Raumplan, mit vorhandenen Medien und Transportwege können auf Anfrage zugestellt werden.
Anlagenbeschreibung:
Technische Daten:
Anforderungen an das Basissystem:
~LPCVD-Anlage für 4-Zoll und 6-Zoll Wafer, Wechsel zwischen den Wafergrößen ohne Umbauten möglich
~Prozessführung:
o 4 Vakuumrohre:
- mit Innenrohren für längere Betriebsdauer und geringeren Wartungsaufwand
- 1x TEOS, mit Partikelfalle
- 2x (spannungsreduziertes) Siliziumnitrid/ HTO, mit Kühlfalle
- 1x (flat) Polysilizium / a-Si
o Grenzparameter:
- Reproduzierbarkeit (Wafer zu Wafer): < +/-3 %
- Charge zu Charge Stabilität: < +/-2 %
o Prozessanforderungen:
TEOS-SiO2-Schicht (120 nm):
- Typische Abscheidetemperatur: 650 °C
- Scheibenhomogenität: < 5 %
- Chargenhomogenität : < 10 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,46+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 60/20
- Natriumionen-Konzentration: <=0,3 x 10e11/cm e2
SiNx-Schicht, temperaturreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 750 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 2,00+/- 0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/ > 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: < 15 nm/min (HF:50%)
- Pinholes: <= 2 cm e-2
- Durchbruchfeldstärke >=5 MV/cm
- Dichte der festen Oxidladung -2,0 +/- 0,3 x 10e11 cm e-2
- Schichtspannung: -800 bis -1000 MPa
SiNx-Schicht, spannungsreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 800 °C
- Scheibenhomogenität: < 10 %
- Chargenhomogenität: < 15 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): >= 2,07
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: <11 nm/min (HF:50%)
- Schichtspannung: -300 bis -600 MPa
HTO-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: 950 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität : < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,44+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: < 50 nm/min
(NH4F/50%HF = 30/1, 25+/-1 °C)
- Schichtspannung ca. +100 MPa
Polysilizium-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: 610 °C
- Scheibenhomogenität: < 4 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Korngröße bei 450 nm Abscheidung 90-110 nm (bestimmt mit Linienschnittverfahren an REM-Aufnahmen)
~Anforderungen an Wafer-Handling:
o Waferanzahl: 100 6-Zoll-Wafer
o Waferhandling ausschließlich im 6 mm breiten Randbereich (doppelseitig polierte Wafer)
o Kassettenstation, 25 Wafer pro Kassette, e-Pak kompatibel
o Flat aligner
o Vollautomatisches Beladen von Waferkassette auf Boote für 6-Zoll-Wafer
o Teilautomatisches Beladen von 4-Zoll-Wafern
o Boote werden vom Paddle im Rohr abgesetzt, das Paddle ist während des Prozesses nicht im Rohr, dadurch erfolgt keine Abscheidung auf das Paddle
o Möglichkeit Boote vorzubeladen und automatisch zu starten
~Temperaturregelung:
o Länge des Bereichs konstanter Temperatur (Flat Zone): >= 600 mm
o 5 Heizzonen
o Maximale Abweichung der Temperatur in Flat Zone +/- 0,5 °C
o Heizkassetten und Festkörperrelais wassergekühlt um Einflüsse zwischen den Rohren zu verhindern
o Regelung auf Thermoelementen im Rohr
o Bei Bruch eines inneren Thermoelements wird automatisch auf ein äußeres Thermoelement umgeschaltet
o Redundante Temperaturmessung am Rohr
~ EtherCAT Bus-Kommunikation zwischen Komponenten
~ Bereitstellung der Prozessparameter und der Rezepte, die zum erreichen der oben spezifizierten Schichteneigenschaften nötig sind
~ Installation durch die Wand
Anforderungen an die Software:
- Graphische Benutzeroberfläche in deutscher/englischer Sprache
- Prozesssteuerung
- Rezeptorganisation
- Datenexport in grafischer und digitaler Form
- Visualisierung und Analyse von Prozessdaten
- Versionskontrolle
- automatischer Lecktest und MFC-Kalibierung implementiert
Inkl. Zubehör:
- Steuer-PC:
o Schnittstelle zur Anlage
o Mit Anlagensoftware s.o.
o LAN-Anschluss, 1000 Mbit/s
o Betriebssystem Windows 10 Professional, englisch und deutsch
o Monitor, Full HD, 19-Zoll
o Tastatur und Maus
o MS-Office Paket, Version 2019 standard
o Fernwartung durch Remote Access
o NAS-Server zur Speicherung der Rezepte und Prozessdaten. NAS-System mit RAID 1 und 2 x 1 TB Festplatte. Alle Daten auf den Festplatten werden gespiegelt
o Remote Control vom Büroarbeitsplatz
- 2 trockenlaufende Vakuumpumpen, Hersteller Edwards (oder technisch gleichwertige Systeme)
o für TEOS- und Polysilizium - Rohr
o Möglichkeit die Pumpe aus der Ferne zu bedienen und zu überwachen
- TEOS-Kabinett
- Quarzboote für alle Rohre (3° tilt; pitch: 4.76 mm), 2 zusätzliche lange Quarzboote für 4-Zoll Wafer
- Externer Wärmetauscher um das Anlagenkühlwasser von dem Standortkühlwasser zu trennen
- Webcam zur Überwachung der Be- und Entladung der Wafer
- Uninterruptible power supply (UPS)
- Signalampel
- Spülbares Gaskabinett mit Gaslinien und MFCs, mit unabhängigem Sicherheitssystem für jedes Prozessrohr, Gassensoren zur Überwachung von HCl, NH3 und SiH4
- Zweites Steuerungspanel an der Hinterseite der Anlage im Grauraumbereich
- Möglichkeit zum langsamen Anpumpen und Belüften ("softstart")
- Flansch mit Vakuumventil mit Anschlussmöglichkeit für einen Lecksucher am Vakuumsystem
Weiteres: siehe zusätzliche Angaben

