Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool

Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2021-08-03. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2021-06-29.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• Sentech GmbH

Wer?

• Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.

Wie?

• Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)

Wo?

• Thüringen › Jena, Kreisfreie Stadt

Geschichte der Beschaffung

Datum	Dokument
2021-06-29	Auftragsbekanntmachung
2021-08-23	Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Auftragsbekanntmachung (2021-06-29)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
Referenznummer: 02.21.O.00
Kurze Beschreibung:

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus. Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können. Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD. Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden. — Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.

Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Jena, Kreisfreie Stadt 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.
Postanschrift: Albert-Einstein-Straße 9
Postleitzahl: 07745
Postort: Jena
Kontakt
Internetadresse: http://www.leibniz-ipht.de 🌏
E-Mail: ipht-ausschreibungen@leibniz-ipht.de 📧
URL der Dokumente: https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXP4YBRRHS3/documents 🌏
URL der Teilnahme: https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXP4YBRRHS3 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2021-06-29 📅
Einreichungsfrist: 2021-08-03 📅
Veröffentlichungsdatum: 2021-07-02 📅
Datum des Endes: 2022-08-31 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2021/S 126-331236
ABl. S-Ausgabe: 126
Zusätzliche Informationen
Bekanntmachungs-ID: CXP4YBRRHS3

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.

Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.

Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.

Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.

— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.

Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1 nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.

Beschreibung der Optionen:

Optionen bitte separat auspreisen.

PE-ALD Modul:

— Zweiter Satz Liner,

— Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil,

— Prozessieren durch thermische ALD,

— Ellipsometrieanalysepaket,

— Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung,

— Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650

PVD Modul:

— Heizung des Substrattisches >= 300

Alternatives PECVD-Modul:

— HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box),

— Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster,

— Zweiter Satz Liner.

Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:

Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.

Albert-Einstein-Straße 9

07745 Jena

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:

— Besonderen Vertragsbedingungen für Lieferleistungen des Leibniz-IPHT Jena,

— Eigenerklärungen gemäß ThürVgG,

— Eigenerklärung für nicht präqualifizierte Unternehmen.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 13:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Englisch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2021-09-12 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2021-08-03 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 13:00

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: eingetragener Verein
Kontakt
Dokumente URL: https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXP4YBRRHS3/documents 🌏

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer beim Thüringer Landesverwaltungsamt
Postanschrift: Weimarplatz 4
Postort: Weimar
Postleitzahl: 99423
Land: Deutschland 🇩🇪
Quelle: OJS 2021/S 126-331236 (2021-06-29)

Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2021-08-23)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Gesamtwert des Auftrags: 1 086 937 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Leibniz-Institut für Photonische Technologien
Kontakt
Internetadresse: https://www.leibniz-ipht.de 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2021-08-23 📅
Veröffentlichungsdatum: 2021-08-27 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2021/S 166-433387
Verweist auf Bekanntmachung: 2021/S 126-331236
ABl. S-Ausgabe: 166

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.

Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.

Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.

Beschreibung der Optionen:

6 Optionen (Bitte separat auspreisen)

- Zweiter Satz Liner

- Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil

- Prozessieren durch thermische ALD

- Ellipsometrieanalysepaket

- Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung

- Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 °C

- Heizung des Substrattisches ≥ 300 °C

- HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box)

- Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster

Verfahren
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): technische Spezifikationen
Qualitätskriterium (Gewichtung): 75%
Preis (Gewichtung): 25%

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2021-08-23 📅
Name: Sentech GmbH
Postanschrift: Konrad-Zuse-Bogen 13
Postort: Krailling
Postleitzahl: 82152
Land: Deutschland 🇩🇪
Starnberg 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 1 086 937 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: eingetragener Verein, Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft
Quelle: OJS 2021/S 166-433387 (2021-08-23)

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