PECVD-Anlage
Hahn-Schickard beabsichtigt die Neuanschaffung einer Parallelplattenreaktor-PECVD-Anlage für das Beschichten von hauptsächlich 100 mm- und 150 mm-Wafern als Ersatz bzw. technologische Erweiterung vorhandener Gerätschaften. Die Anlage muss das Beschichten mit unterscheidlichen PECVD-Schichten wie SiO2 und Si3N4 ermöglichen und ist für einen 3-Schichtbetrieb in einem Reinraum der Klasse 10 (ISO 4) auszulegen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2017-04-19.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2017-03-09.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Wo?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2017-03-09
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Auftragsbekanntmachung
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| 2017-05-31
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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