Zusätzliche Informationen

Beschreibung der Beschaffung
Weiteres:
- Anlage mit Sicherheitssystem (Interlock), um Hauptgefahren für Leib und Leben abzuwenden, welche unabhängig von der Steuersoftware arbeitet (EN13849-1:2006)
- Anlage beinhaltet Emergency Stop in der Software und mechanische Taster an der Anlage
- Zum Betrieb notwendige Versorgungsaggregate müssen im Lieferumfang der Anlage enthalten sein
- Garantie von 24 Monaten ab Endabnahme der Anlage
- Transport, Versicherung, Zollgebühren, Aufstellung und Installation beim Kunden und Reisekosten sind im Endpreis inklusive
- garantierte Verfügbarkeit von Ersatzteilen von mindestens 10 Jahren
- kostenlose Servicehotline
- schneller Einsatz von Servicetechnikern bei Anlagenausfall (Werkstags 48h+ Anreise)
- Ersatzteil / Servicepaket für zweijährigen Betrieb
- Training für Bediener (5 Tage, bis zu 3 Personen) und Wartungspersonal (2 Tage, bis zu 3 Personen)
Dokumente:
- Bedienungsanleitung für alle Komponenten in deutscher und englischer Sprache
- Installationsvorschrift
- Wartungshandbuch
- Technisches Handbuch
- Angabe von Wartungsintervallen, Wartungskosten, Betriebskosten pro Jahr
- Angabe eines Servicekonzepts
- Dokumentation der OEM-Teile
- CE Kennzeichnung
Expertise
- 3 Referenzen der aktuellen Anlagenkonfiguration
- Nachweis der insgesamt installierten Anlagenbasis >50 Anlagen, davon 50% in Produktion (Auflistung der Anlagen mit Kundenbenennung)
- Veröffentlichungen und Präsentationen zu Prozessergebnissen
- Lieferant weist die technologischen Parameter an einer Demoanlage mit gleicher Ausstattung unter Reinraumbedingungen in Form von Testwafern nach
Liefer- und Anschlussbedingungen:
- Maße des größten gelieferten Einzelteils (ohne Verpackung) L: 2m80, B: 2m20 (bei Überschreitung ist Rücksprache erforderlich)
- Verpackung inklusive
- Versand inklusive
- Transportversicherung inklusive
- Aufstellung inklusive, Einbringung 1. OG
- Installation inklusive
- Inbetriebnahme inklusive
- Anschluss der existierenden Vakuumrohre an die LPCVD-Anlage
- Anschluss der Abluftlinien an die technische Abluft des Standortes
- Anschluss der Prozessgase (Stickstoff, Ammoniak,
Dichlorsilan, Distickstoffoxid, Silan) zur Anlage, mit Lecktest und Partikel- und Feuchtetest, Leitungslängen ca. 5 m
- Elektrischer Anschluss der Anlage
- Elektrischer Anschluss des Wärmetauschers
- Kühlwasser-Leitungen zu Wärmetauscher, ca. 5 m
- Wasserleitungen von Überdruckventil zu Ablauf an Standort, max. 10 m
- Anschluss an Reinstluft, nahe Anlage
- Nachweis der Funktionsfähigkeit aller Komponenten
Mittelherkunft: aus Landesmitteln in Anlehnung an die
Richtlinie des Freistaats Thüringen zur Förderung von Forschung, Technologie und Innovation (FTI-Richtlinie) vom 18.08.2015 (ThürStAnz. Nr. 36/2015 vom 07.09.2015, S. 1494-1512), geändert am 17.12.2018, in Kraft getreten am 18.12.2018 (ThürStAnz. Nr. 3/2019 vom 21.01.2019, S. 201-203)
Vorhabensnr.: 2021 WIN 0028

