Lieferung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer

Universität der Bundeswehr München

Die Universität der Bundeswehr plant im Rahmen des DTEC Projekts die Beschaffung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer. Dabei wird ein erprobtes System gesucht, um metallische und dielektrische Schichten mittels sputtern aufzubringen. Die Anlage soll dabei so flexibel sein, dass eine Erweiterung für eine ESV-Verdampfung oder zusätzlichen Targets ohne weiteres oder größeren finanziellen Aufwand möglich ist. Als Substrate werden Siliziumwafer mit den Durchmessern 100 mm und 150 mm verwendet. Dabei werden auch doppelseitig polierte Wafer eingesetzt. Des Weiteren muss es auch möglich sein Bruchstücke bzw. Chips in der Anlage zu prozessieren.
Im Bereich der Halbleitertechnologie ist das Aufbringen von metallischen und dielektrischen Schichten ein wichtiger Bestandteil. Dabei werden Sputteranlagen eingesetzt.
Dabei wird ein Hauptaugenmerk auf die Qualität und Reproduzierbarkeit der Ergebnisse (Homogenität, Reproduzierbarkeit, Schichtdicke) gerichtet. Die Anlage sollte bedienerfreundlich sein, um möglichst einfach und zügig die nötigen Wafer zu bearbeiten.
Neben den prozessrelevanten Details der Anlage ist ebenso die sichere Anwendung für den Bediener zu beachten. Hierbei gilt es zu gewährleisten, dass ein erhöhtes Gefahrenpotential durch mechanische sowie chemische Komponenten ausgeschlossen wird.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2023-06-12. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2023-05-04.

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2023-05-04 Auftragsbekanntmachung
Auftragsbekanntmachung (2023-05-04)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke
Referenznummer: M/HSB1/NT091/EIT2.1/DTEC_HW
Kurze Beschreibung:
Die Universität der Bundeswehr plant im Rahmen des DTEC Projekts die Beschaffung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer. Dabei wird ein erprobtes System gesucht, um metallische und dielektrische Schichten mittels sputtern aufzubringen. Die Anlage soll dabei so flexibel sein, dass eine Erweiterung für eine ESV-Verdampfung oder zusätzlichen Targets ohne weiteres oder größeren finanziellen Aufwand möglich ist. Als Substrate werden Siliziumwafer mit den Durchmessern 100 mm und 150 mm verwendet. Dabei werden auch doppelseitig polierte Wafer eingesetzt. Des Weiteren muss es auch möglich sein Bruchstücke bzw. Chips in der Anlage zu prozessieren. Im Bereich der Halbleitertechnologie ist das Aufbringen von metallischen und dielektrischen Schichten ein wichtiger Bestandteil. Dabei werden Sputteranlagen eingesetzt. Dabei wird ein Hauptaugenmerk auf die Qualität und Reproduzierbarkeit der Ergebnisse (Homogenität, Reproduzierbarkeit, Schichtdicke) gerichtet. Die Anlage sollte bedienerfreundlich sein, um möglichst einfach und zügig die nötigen Wafer zu bearbeiten. Neben den prozessrelevanten Details der Anlage ist ebenso die sichere Anwendung für den Bediener zu beachten. Hierbei gilt es zu gewährleisten, dass ein erhöhtes Gefahrenpotential durch mechanische sowie chemische Komponenten ausgeschlossen wird.
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Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: München, Landkreis 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Ministerium oder sonstige zentral- oder bundesstaatliche Behörde
Name des öffentlichen Auftraggebers: Universität der Bundeswehr München
Postanschrift: Werner-Heisenberg-Weg 39
Postleitzahl: 85579
Postort: Neubiberg
Kontakt
Internetadresse: http://www.evergabe-online.de/ 🌏
E-Mail: unibwmuenchenzvi.3@bundeswehr.org 📧
Telefon: +49 8960043243 📞
Fax: +49 8960044013 📠
URL der Dokumente: https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=516423 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2023-05-04 📅
Einreichungsfrist: 2023-06-12 📅
Veröffentlichungsdatum: 2023-05-08 📅
Datum des Beginns: 2023-09-04 📅
Datum des Endes: 2024-09-30 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2023/S 089-270583
ABl. S-Ausgabe: 89
Zusätzliche Informationen
entfällt

