Anbieter: Sentech GmbH
13 archivierte Beschaffungen
Sentech GmbH war in der Vergangenheit ein Lieferant von laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser), industrielle Maschinen und maschinen für allgemeine und besondere Zwecke.
Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter Sentech GmbH erwähnt wird
2022-09-08
Reaktive Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (RIE ICP) (Ludwig-Maximilians-Universität München)
Lieferung einer reaktiven Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (RIE ICP), Ludwig-Maximilians-Universität München Ansicht der Beschaffung »
Lieferung einer reaktiven Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (RIE ICP), Ludwig-Maximilians-Universität München Ansicht der Beschaffung »
2021-06-29
Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool (Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.)
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus. Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können. Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) … Ansicht der Beschaffung »
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus. Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können. Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) … Ansicht der Beschaffung »
2020-08-20
Plasmaätzanlage für Fluorchemie (Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.)
— Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien aus. — Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen ätzen lassen. — Es sind mit dieser Anlage Strukturübertragungen bis in den tiefen Submikrometerbereich auszuführen und es soll eine Homogenität der Prozesse von ca. 5 % über einer Fläche von 150 mm … Ansicht der Beschaffung »
— Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien aus. — Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen ätzen lassen. — Es sind mit dieser Anlage Strukturübertragungen bis in den tiefen Submikrometerbereich auszuführen und es soll eine Homogenität der Prozesse von ca. 5 % über einer Fläche von 150 mm … Ansicht der Beschaffung »
2019-08-09
Clusterfähige PEALD/ICPECVD (Universität Duisburg-Essen)
Clusterfähige Anlagenkombination aus einer ICPECVD und einer PEALD Siehe Leistungsbeschreibung. Ansicht der Beschaffung »
Clusterfähige Anlagenkombination aus einer ICPECVD und einer PEALD Siehe Leistungsbeschreibung. Ansicht der Beschaffung »
2019-02-28
Lieferung einer Anlage für Reaktives Ionenätzen (RIE) (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung einer Anlage für Reaktives Ionenätzen (RIE) (s. Vergabeunterlagen). Ansicht der Beschaffung »
Lieferung einer Anlage für Reaktives Ionenätzen (RIE) (s. Vergabeunterlagen). Ansicht der Beschaffung »
2017-08-10
ALD-Anlage zur hermetischen Passivierung von photonischen III/V Komponenten (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe)
Aus einem Stück gefertigter, bis 50 °C elektrisch geheizt und temperaturgeregelter Aluminium-Reaktor (gut von oben zugänglich für eine schnelle und einfache mechanische Reaktorreinigung oder Wartung) – flache, ebene, hocheffiziente, schnell schaltbare ICP-Quelle für ein direktes (kein Remote), stabil brennendes und pulsbares Plasma – höhenverstellbare, elektrisch isolierte sowie bis 300 °C geheizt und temperaturstabilisierte Substratelektrode für Substrate und Träger bis max. 200 mm Durchmesser … Ansicht der Beschaffung »
Aus einem Stück gefertigter, bis 50 °C elektrisch geheizt und temperaturgeregelter Aluminium-Reaktor (gut von oben zugänglich für eine schnelle und einfache mechanische Reaktorreinigung oder Wartung) – flache, ebene, hocheffiziente, schnell schaltbare ICP-Quelle für ein direktes (kein Remote), stabil brennendes und pulsbares Plasma – höhenverstellbare, elektrisch isolierte sowie bis 300 °C geheizt und temperaturstabilisierte Substratelektrode für Substrate und Träger bis max. 200 mm Durchmesser … Ansicht der Beschaffung »
2017-03-21
Thermische und Plasma-unterstützte Atomlagenabscheideanlage (Technische Universität Chemnitz)
Lieferung und Installation einer thermischen und Plasma-unterstützten Atomlagenabscheideanlage (PE-ALD) für das Beschichten von Proben mit diversen Materialien, hauptsächlich Metalloxiden. Die Beschichtungsanlage muss als eine Ein–Kammer–Loadlock-Anlage zur Beschichtung von Substraten mittels PE-ALD aufgebaut sein. Ansicht der Beschaffung »
Lieferung und Installation einer thermischen und Plasma-unterstützten Atomlagenabscheideanlage (PE-ALD) für das Beschichten von Proben mit diversen Materialien, hauptsächlich Metalloxiden. Die Beschichtungsanlage muss als eine Ein–Kammer–Loadlock-Anlage zur Beschichtung von Substraten mittels PE-ALD aufgebaut sein. Ansicht der Beschaffung »
2016-04-14
E_066_234756 cl-bla – ALD Beschichtungsanlage zur Herstellung dielektrischer Schichten für Optiken (Fraunhofer Gesellschaft e. V.)