Liste und kurze Beschreibung der Bedingungen

Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter, jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft sowie jedem Nachunternehmer, auf dessen Befähigung zur Berufsausübung sich der Bewerber, ein Mitglied einer Bietergemeinschaft bzw. ein Nachunternehmer berufen will, vorzulegen:
1) Formblatt L 124_EU Eigenerklärung zur Eignung mit Erklärungen zu:
- Angabe über Ausschlussgründe gemäß § 42 VgV in Verbindung mit §§ 123 und § 124 GWB
- Angabe zu Insolvenzverfahren und Liquidation
- Angabe zur Zahlung von Steuern und Abgaben und Beiträgen zur Sozialversicherung
Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter, jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft sowie jedem Nachunternehmer, auf dessen Befähigung zur Berufsausübung sich der Bewerber, ein Mitglied einer Bietergemeinschaft bzw. ein Nachunternehmer berufen will auf gesondertes Verlangen vorzulegen:
2) Berufs- bzw. Handelsregisterauszug
3) gültige Unbedenklichkeitsbescheinigung des Finanzamtes - soweit Finanzamt Bescheinigungen ausstellt
4) gültige Unbedenklichkeitsbescheinigung der tariflichen Sozialkasse - soweit Betrieb beitragspflichtig
5) Freistellungsbescheinigung nach § 48b EstG
6) Eintragung in der Handwerksrolle oder bei der Industrie- oder Handwerkskammer oder sonstiger Nachweis
Da die Vergabestelle nach § 36 Abs. 5 Satz 1 VgV gehalten ist, vor der Zuschlagserteilung in Bezug auf reine Nachunternehmer die Voraussetzungen des §§ 123, 124 GWB zu prüfen, sind die Unterlagen 1) - 6) ggf. vom Nachunternehmer
(ohne Eignungsleihe) auf gesondertes Anfordern vorzulegen.
Hinweis für die Bieter: Hat ein Bieter in den letzten 12 Monaten vor Ablauf der Angebotsfrist bereits die Nachweise vorgelegt, so hat er gemäß § 7 Abs. 2a ThürVgG den Auftraggeber unter Benennung des Vergabeverfahrens darauf hinzuweisen.
Der Nachweis einer Befähigung zur Berufsausübung kann auch durch die gültige Bescheinigung eines in der Vergabeordnung genannten Präqualifikationsverfahrens geführt werden (vgl. § 7 Abs. 2 ThürVgG).

Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter sowie jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft vorzulegen:
Nachweis einer Berufs- oder Betriebshaftpflichtversicherung für Personenschäden in Höhen von mindestens 2.000.000,00 EUR und für Sach- und Vermögensschäden in Höhe von 2.000.000,00 EUR gemäß Ziffer III der Eigenerklärung zur Eignung (Formblatt L 124_EU)
Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter sowie jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft auf gesondertes Verlagen vorzulegen:
7) Zusicherung der Versicherung bzw. entsprechender Versicherungsnachweis
Hinweis für die Bieter: Hat ein Bieter in den letzten 12 Monaten vor Ablauf der Angebotsfrist bereits die Nachweise vorgelegt, so hat er gemäß § 7 Abs. 2a ThürVgG den Auftraggeber unter Benennung des Vergabeverfahrens darauf hinzuweisen. Der Nachweis der wirtschaftlichen und finanziellen Leistungsfähigkeit kann auch durch die gültige Bescheinigung eines in der Vergabeordnung genannten Präqualifikationsverfahrensgeführt werden (vgl. § 7 Abs. 2 ThürVgG).