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Die Universität der Bundeswehr plant im Rahmen des DTEC Projekts die Beschaffung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer. Dabei wird ein erprobtes System gesucht, um metallische und dielektrische Schichten mittels sputtern aufzubringen. Die Anlage soll dabei so flexibel sein, dass eine Erweiterung für eine ESV-Verdampfung oder zusätzlichen Targets ohne weiteres oder größeren finanziellen Aufwand möglich ist. Als Substrate werden Siliziumwafer mit den Durchmessern 100 mm und 150 mm verwendet. Dabei werden auch doppelseitig polierte Wafer eingesetzt. Des Weiteren muss es auch möglich sein Bruchstücke bzw. Chips in der Anlage zu prozessieren.
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Im Bereich der Halbleitertechnologie ist das Aufbringen von metallischen und dielektrischen Schichten ein wichtiger Bestandteil. Dabei werden Sputteranlagen eingesetzt.
Dabei wird ein Hauptaugenmerk auf die Qualität und Reproduzierbarkeit der Ergebnisse (Homogenität, Reproduzierbarkeit, Schichtdicke) gerichtet. Die Anlage sollte bedienerfreundlich sein, um möglichst einfach und zügig die nötigen Wafer zu bearbeiten.
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Neben den prozessrelevanten Details der Anlage ist ebenso die sichere Anwendung für den Bediener zu beachten. Hierbei gilt es zu gewährleisten, dass ein erhöhtes Gefahrenpotential durch mechanische sowie chemische Komponenten ausgeschlossen wird.
Geschätzter Gesamtwert: 523 210 EUR 💰
Kurze Beschreibung:
Die Universität der Bundeswehr plant im Rahmen des DTEC Projekts die Beschaffung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer. Dabei wird ein erprobtes System gesucht, um metallische und dielektrische Schichten mittels Sputtern aufzubringen. Die Anlage soll dabei so flexibel sein, dass eine Erweiterung für eine ESV-Verdampfung oder zusätzlichen Targets ohne weiteres oder größeren finanziellen Aufwand möglich ist. Als Substrate werden Siliziumwafer mit den Durchmessern 100 mm und 150 mm verwendet. Dabei werden auch doppelseitig polierte Wafer eingesetzt. Des Weiteren muss es auch möglich sein, Bruchstücke bzw. Chips in der Anlage zu prozessieren.
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Ein Hauptaugenmerk wird auf die Qualität und Reproduzierbarkeit der Ergebnisse (Homogenität, Reproduzierbarkeit, Schichtdicke) gerichtet. Die Anlage sollte bedienerfreundlich sein, um möglichst einfach und zügig die nötigen Wafer zu bearbeiten.
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: Siehe Verzeichnis der Empfängeranschriften

