Lieferung "frei Verwendungsstelle", Installation und Inbetriebnahme einer Cz-Züchtungsanlage für das Züchten von Oxid-Einkristallen. Darüber hinaus: Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall. Die Anlage ermöglicht das Züchten von Oxid-Einkristallen, insbesondere von Ga₂O₃, aus der Schmelze mittels des Czochralski-Verfahrens. Es werden Kristalldurchmesser von mindestens 50 mm (2 Zoll) und maximal 100 mm (4 Zoll) sowie ein Kristallgewicht von bis zu 5 kg erreicht. Der Kristallwachstumsprozess findet in einer doppelwandigen, wassergekühlten Kammer aus Edelstahl statt, in der durch vorheriges Evakuieren und anschließendes Befüllen mit Gasen unterschiedliche Gasatmosphären eingestellt werden. Der Prozess wird bei einem Druck leicht über dem atmosphärischen Druck (ca. 20-50 mbar Überdruck) entweder in einer statischen oder einer strömenden Atmosphäre durchgeführt. Das Ausgangsmaterial in Form von Pulver, Granulat oder Schmelze (z. B. Ga₂O₃) befindet sich in einem Edelmetalltiegel (z. B. Iridium), der direkt durch eine Hochfrequenz-Induktionsspule beheizt wird, die sich im Inneren der Edelstahlkammer befindet. Der Kristallisationsprozess beginnt an einem Impfkristall, der von oben in die Schmelze getaucht wird. Um einen Volumenkristall zu bilden, wird das kristallisierte Material unter Rotation mit einstellbaren Ziehgeschwindigkeiten langsam aus der Schmelze herausgezogen.
Auftragsbekanntmachung (2026-06-23) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027
Referenznummer: IKZ-2026-0017
Kurze Beschreibung:
Lieferung "frei Verwendungsstelle", Installation und Inbetriebnahme einer Cz-Züchtungsanlage für das Züchten von Oxid-Einkristallen.
Darüber hinaus: Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall.
Die Anlage ermöglicht das Züchten von Oxid-Einkristallen, insbesondere von Ga₂O₃, aus der Schmelze mittels des Czochralski-Verfahrens. Es werden Kristalldurchmesser von mindestens 50 mm (2 Zoll) und maximal 100 mm (4 Zoll) sowie ein Kristallgewicht von bis zu 5 kg erreicht. Der Kristallwachstumsprozess findet in einer doppelwandigen, wassergekühlten Kammer aus Edelstahl statt, in der durch vorheriges Evakuieren und anschließendes Befüllen mit Gasen unterschiedliche Gasatmosphären eingestellt werden. Der Prozess wird bei einem Druck leicht über dem atmosphärischen Druck (ca. 20-50 mbar Überdruck) entweder in einer statischen oder einer strömenden Atmosphäre durchgeführt.
Das Ausgangsmaterial in Form von Pulver, Granulat oder Schmelze (z. B. Ga₂O₃) befindet sich in einem Edelmetalltiegel (z. B. Iridium), der direkt durch eine Hochfrequenz-Induktionsspule beheizt wird, die sich im Inneren der Edelstahlkammer befindet. Der Kristallisationsprozess beginnt an einem Impfkristall, der von oben in die Schmelze getaucht wird. Um einen Volumenkristall zu bilden, wird das kristallisierte Material unter Rotation mit einstellbaren Ziehgeschwindigkeiten langsam aus der Schmelze herausgezogen.
Lieferung "frei Verwendungsstelle", Installation und Inbetriebnahme einer Cz-Züchtungsanlage für das Züchten von Oxid-Einkristallen.
Darüber hinaus: Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall.
Die Anlage ermöglicht das Züchten von Oxid-Einkristallen, insbesondere von Ga₂O₃, aus der Schmelze mittels des Czochralski-Verfahrens. Es werden Kristalldurchmesser von mindestens 50 mm (2 Zoll) und maximal 100 mm (4 Zoll) sowie ein Kristallgewicht von bis zu 5 kg erreicht. Der Kristallwachstumsprozess findet in einer doppelwandigen, wassergekühlten Kammer aus Edelstahl statt, in der durch vorheriges Evakuieren und anschließendes Befüllen mit Gasen unterschiedliche Gasatmosphären eingestellt werden. Der Prozess wird bei einem Druck leicht über dem atmosphärischen Druck (ca. 20-50 mbar Überdruck) entweder in einer statischen oder einer strömenden Atmosphäre durchgeführt.
Das Ausgangsmaterial in Form von Pulver, Granulat oder Schmelze (z. B. Ga₂O₃) befindet sich in einem Edelmetalltiegel (z. B. Iridium), der direkt durch eine Hochfrequenz-Induktionsspule beheizt wird, die sich im Inneren der Edelstahlkammer befindet. Der Kristallisationsprozess beginnt an einem Impfkristall, der von oben in die Schmelze getaucht wird. Um einen Volumenkristall zu bilden, wird das kristallisierte Material unter Rotation mit einstellbaren Ziehgeschwindigkeiten langsam aus der Schmelze herausgezogen.