Bedingungen für die Teilnahme (technische und berufliche Fähigkeiten)

Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter, jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft sowie jedem Nachunternehmer, auf dessen Befähigung zur Berufsausübung sich der Bewerber, ein Mitglied einer Bietergemeinschaft bzw. ein Nachunternehmer berufen will, vorzulegen:
Vorlage geeigneter Referenzen (mindestens drei Referenzen) über früher ausgeführte Liefer- und Dienstleistungen der in den letzten höchstens drei Jahren erbrachten wesentlichen Leistungen gemäß Ziffer IV der Eigenerklärung zur Eignung (Formblatt L 124_EU)
Aus der Beschreibung der Referenz muss klar erkennbar sein, welche Leistungen der Bewerber oder das Mitglied der Bewerbergemeinschaft oder ein Dritter, auf dessen Leistungsfähigkeit abgestellt wird, selbstdurchgeführt hat. Die bloße untergeordnete Mitwirkung ist nicht ausreichend. Der Auftraggeber behält sich die Überprüfung der Angaben bei den Referenzauftraggebern sowie eigene Ermittlungen vor. Die Ergebnisse der eigenen Ermittlungen werden bei der Bewertung Berücksichtigung finden.
Vorlage Nachweis der insgesamt installierten Anlagenbasis >50 Anlagen, davon 50% in Produktion (Auflistung der Anlagen).
Der Lieferant weist die technologischen Parameter an einer Demoanlage mit gleicher Ausstattung unter Reinraumbedingungen in Form von Testwafern nach.
Sämtliche unten genannten Erklärungen/Unterlagen sind von jedem Bieter, jedem Mitglied einer Bietergemeinschaft sowie jedem Nachunternehmer, auf dessen Befähigung zur Berufsausübung sich der Bewerber, ein Mitglied einer Bietergemeinschaft bzw. ein Nachunternehmer berufen will auf gesondertes Verlangen vorzulegen:
8) Bescheinigung über die ordnungsgemäße Ausführung und das Ergebnis der genannten Leistungen
Hinweis für die Bieter: Hat ein Bieter in den letzten 12 Monaten vor Ablauf der Angebotsfrist bereits die Nachweise vorgelegt, so hat er gemäß § 7 Abs. 2a ThürVgG den Auftraggeber unter Benennung des Vergabeverfahrens darauf hinzuweisen. Der Nachweis der technischen und beruflichen Leistungsfähigkeit kann auch durch die gültige Bescheinigung eines in der Vergabeordnung genannten Präqualifikationsverfahrensgeführt werden (vgl. § 7 Abs. 2 ThürVgG). Es muss mindestens eine Referenz vorgelegt werden.

