Beschreibung der Beschaffung
Leistungsbeschreibung (Leistungsverzeichnis) -
für: Multifunktionaler automatischer Die-to-Wafer Bonder
Mit der Anlagen soll die 200 mm Pilotlinie für temporäres und permanentes Waferbonden erweitert
werden, um die Prozessflexibiltät im NanoLab zu erhöhen. Folgende Prozessanforderungen sind unbedingt
erforderlich.
? Pick-Funktion auf gesamter Fläche von 200mm Wafern von vereinzelten Chips auf Tape mit
Sägerahmen
? Flip-Chip Funktion
? Place-Funktion auf gesamter Fläche von 200mm Wafern mit wiederholbarer
Alignmentgenauigkeit von <=0,2µm
? Ermöglichung von PA-LT-Ox./Ox.-Fusionbonds durch Bondkraft >= 20N
? Ermöglichung von epoxy-/polymerbasierten Bonds durch Dispenssystem
? Automatische Abarbeitung von Pick and Place/Bond Anwendungen
Das Messgerät muss kompatibel mit den bestehenden Prozessen innerhalb der Waferbonding Pilotlinie
und der bestehenden BiCMOS Pilotlinie des IHP sein, da die Bondprozesse ein Teil einer gesamten
Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf der Verwendung der Anlagen für zukünftige
Forschungsaufgaben, die zum Teil oben genannt aber zum Teil heute auch noch nicht abgeschätzt werden
können. Die Anlagen sollen für 200mm BiCMOS Wafer ausgelegt sein. Die Anlage soll in einem Reinraum
der ISO-Klasse 6 (DIN ISO 14644-1) aufgestellt und betrieben werden. Dementsprechend muss die Anlage
alle Erfordernisse dafür erfüllen. Die vorhandene Reinraumfläche ist sehr begrenzt. Daher darf der
Footprint der Anlage 2,10 m x 1,70 m (+ Servicebereich) nicht überschreiten. Die Ausschreibung
beinhaltet die Lieferung der Anlage bis zum Aufstellort.
Anmerkung:
Mit Chips werden im gesamten Verlauf des Dokuments Mikroelektronische Bauelemente bezeichnet die
Abmessungen (BxLxH) von 500x500x40µm3 bis 10000x10000x730µm3 besitzen und mittels Tape,
Wafflepack oder Gelpack zugeführt werden. Die Abmaße sind dabei nicht auf die konkreten Werte sowie
quadratische Formen beschränkt.
Mit Substrat werden im gesamten Verlauf des Dokuments 200mm Siliziumwafer bezeichnet, deren
Oberfläche modifiziert vorliegen kann. Die Dicke der Substrate wird mit 600-1500µm spezifiziert.