Werkzeugmaschinen für die Metallbearbeitung

Karlsruher Institut für Technologie (KIT) – Campus Nord

Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: Sputter- / Plasma CVD Beschichtungsanlage. Kombinierte Sputter- / Plasma CVD Beschichtungsanlage mit folgenden Anforderungen: 1.) Rezipient — Volumen innen ca. Ø x H = 600 mm x 600 mm, — Tür mit Öffnung ca. 600 mm x 600 mm, — Integrierte Wasserkühlung, — 4 Rechteckflansche für Magnetron- und Plasmaquellen seitlich, — 2 Flansche DN250 ISO K K oben/unten für Pumpstand und Drehantrieb, — 2 Flansche ISO KF 100 für Viewports, — 3 Flansche ISO KF 40, 3 Flansche ISO KF 25 für Durchführungen, — Blendensystem zur Vermeidung unbeabsichtigter Beschichtung, — 2 verschiedene Substrathalter für ebene bzw. rotationssymmetrische Substrate: (1.) Drehbarer Substrathalter zur Aufnahme von ebenen Substraten mit max. 200 mm x 400 mm; (2.) Planetengetriebe mit 6 Positionen zur allseitigen Beschichtung von zylinderförmigen Substraten mit max. Ø x L = 50 mm x 400 mm. — Beide Substrathalter biasfähig (DC und MF). 2.) Vakuumsystem, Druckmessung und Gasversorgung — dreistufiges Pumpsystem: (A) Drehschieberpumpe (Saugleistung 60 m³/h); (B) Rootspumpe (Saugleistung 500 m³/h); (C) Turbomolekularpumpe (Saugleistung 1500 l/s). — Saugleistung elektronisch gesteuert über Pumpsystem und Drosselblende, — Vakuummessung mit Wide-range Messsystem, — Prozessdruckmessung mit kapazitivem Vakuummeter, — 6 Massflowcontroller (MFC) für Ar, H2, N2, O2, Kohlenwasserstoffe und Silane, — Basisvakuum mindestens 10 hoch -4 Pa. 3.) Komponenten für die Sputterbeschichtung — 2 Magnetronquellen für Targets 125 mm x 375 mm mit DC- bzw. MF-Stromversorgung, — Abdeckung der Magnetrons gegen unbeabsichtigte Beschichtung durch Blenden. 4.) Komponenten für die Plasma-CVD — Lineare Plasmaquelle 125 mm x 375 mm mit Stromversorgung (wahlweise MF oder HF). 5.) Anlagensteuerung und Rezepturen — Vollautomatischer Betrieb der Anlage (wahlweise auch manueller Betrieb), — PC mit Windows-Betriebssystem und Soft-SPS, — Rezepturen für die Abscheidung von 3 Metallen (hohe Dichte, Pd, Pt, Ta) mittels Sputtern, — Rezepturen für die Abscheidung von 3 nanoporösen Metallen (niedrige Dichte) mittels Sputtern, — Rezeptur für die Abscheidung einer Metallverbindung (Oxid oder Nitrid) mittels Sputtern, — Rezeptur für die Abscheidung einer siliziumhaltigen hydrophoben Plasma-CVD Beschichtung, — Rezeptur für die Abscheidung einer DLC (diamond-like carbon) Plasma-CVD Beschichtung, — Rezepte sind editierbar und können modifiziert werden. Die vollständigen Verdingungsunterlagen sind bei der angegebenen Kontaktstelle unter Angabe des Aktenzeichens Nr. 240/35104671 anzufordern.

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2009-12-17. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2009-11-04.

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