1 Leistungseinheit umfassend: Lieferung der Anlage "frei Verwendungsstelle", Installation, Inbetriebnahme, Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall.
Zusätzliche Informationen:
Das Projekt wird aus Mitteln des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) gefördert. Projekt-Nr.: EFRE 1.6/22.
Dauer: 12 Monate Vergabekriterien
Preis ✅
Preis (Gewichtung): 100.00
Titel
Los-Identifikationsnummer: LOT-0000 Beschreibung
Ort der Leistung: Berlin
🏙️
Postanschrift: Max-Born-Straße 2
Postleitzahl: 12489
Stadt: Berlin
Land: Deutschland 🇩🇪
Verfahren Art des Verfahrens
Offenes Verfahren ✅
Rechtsgrundlage: Richtlinie 2014/24/EU
Administrative Informationen
Frist für den Eingang von Angeboten oder Teilnahmeanträgen: 2026-07-29 09:00:00 📅
Bedingungen für die Öffnung der Angebote: 2026-07-29 09:01:00 📅
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Mindestzeitraum, in dem der Bieter das Angebot aufrechterhalten muss: 2 Monate Bedingungen für die Einreichung eines Angebots
Die Bieter können mehrere Angebote einreichen
Eröffnungstermin: 2026-07-29 09:01:00 📅
Elektronische Rechnungsstellung: Zulässig
Die elektronische Bestellung wird verwendet ✅
Elektronische Zahlung wird verwendet ✅
Zusätzliche Informationen:
Folgende Unterlagen müssen ausgefüllt und im Bietercockpit hochgeladen werden:
- Erklärungen zu Ausschlussgründen_VgV_25
- Erklärung gem. § 1 Abs. 2 der Frauenförderverordnung
- Bieterangaben_Wettbewerbsregister
- Eigenerklärung-VO-2022-833
Folgende Unterlagen müssen ausgefüllt und im Bietercockpit hochgeladen werden nur, sofern zutreffend:
- Erklärung_Bieter_Bewerbergemeinschaft
- Unterauftragnehmer_Eignungsleihe_VgV_UVgO
- Verpflichtungserklaerung_anderer_Unternehmer
Folgende Unterlagen müssen ausgefüllt und im Bietercockpit hochgeladen werden:
- Erklärungen zu Ausschlussgründen_VgV_25
- Erklärung gem. § 1 Abs. 2 der Frauenförderverordnung
- Bieterangaben_Wettbewerbsregister
- Eigenerklärung-VO-2022-833
Folgende Unterlagen müssen ausgefüllt und im Bietercockpit hochgeladen werden nur, sofern zutreffend:
- Erklärung_Bieter_Bewerbergemeinschaft
- Unterauftragnehmer_Eignungsleihe_VgV_UVgO
- Verpflichtungserklaerung_anderer_Unternehmer
Vergabekriterien
Gewichtungsart: Gewichtung (Prozentanteil, genau)
Bedingungen für die Einreichung eines Angebots
Der Vertrag enthält Bedingungen zur Vertragsausführung ✅
Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen Bedingungen für die Teilnahme
Eignungskriterium: Referenzen zu bestimmten Lieferungen
Liste und kurze Beschreibung der Regeln und Kriterien:
Nachweis (im "Fragebogen zur Eignungspruefung") von mindestens einer Referenz, die folgende Leistung bestätigt:
eine erfolgreiche Lieferung und Inbetriebnahme einer Schmelzzüchtungsanlage (z. B. Cz, FZ) für Halbleiter-Einkristalle bei Temperaturen > 1000°C von vergleichbarer Komplexität. Die Referenzen dürfen maximal aus den letzten 3 Jahren (Jahr der Inbetriebnahme) stammen (gerechnet rückwirkend ab dem Datum der Bekanntmachung zu dieser Ausschreibung).
Eine Referenz muss folgende Angaben enthalten:
a) Name des Auftraggebers
b) Jahr der Inbetriebnahme
c) Kurzbeschreibung des Auftrags
Wir behalten uns vor, für die ausgewählten Referenzen die Kontaktdaten des Referenzgebers von den Bietern gesondert nachzufordern. Sollte dieser Nachforderung nicht bis zur gewährten Frist nachgekommen sein, wird das Angebot von der Wertung zwingend ausgeschlossen. Referenzen, die einer Nachprüfung nicht standhalten, führen zum Ausschluss des Angebotes vom Vergabeverfahren.
