Industrielle Maschinen

Deutsche Forschungsgemeinschaft e.V., Zentrale Beschaffungsstelle

Beschaffung einer Anlage zum reaktiven Ionenätzen (DFG-GZ: A 621). Das Aktenzeichen entsprechend Ziff. ist bei sämtlicher Korrespondenz anzugeben. Beim Schlusstermin laut Ziff. handelt es sich um den spätesten Termin für den Antrag auf Teilnahme (nicht für den Eingang der Angebote). Vor Ablauf des Schlusstermins gemäß Ziff. werden keine Verdingungsunterlagen versendet. RIE-ICP Universität Konstanz Die gesuchten Leistungen und gewünschten Spezifikationen der RIE-ICP: 1) RIE-ICP zum Ätzen von III-V Halbleitern, Si, SiO2, Diamant und metallischen Schichten (Neuanlage, keine aufgearbeitete gebrauchte Anlage); 2) Substratgrößen bis 200 mm; 3) Kleine Stellfläche (max. 1,20 m x 2,00 m); 4) Substratelektrode mit weitem Temperaturbereich (–150°C bis 400°C); 5) 6 MFC kontrollierte Gaslinien, davon mindestens 2 mit Bypass und metallgedichtetem MFC; 6) Rein induktiv gekoppeltes Plasma zur Vermeidung von Defekten und Kontaminationen (Electrostatic Shielding); 7) Probenkühlung durch Helium Rückseitenkühlung; 8) Kleine Schleuse zum schnellen und kontaminationsfreien Transfer; 9) Die Anlage muss dem Sicherheitsstandart zum arbeiten mit chlor- und flurhaltigen Gasen entsprechen; 10) Prozesskammer aus einem vollen Aluminium Block gefertigt; 11) Computergesteuerte Prozessführung; 12) Unterstützung bei der Entwicklung neuer Prozesse (bevorzugt Firmen mit eigenem Applikationslabor); 13) Nachrüstoptionen: — Lizenz für den Bosch Prozess zum tiefen Si Aetzen bei Raumtemperatur, — Gepulste kHz an der Substratelektrode, um "notching" zu vermeiden, — Elektrostatischer chuck; 14) Installation, Inbetriebnahme, und technische Einweisung.

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2010-11-28. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2010-11-17.

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