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung:
Auflistung und kurze Beschreibung der Bedingungen:
Mit dem Angebot sollen die Bieter möglichst folgende Unterlagen vorlegen (bei Bietergemeinschaften von jedem Mitglied):
a)Formlose, unterschriebene Eigenerklärung, aus der hervorgeht, dass:
-keine Ausschlussgründe im Sinne der §§ 123, 124 GWB vorliegen bzw. erfolgreiche Selbstreinigungsmaßnahmen im Sinne von § 125 GWB durchgeführt worden sind,
-der Bieter in das einschlägige Berufsregister oder ein vergleichbares Register (Standeskammern etc.) des Herkunftslandes eingetragen ist sowie für seine Berufshaftpflichtversicherung, seine Krankenkasse(n) und seine Berufsgenossenschaft rückstandlos Beiträge entrichtet hat.
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b)Bietergemeinschaften sollen zusätzlich eine Erklärung abgeben, aus der hervorgeht, dass kein Verstoß gegen Kartellrecht vorliegt (z.B. durch Angabe der Gründe, die zur Bildung der Bietergemeinschaft geführt haben) und dass keine unzulässigen wettbewerbsbeschränkenden Absprachen getroffen wurden. Die Abgabe von Angeboten durch Bietergemeinschaften ist nur bei gesamtschuldnerischer Haftung mit bevollmächtigtem Vertreter zulässig. Hierzu ist eine von allen Mitgliedern unterschriebene Vollmacht mittels einer Bewerbergemeinschaftserklärung vorzulegen. Außerdem haben sämtliche Mitglieder der Bietergemeinschaft namentlich mit Anschrift einen bevollmächtigten Vertreter für das Vergabeverfahren sowie Abschluss und Durchführung des Vertrages zu bezeichnen. Bei der Eignungsprüfung wird die
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Bietergemeinschaft als Ganzes beurteilt. Bietergemeinschaften müssen eine(n) einzige(n) Ansprechpartner(in) benennen.
c)Der Auftraggeber behält sich vor, Unterlagen im Rahmen des § 56 Abs. 2 VgV nachzufordern. Hierauf besteht kein Rechtsanspruch.
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
Auflistung und kurze Beschreibung der Eignungskriterien:
Mit dem Angebot sollen die Bieter möglichst folgende Unterlagen vorlegen (bei Bietergemeinschaften von jedem Mitglied):
a)Angabe der Gesamtumsätze der letzten bis zu 3 abgeschlossenen Geschäftsjahre, möglichst durch Jahresabschlüsse und Prüfberichte belegt, sowie die Angabe der Umsätze der letzten 3 Geschäftsjahre mit Leistungen, die mit dem vorliegenden Auftragsgegenstand vergleichbar sind (Lieferung einer Sputteranlage mit Loadlock-Kammer).
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b)Der Auftraggeber behält sich vor, Unterlagen im Rahmen des § 56 Abs. 2 VgV nachzufordern. Hierauf besteht kein Rechtsanspruch.
Technische und berufliche Fähigkeiten:
Auflistung und kurze Beschreibung der Eignungskriterien:
Mit dem Angebot sollen die Bieter möglichst folgende Unterlagen vorlegen (bei Bietergemeinschaften von jedem Mitglied):
a)Formlose, unterschriebene Eigenerklärungen, dass die von dem Bieter gelieferten Sputteranlage mit Loadlock-Kammer mit RoHs und REACH übereinstimmen.
b)Formlose, unterschriebene Eigenerklärung, dass die von dem Bieter gelieferten Sputteranlage mit Loadlock-Kammer keine Teile beinhalten, die den Regelungen des internationalen Waffenhandels (ITAR) unterfallen.
c)Liste von 5 Referenzen der vom Bewerber in den letzten fünf Jahren erbrachten Leistungen. welche mit der zu vergebenden Leistung vergleichbar sind, unter Angabe des genauen Auftrags, der Auftragssumme, des Auftraggebers, der Leistungsart und Leistungszeiträume, der Referenzen mit Ansprechpartnern inkl. Tel.-Nr
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Geforderte Mindeststandards:
Aus den eingereichten Referenzen muss sich ergeben, dass der Bieter in den letzten fünf Jahren mindestens fünf vergleichbare Sputteranlagen mit Loadlock-Kammern geliefert hat. Davon müssen 3 Referenzen aus Deutschland sein.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 13:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2023-07-26 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2023-06-13 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 13:00
Zusätzliche Informationen: entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Kontaktperson: ZV I.3
Dokumente URL: https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=516423 🌏

Referenz
Zusätzliche Informationen
1.Mehrfachangeobte, als Einzelbieter sowie als Mitglied einer/mehrerer Bietergemeinschaften, sind nicht zulässig. Die Angaben zur Zusammensetzung der Bietergemeinschaften sind grundsätzlich bindend. Ein Austausch einzelner Mitglieder der Bietergemeinschaft vor Auftragsvergabe bedarf der Zustimmung des Auftraggebers.
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2.Der Angebotspreis darf maximal 523,210,00 € (Netto) betragen. Die UniBw M behält sich vor, Angebote, die den Kostenrahmen überschreiten vom Verfahren auszuschließen, sowie das Verfahren teilweise oder insgesamt aufzuheben, sollten ausschließlich Angebote oberhalb des Kostenrahmens eingehen.
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Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Bundeskartellamt - Vergabekammer des Bundes
Postanschrift: Villemombler Straße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 2289499-0 📞
E-Mail: vk@bundeskartellamt.bund.de 📧
Fax: +49 2289499-163 📠
Internetadresse: https://www.bundeskartellamt.de/SharedDocs/Kontaktdaten/DE/Vergabekammern.html 🌏
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Genaue Angaben zu den Fristen für die Einlegung von Rechtsbehelfen:
Das Verfahren für Verstöße gegen diese Vergabe richtet sich nach den Vorschriften der §§ 160 ff. des Gesetzes gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB). Zur Wahrung der Fristen wird auf die §§ 160 ff. GWB verwiesen. Insbesondere weisen wir darauf hin, dass der Nachprüfungsantrag gemäß § 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB spätestens 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen
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zu wollen, zu stellen ist. Vergabeverstöße sind nach § 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB vor Einreichen des Nachprüfungsantrags innerhalb von 10 Kalendertagen, nachdem der Bieter den Verstoß erkannt hat, beim Auftraggeber zu rügen. Vergabeverstöße, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, sind gemäß § 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB spätestens bis zum Ablauf der Angebotsfrist bei dem Auftraggeber zu rügen.
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Quelle: OJS 2023/S 089-270583 (2023-05-04)