Bedingungen für die Vertragserfüllung

Ausführungsbedingungen nach dem Thüringer Vergabegesetz:
- Verpflichtung gemäß § 12 und 15 ThürVgG - Nachunternehmereinsatz, gemäß § 17 ThürVgG - Kontrollen sowie § 18 ThürVgG - Sanktionen
- Verpflichtung zur Tariftreue, Mindestentgelt und Entgeltgleichheit (§§ 10 und 12 Abs. 2 ThürVgG)
- Verpflichtung zur Beachtung der ILO-Kernarbeitsnormen (§§ 11 und 12 Abs. 2 ThürVgG)
Gemäß § 12a Abs. 2 ThürVgG weisen wir darauf hin, dass der Bestbieter im Falle der beabsichtigten Zuschlagserteilung die nach dem ThürVgG verpflichtend vorzulegenden Erklärungen und Nachweise nach Aufforderung innerhalb einer nach Tagen bemessenen Frist vorlegen muss und dass, bei nicht fristgerechter Vorlage, das Angebot von der Wertung auszuschließen ist.
Es handelt sich dabei um folgende Erklärungen und Nachweise:
- Formblatt "Verpflichtung gemäß § 12 und 15 ThürVgG - Nachunternehmereinsatz, gemäß § 17 ThürVgG -Kontrollen sowie § 18 ThürVgG - Sanktionen"
- Formblatt "Verpflichtung zur Tariftreue, Mindestentgelt und Entgeltgleichheit (§§ 10 und 12 Abs. 2 ThürVgG)"
- Formblatt "Verpflichtung zur Beachtung der ILO-Kernarbeitsnormen (§§ 11 und 12 Abs. 2 ThürVgG)"
Zudem müssen im Falle eines anfänglichen Nachunternehmereinsatzes spätestens vor der Auftragserteilung folgenden Formblätter beim Auftraggeber vorliegen:
- Formblatt "Verpflichtung des Nachunternehmers zur Tariftreue, Mindestentgelt und Entgeltgleichheit (§§ 10und 12 Abs. 2 ThürVgG)"
- Formblatt "Verpflichtung zur Beachtung der ILO-Kernarbeitsnormen (§§ 11 und 12 Abs. 2 ThürVgG)"
Der Bestbieter muss im Falle der beabsichtigten Zuschlagserteilung die nach dem ThürVgG verpflichtend vorzulegenden Erklärungen und Nachweise nach Aufforderung innerhalb einer nach Tagen bemessenen Frist vorlegen. Bei nicht fristgerechter Vorlage ist das Angebot von der Wertung auszuschließen.

Genaue Informationen über Fristen für Überprüfungsverfahren

"Der Nachprüfungsantrag ist nach § 160 Abs. 3 GWB unzulässig, soweit:
1) der Antragsteller den geltend gemachten Verstoß gegen Vergabevorschriften vor Einreichen des Nachprüfungsantrags erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht innerhalb einer Frist von 10 Kalendertagen gerügt hat; der Ablauf der Frist nach § 134 Abs. 2 GWB bleibt unberührt,
2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zuwollen, vergangen sind."

