UV-Belichtungsanlage für Wafer

Max-Planck-Institut für extraterrestrische Physik

Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 31515000, 32333000, 33195100, 33261000. EU-02/99 (bitte stets angeben). 1 LE. UV-Belichtungsanlage für 100 mm und 150 mm Wafer: (1) Einsatz und Betriebsbedingung: Reinraumtauglichkeit Klasse 1, Grauraumteil Klasse 1000; (2) Anlagengröße maximal: 1 300×1 200×1 800 mm (L×T×H); (3) Anlagenbeschreibung: vollautomatischer Wafertransport in und aus Halbleiterstandardkassetten, begrenzter Kontaktbereich zwischen Wafer und allen Anlagenstationen nach Angabe, Wafervorjustage, Vorder- und Rückseitenjustage, Keilfehlerausgleich im Proximity-Modus, Belichtungsmoden: Proximity, Softkontakt, Hardkontakt, UV-Belichtungslampe (UV 400 und UV 300) und beugungsreduzierte Optik, Betriebsart der Lampe: konstante Intensität und konstante Leistung, Überwachung der Lampenleistung und Lampenabschaltung bei überhöhter Leistung, Splitfield Mikroskop mit automatischem Objektivrevolver für mind. 3 Objektive und Autofokus, Video und Monitor; (4) optionale Zusatzausrüstung: automatische Justierung; (5) Prozeßwafer: 25 Wafer pro Batch ø 100 mm und ø 150 mm, Prozeßnachweis Wafer mit Standardlack (1 ìm Dicke) und Proximity-Belichtungsmode; (6) Vorjustagegenauigkeit <60 ìm; (7) Justagegenauigkeit einseitig <0.3 ìm; (8) Justagegenauigkeit Vorderseite zu Rückseite <2 ìm; (9) Strukturgrößen < 2ìm.

Die Frist für den Eingang der Angebote war 1999-03-01. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 1999-02-18.

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