CMP-Polisher
Die CMP-Anlage soll verwendet werden zur Planarisierung dicker Cu-Deckschichten nach TSV-Füllen und zur.
Dielektrika/Cu-Schichtplanarisierung inklusive Polymere auf der Wafervorderseite. Die Geräteumrüstung sowohl zwischen 200 mm und 150 mm Wafergröße als auch zwischen verschiedenen Prozessen muss mit angemessenem Aufwand möglich sein. Die Realisierung beider Planarisationsprozesse auf der Waferrückseite ist ebenfalls erforderlich. Zu diesem Zweck werden ultradünne Wafer temporär auf Trägerwafer derartig gebondet, dass die gedünnte Waferrückseite zur Prozessierung frei liegt. Optional kann der CMP-Prozess kontrolliert werden über die Anzeige der verbleibenden Schichtdicke und Endpunktdetektion für spezielle Barrieremetallisierungen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2012-11-16.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2012-10-02.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2012-10-02
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Auftragsbekanntmachung
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| 2012-10-15
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Ergänzende Angaben
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| 2013-01-17
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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