Liste und kurze Beschreibung der Regeln und Kriterien
Nachweis (im "Fragebogen zur Eignungspruefung") von mindestens einer Referenz, die folgende Leistung bestätigt:
eine erfolgreiche Lieferung und Inbetriebnahme einer Schmelzzüchtungsanlage (z. B. Cz, FZ) für Halbleiter-Einkristalle bei Temperaturen > 1000°C von vergleichbarer Komplexität. Die Referenzen dürfen maximal aus den letzten 3 Jahren (Jahr der Inbetriebnahme) stammen (gerechnet rückwirkend ab dem Datum der Bekanntmachung zu dieser Ausschreibung).
Eine Referenz muss folgende Angaben enthalten:
a) Name des Auftraggebers
b) Jahr der Inbetriebnahme
c) Kurzbeschreibung des Auftrags
Wir behalten uns vor, für die ausgewählten Referenzen die Kontaktdaten des Referenzgebers von den Bietern gesondert nachzufordern. Sollte dieser Nachforderung nicht bis zur gewährten Frist nachgekommen sein, wird das Angebot von der Wertung zwingend ausgeschlossen. Referenzen, die einer Nachprüfung nicht standhalten, führen zum Ausschluss des Angebotes vom Vergabeverfahren.
Bedingungen für den Vertrag
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Es bestehen gesonderte Anforderungen nach dem Berliner Ausschreibungs- und Vergabegesetz (BerlAVG), siehe Vergabeunterlagen.
Bedingungen für die Teilnahme
Ausschlussgrund:
Beteiligung an einer kriminellen Vereinigung
Betrug
Der Zahlungsunfähigkeit vergleichbare Lage gemäß nationaler Rechtsvorschriften
+ 18 weitere
Direkte oder indirekte Beteiligung an der Vorbereitung des Vergabeverfahrens
Einstellung der gewerblichen Tätigkeit
Geldwäsche oder Terrorismusfinanzierung
Interessenkonflikt aufgrund seiner Teilnahme an dem Vergabeverfahren
Kinderarbeit und andere Formen des Menschenhandels
Korruption
Schwerwiegendes berufliches Fehlverhalten
Terroristische Straftaten oder Straftaten im Zusammenhang mit terroristischen Aktivitäten
Täuschung, Zurückhaltung von Informationen, Unfähigkeit zur Vorlage erforderlicher Unterlagen oder Erlangung vertraulicher Informationen zu dem Verfahren
Vereinbarungen mit anderen Wirtschaftsteilnehmern zur Verzerrung des Wettbewerbs
Verstoß gegen arbeitsrechtliche Verpflichtungen
Verstoß gegen die Verpflichtung zur Entrichtung von Sozialversicherungsbeiträgen
Verstoß gegen die Verpflichtung zur Entrichtung von Steuern
Verstoß gegen sozialrechtliche Verpflichtungen
Verstoß gegen umweltrechtliche Verpflichtungen
Verwaltung der Vermögenswerte durch einen Insolvenzverwalter
Vorzeitige Beendigung, Schadensersatz oder andere vergleichbare Sanktionen
Zahlungsunfähigkeit
Beschreibung der Ausschlussgründe: s. "Erklärungen zu Ausschlussgründen_VgV_25"
Die genaue Bindefrist der Angebote ist in der "Aufforderung zur Angebotsabgabe" aufgeführt.
Die Angebotsunterlagen sind in der deutschen Sprache einzureichen.
Das maximale zur Verfügung stehende Budget für die gesamte Leistung beträgt 520.000 EUR netto. Angebote, die diesen Betrag überschreiten, werden von der Wertung ausgeschlossen.
Die genaue Bindefrist der Angebote ist in der "Aufforderung zur Angebotsabgabe" aufgeführt.
Die Angebotsunterlagen sind in der deutschen Sprache einzureichen.
Das maximale zur Verfügung stehende Budget für die gesamte Leistung beträgt 520.000 EUR netto. Angebote, die diesen Betrag überschreiten, werden von der Wertung ausgeschlossen.
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Landes Berlin
Nationale Registrierungsnummer: 11-1300000V00-74
Postanschrift: Martin-Luther-Straße 105
Postleitzahl: 10825
Postort: Berlin
Region: Berlin
🏙️
Land: Deutschland 🇩🇪
E-Mail: vergabekammer@senweb.berlin.de📧
Telefon: +49 3090138316📞
Fax: +49 30 90285300 📠
URL: http://www.berlin.de/🌏 Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können Wie: Name und Adressen Verfahren zur Überprüfung
Genaue Informationen über Fristen für Überprüfungsverfahren:
Innerhalb von 15 Kalendertagen nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, kann ein Nachprüfverfahren bei der Vergabekammer beantragt werden (§ 160 Abs. 3 Nr. 4 GWB).
Informationen über elektronische Arbeitsabläufe
Die elektronische Rechnungsstellung wird akzeptiert
Bekanntmachungsangaben
Bevorzugtes Datum der Veröffentlichung: 2026-06-23+02:00 📅
Quelle: OJS 2026/S 120-434008 (2026-06-23)