Rasterelektronenmikroskope

Kurze Beschreibung

Los1:
Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:
Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:
Los 2:
Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen) - Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System.
Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen.
Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

Beschreibung der Beschaffung

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:
Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:
REM
— REM-Auflösung < 1.5 nm bei ~ 15 keV im Koinzidenzpunkt,
— Hoher max. Strahlstrom von Elektronenstrahl und Ionenstrahl ~ 100 nA,
— Großes FOV (Field of View) > 10 mm im Koinzidenzpunkt mit hoher Auflösung, Bildspeicher > 30 k x 30 k Pixel,
— Euzentrischer Probentisch durch mechanische Bewegung: X/Y >= 100mm; Z >= 50mm; R 360; T <=-4 bis >=+70, Positionsspeicher,
— Probenkammer mit mind. 18 Ports (z.B. genügender Freiraum für ein In-situ Zug-Druck- oder ein Heiz-Modul.),
— Probenwechsel-Schleuse (Vorvakuum-Kammer) mit mehreren Probenhalterungen > 2, Schneller Probenwechsel < 2 min.
— Sekundärelektronen Detektor (Everhart-Thornley-Detektor), Sekundär-Ionen Detektor, Rückstreuelektronen Detektor (rückziehbar),
— Inlens Detektoren für Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen,
— STEM Detektor (Scanning Transmission Elektron Mikroskop Detektor, rückziehbar, Software Steuerung) für Bright-Field, Dark-Field und High-Angle-Dark-Field Modi, Auflösung < 0.7 nm bei 30 kV,
— Probenkammerüberwachung (Chamberview),
— Probenstrom Messung,
— Signalmischer, Autofocus, Autostigmator, dynamischer Fokus,
— Motorisierter Aperturblendenwechsler,
— Automatische Kammerniveauregulierung,
— Makroprogrammierung für Steuerbefehle,
— 3D Messungen mit frei regelbarem Strom für Abbildung und EDX/EBSD-Analysen (während der Tromographie soll zwischen beiden Abbildungsbedingungen automatisch geschaltet werden),
— 3D Bildbearbeitungssoftware inkl. 3D-Tomographie und -Driftkorrektur,
— Touch Alarm,
— Plasma-Reiniger,
— Mikromanipulator für Probenentnahme,
— Schwingungsdämpfung,
— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 3 000 W, Überbrückung > 30 Min bei 50 % Belastung
FIB,
— Ga Ionenstrahlsäule,
— Auflösung ? 3 nm (Ga) bei ~ 30 kV,
— Strahlstrom 1pA ~ 100 nA, freiwählbar,
— 1 GIS für einen Precursor (Pt Precursor),
— Motorisierter Blendenwechsler,
— Eigenständiger Scan-Generator für FIB (volle REM-Kontrolle während der FIB-Operation, On-line Kontrolle und Bestimmung der Abtrag- und Schnittdicke während der FIB-Operation, frei wählbare ROI während der 3D-Tomographie),
— Software für automatische Präparationsroutinen, z.B. Querschliffe, TEM- Lamellen,
— Einbindung in REM-Steuer-, 3D Tomographie-, EBSD- und EDX-Software
EDX,
— EDX Detektor mit 100 mm Detektorfläche,
— Detektion der Elemente von Be bis Cf,
— EDX mit SDD (Silizium-Drift-Detektor) Pulseprozessor, Bildaufnahme, Mapping und aktiver Strahlsteuerung,
— Auflösung bei 130 000 cps: ?127eV bei Mn K?, ?56eV bei C K?,
— Quantitative Analyse bei >= 400 000 counts/s, Mapping bei >= 1 000 000 counts/s,
— Live Bildeinzug, Mapping und Spektrum,
— Softwarepaket zur qualitativen und quantitativen Analyse in 2D und 3D, Darstellung von Phasen- und Elementverteilungen,
— Möglichkeit zur manuellen Optimierung des Pile-up-Koeffizienten,
— Überlagerung von nicht Pile-up korrigiertem Spektrum mit korrigiertem Spektrum,
— Einblendung von theoretischen Peak-Profilen zur Überprüfung der automatischen,
Elementidentifikation
EBSD
— EBSD Kamera mit CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Sensor für hohe Geschwindigkeit und Auflösung: Geschwindigkeit > 200 pps bei Pixel > 1000 x 1000 und simultan mit EDX,
— Hohe Sensitivität auch bei geringen Beschleunigungsspannungen und Strahlströmen (effektiver Betrieb bei < 5 kV und 100 pA),
— Integrierter Infrarot-Filter für in-situ Heizexperimente,
— Winkelauflösung (angular resolution) < 0.1,
— Forward Scatter-Detektor System mit Z-Kontrast,
— Unterstützung TKD (Transmission Kikuchi Diffraction) Analysen.
Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung.

