ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika
- ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern.
- ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz).
Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz).
Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa).
- Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt zwischen Elektrode und Wafer. Sollwert des He-Drucks variabel einstellbar. Regelbereich: 0 Pa bis ≥ 1000 Pa.
Elektrode mit schneller Temperaturregelung auch bei laufendem Prozess.
Regelbereich der Elektrodentemperatur: - 20 °C bis + 200 °C.
- Reaktor: Magnetisch gelagerte Turbomolekularpumpe + trockene Vorvakuumpumpe.
Schnelle Regelung des Reaktordrucks bei laufendem Prozess. Bereich: 0,2 Pa bis > 3,0 Pa.
- Vakuumtransferschleuse mit Roboter-Waferhandler für hohen Probendurchsatz. Loadlock mit automatisiertem Kassettensystem für mind. 12 Wafer.
- 6 geregelte Gaslinien für nicht korrosive Gase (SF6, CF4, O2, Ar, N2, He).
- Anzeige aller Prozessparameter (Sollwerte- und Istwerte): Gasflüsse, Reaktordruck, Drosselposition, HF-Leistung ICP-Quelle, HF-Leistung Elektrode, Reflektierte Leistungen, Matching Positionen, Bias-Spannung, Elektrodentemperatur, He-Druck, Heizleistung, Prozesszeit, Prozesskammer-Vakuum, Transferkammer-Vakuum, Loadlock-Vakuum.
- Das System verfügt über ein Datalogging in welchem sämtliche oben aufgeführten Prozessparameter kontinuierlich gespeichert und jeweils in Echtzeit in fein aufgelösten Kurven grafisch dargestellt werden. Software bietet Möglichkeit zur einfachen und schnellen Erstellung von Ätzrezepten.
- Max. zur Verfügung stehende Reinraum-Stellfläche für Anlage: 1,50 m x 2,70 m
Sehr gute Zugänglichkeit aller Anlagen-Komponenten für Wartungs- und Reparaturarbeiten.
- Homogenität der Ätzrate besser ± 3 %. Reproduzierbarkeit der Ätzrate besser ± 5 %. Jeweils 20 Messpositionen über 3“-Wafer. Demonstration an 5 Testwafern mit folgendem Prozess:
1).Strukturierung von SiN-Passivierungen in 7 µm tiefen Vias (Durchmesser Nitridöffnung: 2 µm, Durchmesser Via: 4 µm. Schichtdicke SiN: 200 nm, Prozessgas: SF6).
Ätzrate für SiN-Ätzung: ≥ 100 nm/min.
- Die Anlage muß spätestens 14 Tage nach Abschluß der Installationsarbeiten (vorher vereinbarter Termin) betriebsbereit sein.
- Schnelle Reaktionszeiten bei auftretenden technischen Problemen. Rückmeldung am selben Tag erwünscht. Versand von verfügbaren Ersatzteilen spätestens am darauffolgenden Tag erwünscht. Technische Probleme sollen innerhalb einer Woche gelöst und behoben werden.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-05-18. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-04-01.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• Sentech GmbH

Wer?

• Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Wie?

• Maschinen für allgemeine und besondere Zwecke › Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

Wo?

• Freiburg › Freiburg im Breisgau, Stadtkreis

Geschichte der Beschaffung

Datum	Dokument
2015-04-01	Auftragsbekanntmachung
2015-05-12	Ergänzende Angaben
2015-07-07	Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Auftragsbekanntmachung (2015-04-01)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Menge oder Umfang: 1 Stück.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke 📦

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft e. V.
Postanschrift: Hansastr. 27c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-04-01 📅
Einreichungsfrist: 2015-05-18 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-04-04 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 067-118598
ABl. S-Ausgabe: 67
Zusätzliche Informationen

Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nichtberücksichtigte Angebote (VOL/A § 22 EG). Die Nutzung der Plattform www.deutsche-evergabe.de ist kostenpflichtig.

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika

- ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern.

- ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz).

Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz).

Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa).

- Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt zwischen Elektrode und Wafer. Sollwert des He-Drucks variabel einstellbar. Regelbereich: 0 Pa bis ≥ 1000 Pa.

Elektrode mit schneller Temperaturregelung auch bei laufendem Prozess.

Regelbereich der Elektrodentemperatur: - 20 °C bis + 200 °C.

- Reaktor: Magnetisch gelagerte Turbomolekularpumpe + trockene Vorvakuumpumpe.

Schnelle Regelung des Reaktordrucks bei laufendem Prozess. Bereich: 0,2 Pa bis > 3,0 Pa.

- Vakuumtransferschleuse mit Roboter-Waferhandler für hohen Probendurchsatz. Loadlock mit automatisiertem Kassettensystem für mind. 12 Wafer.

- 6 geregelte Gaslinien für nicht korrosive Gase (SF6, CF4, O2, Ar, N2, He).

- Anzeige aller Prozessparameter (Sollwerte- und Istwerte): Gasflüsse, Reaktordruck, Drosselposition, HF-Leistung ICP-Quelle, HF-Leistung Elektrode, Reflektierte Leistungen, Matching Positionen, Bias-Spannung, Elektrodentemperatur, He-Druck, Heizleistung, Prozesszeit, Prozesskammer-Vakuum, Transferkammer-Vakuum, Loadlock-Vakuum.

- Das System verfügt über ein Datalogging in welchem sämtliche oben aufgeführten Prozessparameter kontinuierlich gespeichert und jeweils in Echtzeit in fein aufgelösten Kurven grafisch dargestellt werden. Software bietet Möglichkeit zur einfachen und schnellen Erstellung von Ätzrezepten.

- Max. zur Verfügung stehende Reinraum-Stellfläche für Anlage: 1,50 m x 2,70 m

Sehr gute Zugänglichkeit aller Anlagen-Komponenten für Wartungs- und Reparaturarbeiten.

- Homogenität der Ätzrate besser ± 3 %. Reproduzierbarkeit der Ätzrate besser ± 5 %. Jeweils 20 Messpositionen über 3“-Wafer. Demonstration an 5 Testwafern mit folgendem Prozess:

1).Strukturierung von SiN-Passivierungen in 7 µm tiefen Vias (Durchmesser Nitridöffnung: 2 µm, Durchmesser Via: 4 µm. Schichtdicke SiN: 200 nm, Prozessgas: SF6).

Ätzrate für SiN-Ätzung: ≥ 100 nm/min.

- Die Anlage muß spätestens 14 Tage nach Abschluß der Installationsarbeiten (vorher vereinbarter Termin) betriebsbereit sein.

- Schnelle Reaktionszeiten bei auftretenden technischen Problemen. Rückmeldung am selben Tag erwünscht. Versand von verfügbaren Ersatzteilen spätestens am darauffolgenden Tag erwünscht. Technische Probleme sollen innerhalb einer Woche gelöst und behoben werden.

Dauer: 5 Monate
Referenznummer: BM 005/227622/cl-Ols
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: Freiburg.

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung: - Firmenprofil.
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:

- Umsätze der letzten 3 Geschäftsjahre

- Eigenerklärung über das ordnungsgemäße Abführen von Steuern und Sozialabgaben

- Eigenerklärung, dass kein Insolvenzverfahren in Eröffnung ist, eröffnet wurde oder mangels Masse abgelehnt wurde

- Eigenerklärung, dass nachweislich keine schweren Verfehlungen begangen wurden, die die Zuverlässigkeit als Bewerber in Frage stellen.

Technische und berufliche Fähigkeiten:

- Komplette Referenzen (Ansprechpartner, Kontaktdaten) von vergleichbaren Systemen, nicht älter als drei Jahre

- Nachweis über langjährige Erfahrung bei Design und Produktion von ICP-RIE Ätzanlagen für die Prozessierung von III/V-Halbleitern und Dielektrika.

