Forschungsanlage zum reaktiven Ionenstrahl-Ätzen (RIBE-reactive ion beam etching)
Die reaktive Ionen-Strahl Ätzanlage (kurz „RIBE“) (RIBE: reactive ion beam etching) soll zur Übertragung von mikro- und nanostrukturierten Ätzmasken in Substratmaterialien angewendet werden. Die Anlage muss wahlweise im rein physikalischen Modus (reines „IBE“ ion beam etching, ohne chemisch reaktive Komponente) oder im reaktiven Modus (RIBE-Modus) betrieben werden können. Als Ätzmasken sollen lithografisch strukturierte Resistmaterialien, strukturierte Metallmasken (z. B. Chrommasken) oder Mikro- und Nanostrukturen die über selbstorganisierte Prozesse entstanden sind Verwendung finden.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-01-12.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-11-17.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-11-17
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-03-20
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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