Beschreibung der Beschaffung

01 Stck. LPCVD-Anlage (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition)
Lieferumfang:
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH benötigt eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung von Schichten bei Niederdruck auf doppelseitig prozessierte 4- und 6- Zoll Wafer.
Vorhandene Medien sind:
- 3-phasiger Drehstromanschluss (TN-S) mit ca. 400V, Anschlussleistung 100kW bei maximal 160A
- Gase: Stickstoff 6.0, Ammoniak 6.0, Dichlorsilan Ultra Plus, Distickstoffoxid 4.8, Silan 6.0
- Kühlwasserkreislauf
- technische Abluft
- Ethernetanschluss
- Reinstluft für Pneumatik ( > 6 Pa)
- Aufstellfläche + Wartungsbereich 8000 mm x 3700 mm
- Max. Anlagenhöhe: 2800 mm
Die Anlage soll mit den vorhandenen Medien und zusätzlichem TEOS-Modul und Wärmetauscher zu betreiben sein. Prozessdaten sollen über den Ethernetanschluss zu exportieren sein.
Raumplan, mit vorhandenen Medien und Transportwege können auf Anfrage zugestellt werden.
Anlagenbeschreibung:
Technische Daten:
Anforderungen an das Basissystem:
~LPCVD-Anlage für 4-Zoll und 6-Zoll Wafer, Wechsel zwischen den Wafergrößen ohne Umbauten möglich
~Prozessführung:
o 4 Vakuumrohre:
- mit Innenrohren für längere Betriebsdauer und geringeren Wartungsaufwand
- 1x TEOS, mit Partikelfalle
- 2x (spannungsreduziertes) Siliziumnitrid/ HTO, mit Kühlfalle
- 1x (flat) Polysilizium / a-Si
o Grenzparameter:
- Reproduzierbarkeit (Wafer zu Wafer): < +/-3 %
- Charge zu Charge Stabilität: < +/-2 %
o Prozessanforderungen:
TEOS-SiO2-Schicht (120 nm):
- Typische Abscheidetemperatur: 650 °C
- Scheibenhomogenität: < 5 %
- Chargenhomogenität : < 10 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,46+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 ?m/> 1,6 ?m): 60/20
- Natriumionen-Konzentration: <=0,3 x 10e11/cm e2
SiNx-Schicht, temperaturreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 750 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 2,00+/- 0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 ?m/ > 1,6 ?m): 50/10
- Ätzrate: < 15 nm/min (HF:50%)
- Pinholes: <= 2 cm e-2
- Durchbruchfeldstärke >=5 MV/cm
- Dichte der festen Oxidladung -2,0 +/- 0,3 x 10e11 cm e-2
- Schichtspannung: -800 bis -1200 MPa
SiNx-Schicht, spannungsreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 800 °C
- Scheibenhomogenität: < 10 %
- Chargenhomogenität: < 15 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): >= 2,07
- Partikelzuwachs (> 0,3 ?m/> 1,6 ?m): 50/10
- Ätzrate: <11 nm/min (HF:50%)
- Schichtspannung: -300 bis -600 MPa
HTO-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: < 900 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität : < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,44+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 ?m/> 1,6 ?m): 50/10
- Ätzrate: < 50 nm/min
(NH4F/50%HF = 30/1, 25+/-1 °C)
- Schichtspannung ca. +100 MPa
Polysilizium-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: 610 °C
- Scheibenhomogenität: < 4 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Korngröße bei 450 nm Abscheidung 90-110 nm (bestimmt mit Linienschnittverfahren an REM-Aufnahmen)
~Anforderungen an Wafer-Handling:
o Waferanzahl: 100 6-Zoll-Wafer
o Waferhandling ausschließlich im 6 mm breiten Randbereich (doppelseitig polierte Wafer)
o Kassettenstation, 25 Wafer pro Kassette, e-Pak kompatibel
o Flat aligner
o Vollautomatisches Beladen von Waferkassette auf Boote für 6-Zoll-Wafer
o Teilautomatisches Beladen von 4-Zoll-Wafern
o Boote werden vom Paddle im Rohr abgesetzt, das Paddle ist während des Prozesses nicht im Rohr, dadurch erfolgt keine Abscheidung auf das Paddle
o Möglichkeit Boote vorzubeladen und automatisch zu starten
~Temperaturregelung:
o Länge des Bereichs konstanter Temperatur (Flat Zone): >= 600 mm
o 5 Heizzonen
o Maximale Abweichung der Temperatur in Flat Zone +/- 0,5 °C
o Heizkassetten und Festkörperrelais wassergekühlt um Einflüsse zwischen den Rohren zu verhindern
o Regelung auf Thermoelementen im Rohr
o Bei Bruch eines inneren Thermoelements wird automatisch auf ein äußeres Thermoelement umgeschaltet
o Redundante Temperaturmessung am Rohr
~ EtherCAT Bus-Kommunikation zwischen Komponenten
~ Bereitstellung der Prozessparameter und der Rezepte, die zum erreichen der oben spezifizierten Schichteneigenschaften nötig sind
~ Installation durch die Wand
Anforderungen an die Software:
- Graphische Benutzeroberfläche in deutscher/englischer Sprache
- Prozesssteuerung
- Rezeptorganisation
- Datenexport in grafischer und digitaler Form
- Visualisierung und Analyse von Prozessdaten
- Versionskontrolle
- automatischer Lecktest und MFC-Kalibierung implementiert
Inkl. Zubehör:
- Steuer-PC:
o Schnittstelle zur Anlage
o Mit Anlagensoftware s.o.
o LAN-Anschluss, 1000 Mbit/s
o Betriebssystem Windows 10 Professional, englisch und deutsch
o Monitor, Full HD, 19-Zoll
o Tastatur und Maus
o MS-Office Paket, Version 2019 standard
o Fernwartung durch Remote Access
o NAS-Server zur Speicherung der Rezepte und Prozessdaten. NAS-System mit RAID 1 und 2 x 1 TB Festplatte. Alle Daten auf den Festplatten werden gespiegelt
o Remote Control vom Büroarbeitsplatz
- 2 trockenlaufende Vakuumpumpen, Hersteller Edwards (oder technisch gleichwertige Systeme)
o für TEOS- und Polysilizium - Rohr
o Möglichkeit die Pumpe aus der Ferne zu bedienen und zu überwachen
- TEOS-Kabinett
- Quarzboote für alle Rohre (3° tilt; pitch: 4.76 mm), 2 zusätzliche lange Quarzboote für 4-Zoll Wafer
- Externer Wärmetauscher um das Anlagenkühlwasser von dem Standortkühlwasser zu trennen
- Webcam zur Überwachung der Be- und Entladung der Wafer
- Uninterruptible power supply (UPS)
- Signalampel
- Spülbares Gaskabinett mit Gaslinien und MFCs, mit unabhängigem Sicherheitssystem für jedes Prozessrohr, Gassensoren zur Überwachung von HCl, NH3 und SiH4
- Zweites Steuerungspanel an der Hinterseite der Anlage im Grauraumbereich
Weiteres: siehe zusätzliche Angaben

