E_848_219427 cl-Ols – Rasterelektronenmikroskop

Fraunhofer Gesellschaft e. V.

E_848_219427 cl-Ols – Rasterelektronenmikroskop.
Ein zu beschaffendes Dual-Beam Gerät soll zum einen durch eine FIB eine Erweiterung der präparativ-analytischen Methoden bieten und zum anderen second sorce für ein älteres Analytik-/Mess-REM sein.
— Probengrößen: Crosssections, Proben auf Stubs,150 mm Wafer und 200 mm Wafer. Vom 200-mm-Wafer soll eine möglichst große Fläche einfach erreicht werden. Maximale Probenhöhe von Sonderproben >20 mm. Probenhalter für 200-mm-Wafer und 150-mm-Wafer.
— Stage, Verfahrbereich: möglichst groß, zumindest y: ±50, x: -100; +50, der 200 mm Wafer solltegegebenenfalls unter Zuhifename von Drehungen komplett anfahrbar sein.
— Kalibriertes Messen: Es sollte möglich sein, bei bestimmten Bedingungen kalibrierte Messungen durchführen zu können, sowohl in Form von Maßpfeilen, als auch in Form halbautomatisierter Breitenmessungen von Stegen/Gräben und Pitches sowie Löcher (Vias). Lieferung mit geeignetem Kalibriernormal.
— Defektmonitoring: Es sollte möglich sein, KLARF-files zu importieren und den Wafer damit zu justieren, so dass Defekte gezielt halbautomatisch angefahren werden können.
— EDX: EDX-Gerät (ohne Flüssigstickstoffkühlung) mit allen gängigen Spektrenfunktionen sowie Mapping mit Driftkorrektur und offline-Auswertung.
— Detektoren:mindestens SE- Inlensdetektor, externer SE-Detektor, Detektor mit Materialkontrast, STEM-Detektor zur Untersuchung erzeugter Lamellen (Möglichst insitu) bildgebend und mit EDX.
— Beam-Deceleration: zur Untersuchung stark isokierender Proben.
— Emitter (REM): hochauflösend (Schottky, Feldemitter).
— Strahloptik: guter Kompromiss zwischen FIB-Funktion und hochauflösender Abbildung bei kleineren Spannungen, ggf. Immersionsoptik.
— Beschl-Spannung: 0.3…30 kV.
— Probenstrom: zumindest so hoch, dass das EDX bei Si und 3 kV mindestens 200 counts/s hat.
— Vergrößerung: Minimal <25 x, besser kleiner 10 x, Maximal >200 000.
— Schleuse: Automatisch oder manuell, auch Geräte ohne Schleuse möglich.
— FIB: Ga-Quelle, 50pA…>50nA, 1-30 kV.
— Manipulator: zur Entnahme von TEM-Lamellen.
— Gase für FIB: 5 (z.B. C, Pt, W, XeF2, SiOx-Abscheidung).
— Bauart: tauglich für Einbringung in einen Reinraum Klasse 10.
— Partikelzuwachs: <2 Partikel >5 µm und <5 Partikel 5 µm…1 µm pro Schleusung eines 200 mm Wafers.

Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2016-03-28. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-02-25.

Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• • FEI Deutschland GmbH

Wer?

• • Fraunhofer Gesellschaft e. V.

Wie?

• • Elektronenmikroskope › Rasterelektronenmikroskope

Wo?

• • Dresden › Dresden, Kreisfreie Stadt