Kurzspezifikation ALD Beschichtungsanlage zur Herstellung dielektrischer Schichten für die Optik Ansicht der Beschaffung »
Kurzspezifikation ALD Beschichtungsanlage zur Herstellung dielektrischer Schichten für die Optik Ansicht der Beschaffung »
2015-04-01
ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika (Fraunhofer Gesellschaft e. V.)
ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika - ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern. - ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz). Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz). Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa). - Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt … Ansicht der Beschaffung »
ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika - ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern. - ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz). Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz). Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa). - Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt … Ansicht der Beschaffung »
2015-01-28
Herstellung, Lieferung und Aufbau einer Beschichtungsanlage nach der... (Hochschule für Technik und Wirtschaft des Saarlandes)
Herstellung, Lieferung und Aufbau einer PECVD-Beschichtungsanlage mit dazugehöriger Gasversorgungsanlage. Ansicht der Beschaffung »
Herstellung, Lieferung und Aufbau einer PECVD-Beschichtungsanlage mit dazugehöriger Gasversorgungsanlage. Ansicht der Beschaffung »
2014-10-06
Universität zu Köln – Gasphasenabscheidungsanlage (CVD) (Universität zu Köln)
Herstellung, Lieferung und Installation einer Gasphasenabscheidungsanlage (CVD). Ansicht der Beschaffung »
Herstellung, Lieferung und Installation einer Gasphasenabscheidungsanlage (CVD). Ansicht der Beschaffung »
2014-04-23
Ätzanlage (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V.)
Die Ausschreibung zielt auf die Beschaffung eines reaktiven Ionen Ätzers mit induktiv eingekoppeltem Plasma (ICP-RIE), zur anisotropen Ätzung von Halblautersubstraten, insbesondere Silizium. Zum Leistungsumfang gehören Lieferung, Installation, Inbetriebnahme, Einweisung, 24 Monate Gewährleistung sowie kostenlose Software-Updates innerhalb der ersten 24 Monate nach Inbetriebnahme. Die Ätzanlage muss folgende Mindestanforderungen erfüllen: — CE Zertifizierung, — Strukturierung von SI Nanostrukturen, — … Ansicht der Beschaffung »
Die Ausschreibung zielt auf die Beschaffung eines reaktiven Ionen Ätzers mit induktiv eingekoppeltem Plasma (ICP-RIE), zur anisotropen Ätzung von Halblautersubstraten, insbesondere Silizium. Zum Leistungsumfang gehören Lieferung, Installation, Inbetriebnahme, Einweisung, 24 Monate Gewährleistung sowie kostenlose Software-Updates innerhalb der ersten 24 Monate nach Inbetriebnahme. Die Ätzanlage muss folgende Mindestanforderungen erfüllen: — CE Zertifizierung, — Strukturierung von SI Nanostrukturen, — … Ansicht der Beschaffung »
2014-04-15
Lieferung und betriebsbereite Aufstellung eines Ätz- und Beschichtungsclusters (Technische Hochschule Wildau [FH])
Lieferung und betriebsbereite Aufstellung eines Clusters mit einem Beschichtungsmodul und einem Ätzmodul inkl. Transferkammer mit Beladeschleuse für die Beschichtung und Strukturierung verschiedener Substrate. Ansicht der Beschaffung »
Lieferung und betriebsbereite Aufstellung eines Clusters mit einem Beschichtungsmodul und einem Ätzmodul inkl. Transferkammer mit Beladeschleuse für die Beschichtung und Strukturierung verschiedener Substrate. Ansicht der Beschaffung »