Auftragsausführung
Wichtigste Finanzierungsbedingungen und Zahlungsmodalitäten und/oder Verweis auf die einschlägigen Bestimmungen, die sie regeln: Siehe Verdingungsunterlagen.
Rechtsform der Gruppe von Wirtschaftsteilnehmern, an die der Auftrag vergeben werden soll: Selbstschuldnerisch haftend mit bevollmächtigtem Vertreter.
Sonstige besondere Bedingungen:

Die unter III.2 geforderten Unterlagen sind spätestens bis zu dem unter IV 3.4 genannten Termin vollständig vorzulegen. Unvollständigkeit kann zum Ausschluss führen.

Bei evtl. Einsatz von Subunternehmern ist spätestens mit Abgabe des Angebots sowie der Eignungsunterlagen bekanntzugeben. Ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.2 geforderten Unterlagen nachzuweisen. Der Anteil am Leistungsumfang ist dazulegen. Ferner ist vom Unterauftragnehmer rechtsverbindlich zu bestätigen, dass er im Auftragsfall uneingeschränkt zur Verfügung steht.

Verfahren
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2015-06-25 📅
Sprachen
Sprache: Deutsch 🗣️
Englisch 🗣️

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Other
Kontakt
Kontaktperson: Frau Lönz
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏
Name: Fraunhofer Gesellschaft e.V. über Vergabeportal deutsche-eVergabe
Postanschrift: Wilhelmstr. 20-22
Postort: Wiesbaden
Postleitzahl: 65185
Telefon: +49 6119491060 📞
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de 📧
URL für weitere Informationen: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de 🌏

Referenz
Kennungen
Vom öffentlichen Auftraggeber vergebene Referenznummer: BM 005/227622/cl-Ols

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemomblerstr. 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF Referat Z 23
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:

Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI 4.1 genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I 1 genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des §107 Abs. 3 Satz1 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin. Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, werden vor dem Zuschlag gem. §101a GWB informiert.

Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Postanschrift: Heinemannstr. 2
Postleitzahl: 53175
Quelle: OJS 2015/S 067-118598 (2015-04-01)

Ergänzende Angaben (2015-05-12)
Objekt
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ergänzende Angaben

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-05-12 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-05-16 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 094-168583
Verweist auf Bekanntmachung: 2015/S 67-118598
ABl. S-Ausgabe: 94
Quelle: OJS 2015/S 094-168583 (2015-05-12)

Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2015-07-07)
Objekt
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Postanschrift: Hansastraße 27c
Kontakt
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de 📧
Telefon: +49 8912053229 📞
Fax: +49 8912057547 📠

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-07-07 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-07-11 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 132-242888
ABl. S-Ausgabe: 132

Objekt
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: Freiburg im Breisgau.

Verfahren
Vergabekriterien
Kriterium: 1. Preis (35)
2. Technische Spezifikation (45)
3. Bedienungsfreundlichkeit (10)
4. Service (10)

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2015-06-22 📅
Name: SENTECH GmbH
Postanschrift: Krailling
Postort: Konrad-Zuse-Bogen 13
Postleitzahl: 82152
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 5

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Kontaktperson: Carla Lönz

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Postanschrift: Villemomblerstraße 76
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF, Referat Z 23
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:

Solange ein wirksamer Zuschlag (Vertragsschluss) noch nicht erteilt ist, kann als Rechtsbehelf ein Nachprüfungsantrag bei der unter VI.4.1) genannten Stelle gestellt werden. Bewerber/Bieter müssen Vergaberechtsverstöße unverzüglich bei der unter I.1) genannten Vergabestelle rügen, bevor sie einen Nachprüfungsantrag stellen. Wir weisen ausdrücklich auf die Antragsfrist des § 107 Abs. 3 Nr. 4 Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB) hin.

Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden soll, werden vor dem Zuschlag gem. § 101a GWB informiert.

Quelle: OJS 2015/S 132-242888 (2015-07-07)

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