Zusätzliche Informationen

Beschreibung der Beschaffung:
- Möglichkeit zum langsamen Anpumpen und Belüften ("softstart")
- Flansch mit Vakuumventil mit Anschlussmöglichkeit für einen Lecksucher am Vakuumsystem
- Anlage mit Sicherheitssystem (Interlock), um Hauptgefahren für Leib und Leben abzuwenden, welche unabhängig von der Steuersoftware arbeitet (EN13849-1:2006)
- Anlage beinhaltet Emergency Stop in der Software und mechanische Taster an der Anlage
- Zum Betrieb notwendige Versorgungsaggregate müssen im Lieferumfang der Anlage enthalten sein
- 18 Monate Gewährleistung ab SAT (vor Gewährleistungsbeginn: Full-System-Check)
- Transport, Versicherung, Zollgebühren, Aufstellung und Installation beim Kunden und Reisekosten sind im Endpreis inklusive
- garantierte Verfügbarkeit von Ersatzteilen von mindestens 10 Jahren
- kostenlose Servicehotline
- schneller Einsatz von Servicetechnikern bei Anlagenausfall (werktags 48h+ Anreise)
- Ersatzteil / Servicepaket für zweijährigen Betrieb
- Training für Bediener (5 Tage, bis zu 3 Personen) und Wartungspersonal (2 Tage, bis zu 3 Personen)
Dokumente:
- Bedienungsanleitung für alle Komponenten in deutscher und englischer Sprache
- Installationsvorschrift
- Wartungshandbuch
- Technisches Handbuch
- Angabe von Wartungsintervallen, Wartungskosten, Betriebskosten pro Jahr
- Angabe eines Servicekonzepts
- Dokumentation der OEM-Teile
- CE Kennzeichnung
Expertise
- 3 Referenzen der aktuellen Anlagenkonfiguration
- Nachweis der insgesamt installierten Anlagenbasis >50 Anlagen, davon 50% in Produktion (Auflistung der Anlagen mit Kundenbenennung)
- Veröffentlichungen und Präsentationen zu Prozessergebnissen
- Lieferant weist die technologischen Parameter an einer Demoanlage mit gleicher Ausstattung unter Reinraumbedingungen in Form von Testwafern nach
Liefer- und Anschlussbedingungen:
- Maße des größten gelieferten Einzelteils (ohne Verpackung) L: 2m80, B: 2m20 (bei Überschreitung ist Rücksprache erforderlich)
- Verpackung inklusive
- Versand inklusive
- Transportversicherung inklusive
- Aufstellung inklusive, Einbringung 1. OG
- Installation inklusive
- Inbetriebnahme inklusive
- Anschluss der existierenden Vakuumrohre an die LPCVD-Anlage
- Anschluss der Abluftlinien an die technische Abluft des Standortes
- Anschluss der Prozessgase (Stickstoff, Ammoniak,
Dichlorsilan, Distickstoffoxid, Silan) zur Anlage, mit Lecktest und Partikel- und Feuchtetest, Leitungslängen ca. 5 m
- Elektrischer Anschluss der Anlage
- Elektrischer Anschluss des Wärmetauschers
- Kühlwasser-Leitungen zu Wärmetauscher, ca. 5 m
- Wasserleitungen von Überdruckventil zu Ablauf an Standort, max. 10 m
- Anschluss an Reinstluft, nahe Anlage
- Nachweis der Funktionsfähigkeit aller Komponenten
Mittelherkunft: aus Landesmitteln in Anlehnung an die
Richtlinie des Freistaats Thüringen zur Förderung von Forschung, Technologie und Innovation (FTI-Richtlinie) vom 18.08.2015 (ThürStAnz. Nr. 36/2015 vom 07.09.2015, S. 1494-1512), geändert am 17.12.2018, in Kraft getreten am 18.12.2018 (ThürStAnz. Nr. 3/2019 vom 21.01.2019, S. 201-203)
Vorhabensnr.: 2021 WIN 0028