Beschreibung der Beschaffung
Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:
Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:
REM
— REM-Auflösung < 1.5 nm bei ~ 15 keV im Koinzidenzpunkt,
— Hoher max. Strahlstrom von Elektronenstrahl und Ionenstrahl ~ 100 nA,
— Großes FOV (Field of View) > 10 mm im Koinzidenzpunkt mit hoher Auflösung, Bildspeicher > 30 k x 30 k Pixel,
— Euzentrischer Probentisch durch mechanische Bewegung: X/Y >= 100mm; Z >= 50mm; R 360; T <=-4 bis >=+70, Positionsspeicher,
— Probenkammer mit mind. 18 Ports (z.B. genügender Freiraum für ein In-situ Zug-Druck- oder ein Heiz-Modul.),
— Probenwechsel-Schleuse (Vorvakuum-Kammer) mit mehreren Probenhalterungen > 2, Schneller Probenwechsel < 2 min.
— Sekundärelektronen Detektor (Everhart-Thornley-Detektor), Sekundär-Ionen Detektor, Rückstreuelektronen Detektor (rückziehbar),
— Inlens Detektoren für Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen,
— STEM Detektor (Scanning Transmission Elektron Mikroskop Detektor, rückziehbar, Software Steuerung) für Bright-Field, Dark-Field und High-Angle-Dark-Field Modi, Auflösung < 0.7 nm bei 30 kV,
— Probenkammerüberwachung (Chamberview),
— Probenstrom Messung,
— Signalmischer, Autofocus, Autostigmator, dynamischer Fokus,
— Motorisierter Aperturblendenwechsler,
— Automatische Kammerniveauregulierung,
— Makroprogrammierung für Steuerbefehle,
— 3D Messungen mit frei regelbarem Strom für Abbildung und EDX/EBSD-Analysen (während der Tromographie soll zwischen beiden Abbildungsbedingungen automatisch geschaltet werden),
— 3D Bildbearbeitungssoftware inkl. 3D-Tomographie und -Driftkorrektur,
— Touch Alarm,
— Plasma-Reiniger,
— Mikromanipulator für Probenentnahme,
— Schwingungsdämpfung,
— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 3 000 W, Überbrückung > 30 Min bei 50 % Belastung
FIB,
— Ga Ionenstrahlsäule,
— Auflösung ? 3 nm (Ga) bei ~ 30 kV,
— Strahlstrom 1pA ~ 100 nA, freiwählbar,
— 1 GIS für einen Precursor (Pt Precursor),
— Motorisierter Blendenwechsler,
— Eigenständiger Scan-Generator für FIB (volle REM-Kontrolle während der FIB-Operation, On-line Kontrolle und Bestimmung der Abtrag- und Schnittdicke während der FIB-Operation, frei wählbare ROI während der 3D-Tomographie),
— Software für automatische Präparationsroutinen, z.B. Querschliffe, TEM- Lamellen,
— Einbindung in REM-Steuer-, 3D Tomographie-, EBSD- und EDX-Software
EDX,
— EDX Detektor mit 100 mm Detektorfläche,
— Detektion der Elemente von Be bis Cf,
— EDX mit SDD (Silizium-Drift-Detektor) Pulseprozessor, Bildaufnahme, Mapping und aktiver Strahlsteuerung,
— Auflösung bei 130 000 cps: ?127eV bei Mn K?, ?56eV bei C K?,
— Quantitative Analyse bei >= 400 000 counts/s, Mapping bei >= 1 000 000 counts/s,
— Live Bildeinzug, Mapping und Spektrum,
— Softwarepaket zur qualitativen und quantitativen Analyse in 2D und 3D, Darstellung von Phasen- und Elementverteilungen,
— Möglichkeit zur manuellen Optimierung des Pile-up-Koeffizienten,
— Überlagerung von nicht Pile-up korrigiertem Spektrum mit korrigiertem Spektrum,
— Einblendung von theoretischen Peak-Profilen zur Überprüfung der automatischen,
Elementidentifikation
EBSD
— EBSD Kamera mit CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Sensor für hohe Geschwindigkeit und Auflösung: Geschwindigkeit > 200 pps bei Pixel > 1000 x 1000 und simultan mit EDX,
— Hohe Sensitivität auch bei geringen Beschleunigungsspannungen und Strahlströmen (effektiver Betrieb bei < 5 kV und 100 pA),
— Integrierter Infrarot-Filter für in-situ Heizexperimente,
— Winkelauflösung (angular resolution) < 0.1,
— Forward Scatter-Detektor System mit Z-Kontrast,
— Unterstützung TKD (Transmission Kikuchi Diffraction) Analysen.
Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung.