Beschreibung der Beschaffung
Bezeichnung: Flusssäure-Gasphasenätzsystem
Menge: 1
Anforderungen:
1. Infrastruktur
a. Die Abmessungen des Geräts dürfen 1 m x 1 m x 2 m (Breite x Tiefe x Höhe) nicht überschreiten.
b. Das System darf keine externe Versorgung mit Prozesschemikalien voraussetzen (Ausnahmen: Druckluft, Stickstoff, (DI-)Wasser).
c. Das Gerät muss ohne weitere Infrastruktur bedient werden können, zum Beispiel mittels eines integrierten Touchscreens.
d. Das Angebot muss spezifizieren, woher Flusssäure in einem mit dem angebotenen System kompatiblen Behälter bezogen werden kann.
i. Optional soll ein mit dem angebotenen System kompatibler, gefüllten Flusssäure-Behälter angeboten werden.
e. Optional soll zudem angeboten werden:
i. Ein kompatibler Gaswäscher
ii. Kompatible Flusssäure-Detektoren
iii. Eine kompatible Scrollpumpe
2. Sicherheit
a. Ein Kontakt des Benutzers mit Prozessgasen muss durch redundante, eingebaute Sicherheitsmaßnahmen (z.B. Einhausungen, Interlocks) verhindert werden.
i. Der (nachträgliche) Anschluss externer Gassensoren zu diesem Zweck muss möglich sein.
3. Prozess
a. Die Verarbeitung einzelner Chips mit Abmessungen von kleiner oder gleich 2 mm x 2 mm sowie Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm muss möglich sein.
b. Kontrolliertes und reproduzierbares Ätzen von verschiedenen Siliziumoxiden (nativ, thermisch, PECVD) unterschiedlicher Filmdicke muss möglich sein. Dabei sind folgende Mindestanforderungen zu erfüllen:
i. Die Ätzrate muss zwischen 1 nm/min und 1 um/min einstellbar sein.
ii. Die Variation der Ätzrate auf einem Wafer darf höchstens 5% 1 sigma betragen.
iii. Die Variation der Ätztrate von Wafer zu Wafer darf höchstens 5% 1 sigma betragen.
Zu diesem Zweck sollen die Länge des Ätzvorgangs, der Druck in der Prozesskammer sowie der Massendurchfluss von Flusssäuredampf, Wasserdampf und Stickstoff als Prozessparameter überprüfbar und einstellbar sein.
c. Selektives Ätzen von Siliziumoxiden ohne gleichzeitiges Ätzen von Silizium (kristallin oder amporph), Alumnium (Al), Gold (Au), Germanium (Ge), Kohlenstoff (C) muss möglich sein.
d. Selektives Ätzen von Siliziumoxid (SiO) ohne gleichzeitiges Ätzen von Siliziumnitrid (SiN) muss möglich sein. Dabei sind folgende Mindestanforderungen zu erfüllen:
i. Die Selektivität von SiO zu LPCVD-SiN muss mindestens 50:1 betragen.
ii. Die Selektivität von SiO zu PECVD-SiN muss mindestens 10:1 betragen.
Zu diesem Zweck soll die Temperatur in der Prozesskammer als Prozessparameter überprüfbar und einstellbar sein.
Preis:
1. Bitte beachten Sie, dass der angebotene Preis ein Endpreis sein muss, inklusive Steuern, Gebühren, Zöllen, Versandkosten etc.
Lieferung:
1. Die Lieferung muss innherhalb von 12 Monaten ab Auftragserteilung erfolgen.
2. Dem Auftragsnehmer obliegt die Einholung aller möglicherweise notwendigen Ausfuhr- und Einfuhrgenehmigungen.