RTP-Tool
RTP steht für rapid thermal processing (auch bekannt als RTA oder RTO (annealing oder oxidation)). Die Singel-Wafer-Anlage muss einen Prozessraum zum schnellen und homogenen erhitzen von 200 mm Wafern bieten. Die Anlage ist für den Einsatz in der Halbleiter-MEMS-Fertigung von 200 mm Si-Substraten in einem ISO 4 Reinraum zur Herstellung von SiO2-Schichten als auch für Temperungen vorgesehen. Die Anlage muss kurzzeitige Temperaturen bis zu 1 150 °C leisten können und die Wafer mit einer wählbaren Temperaturrampe von 10-150 K/s erhitzen können. Die Anlage erlaubt eine Slot-integere Rezept- bzw. Prozessauswahl. Der Steuerungsrechner erlaubt ein komfortables Rezept-Management, die zeitaufgelöste Aufzeichnung aller relevanter Prozess-Daten, einen Remote-Zugriff über TCP/IP sowie eine dokumentierte Kommunikationsschnittstelle zur Ansteuerung über eine Fertigungssteuerungssoftware (MES).
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-01-06.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2016-11-29.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum |
Dokument |
2016-11-29
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Auftragsbekanntmachung
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2017-04-26
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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