ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika
ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika
- ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern.
- ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz).
Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz).
Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa).
- Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt zwischen Elektrode und Wafer. Sollwert des He-Drucks variabel einstellbar. Regelbereich: 0 Pa bis ≥ 1000 Pa.
Elektrode mit schneller Temperaturregelung auch bei laufendem Prozess.
Regelbereich der Elektrodentemperatur: - 20 °C bis + 200 °C.
- Reaktor: Magnetisch gelagerte Turbomolekularpumpe + trockene Vorvakuumpumpe.
Schnelle Regelung des Reaktordrucks bei laufendem Prozess. Bereich: 0,2 Pa bis > 3,0 Pa.
- Vakuumtransferschleuse mit Roboter-Waferhandler für hohen Probendurchsatz. Loadlock mit automatisiertem Kassettensystem für mind. 12 Wafer.
- 6 geregelte Gaslinien für nicht korrosive Gase (SF6, CF4, O2, Ar, N2, He).
- Anzeige aller Prozessparameter (Sollwerte- und Istwerte): Gasflüsse, Reaktordruck, Drosselposition, HF-Leistung ICP-Quelle, HF-Leistung Elektrode, Reflektierte Leistungen, Matching Positionen, Bias-Spannung, Elektrodentemperatur, He-Druck, Heizleistung, Prozesszeit, Prozesskammer-Vakuum, Transferkammer-Vakuum, Loadlock-Vakuum.
- Das System verfügt über ein Datalogging in welchem sämtliche oben aufgeführten Prozessparameter kontinuierlich gespeichert und jeweils in Echtzeit in fein aufgelösten Kurven grafisch dargestellt werden. Software bietet Möglichkeit zur einfachen und schnellen Erstellung von Ätzrezepten.
- Max. zur Verfügung stehende Reinraum-Stellfläche für Anlage: 1,50 m x 2,70 m
Sehr gute Zugänglichkeit aller Anlagen-Komponenten für Wartungs- und Reparaturarbeiten.
- Homogenität der Ätzrate besser ± 3 %. Reproduzierbarkeit der Ätzrate besser ± 5 %. Jeweils 20 Messpositionen über 3“-Wafer. Demonstration an 5 Testwafern mit folgendem Prozess:
1).Strukturierung von SiN-Passivierungen in 7 µm tiefen Vias (Durchmesser Nitridöffnung: 2 µm, Durchmesser Via: 4 µm. Schichtdicke SiN: 200 nm, Prozessgas: SF6).
Ätzrate für SiN-Ätzung: ≥ 100 nm/min.
- Die Anlage muß spätestens 14 Tage nach Abschluß der Installationsarbeiten (vorher vereinbarter Termin) betriebsbereit sein.
- Schnelle Reaktionszeiten bei auftretenden technischen Problemen. Rückmeldung am selben Tag erwünscht. Versand von verfügbaren Ersatzteilen spätestens am darauffolgenden Tag erwünscht. Technische Probleme sollen innerhalb einer Woche gelöst und behoben werden.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-05-18.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-04-01.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2015-04-01
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-05-12
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Ergänzende Angaben
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| 2015-07-07
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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