Beschreibung der Beschaffung

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System.
Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen.
Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung. Es kommen Magnesium(-legierungs) Proben mit nichtleitfähigen Beschichtungssystemen vor und nach Korrosionsversuchen zur Untersuchung.
Daher wird besonders Wert auf die Fähigkeiten zur Untersuchung bei niedrigen Beschleunigungsspannungen gelegt.
Das REM soll mit einer großen Probenkammer für spätere Aufrüstungen ausgestattet sein. Es wird ein ölfreies Pumpsystem benötigt. Für die Vereinfachung der Aufstellung wird aktive Schwingungsdämpfung und automatische Kammernivellierung bevorzugt.
SE (Sekundarelektronen) ausziehbarer BSE (Rückstreuelektronen)- Detektor in Kammer und Säule sind Voraussetzung, ebenso wie Probenkammerkamera „Chamberview“, Probenstrommessung und Touch- Alarm.
Die nötigen Hard- und Softwarevoraussetzungen für eine unbeaufsichtigte FIB- 3D Schichtaufnahme mit gleichzeitiger Elementverteilungsaufnahme mit EDX sollten vorhanden sein.
Das EDX- System soll optional mit einem fensterlosen Detektor angeboten werden.
Optional soll ein TOF- oder Quadrupol- SIMS angeboten werden, das ebenfalls für eine unbeaufsichtigte 3D Schichtaufnahme mit örtlicher Darstellung des SIMS Ergebnisses mit entsprechender Hard- und Software ausgerüstet sein soll.
Es ist erlaubt, auch Hersteller oder Distributor- Demo Systeme anzubieten.
1. Beschreibung der technischen (Mindest-)Anforderung
REM (Rasterelektronenmikroskop)
— Schottky FE- FIB Rasterelektronenmikroskop,
— <=0,2 bis >=30 kV Beschleunigungsspannung,
— Strahlstrom: >= 100 nA,
— Auflösung <=2.0 nm bei 1 keV,
— FoV (Field of View) >= 10 mm an Koinzidenzpunkt,
— Beam decel. (Abbrems- oder Beschleunigungs-),
— Auflösungs- und Schärfentiefemodus,
— Rasterfeldrotation,
— Autofocus,
— Autostigmator,
— dynamischer Fokus,
— Messtools: Punkt, Line, Kreisdurchmesser, Winkel,
— Makroprogrammierung,
— Probenstrom Messeinrichtung,
— motorisierter Aperturblendenwechsler,
— Hochvakuumsystem,
— Detektoren SE (Everhard Thornley), BSE jeweils in Kammer (BSE rückziehbar) und Säule,
— simultanes InLens SE- und BSE- Imaging,
— STEM/TE-System (Scanning Transmission System), rückziehbar,
— Ölfreies Pumpsystem,
— Probenkammerüberwachung (Chamberview),
— Touch Alarm,
— Große Probenkammer mit min 18 Ports,
— euzentrischer Probentisch: voll-motorisierter Probentisch mit X/Y: >=100 mm; Z: >=50mm; R: 360; T: <=-4 bis >=+70, Positionsspeicher,
— Mikromanipulator für Probenentnahme,
— Elektronen Flood Gun,
— Referenzpositionierung,
— Softwaremodul: korrelative Mikroskopie, Übertragung von Positionsfiles anderer Bildquellen (z. B. Lichtmikroskopie),
— Erweitertes 3D Tomographie Softwarepaket, automatische 3D Drift Korrektur, Bildstapel ausrichten, frei regelbarer und ablaufgesteuerter, kleiner Strahlstrom für Bildaufnahme, hoher Strahlstrom für EDXn,
— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 2 kWn,
— aktive Schwingungsdämpfung,
— automatische Kammernivellierung,
— REM muss mit ToF- SIMS aus-/nachrüstbar sein, inklusive Softwareintegration, siehe Punkt 7,
— optional: Sekundärionen- Detektor.
FIB
— Ga Ionenstrahlsäule,
— Auflösung <= 3 nm (Ga) bei 30 kV und 1 pA,
— <= 1pA bis >= 50 nA Strahlstrom,
— Anregungsspannung <= 0,5 bis >= 30 kV,
— 1 GIS (Gas Injektor System) für einen Precursor, mit PT Precursor bestückt,
— motorisierter Aperturblendenwechsler,
— Beam Blanker und Faraday- Käfig.
Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung.

Genaue Informationen über Fristen für Überprüfungsverfahren

Die Auftraggeberin weist ausdrücklich auf die Rügeobliegenheiten der Unternehmen/Bewerber/Bieter sowie auf die Präklusionsregelungen gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1-4 GWB hinsichtlich der Behauptung von Verstößen.
Gegen die Bestimmungen über das Vergabeverfahren hin. § 107 Abs. 3 Satz 1 GWB lautet: „Der Antrag (auf Nachprüfung) ist unzulässig, soweit:
1) der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat,
2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind“.
Die Auftraggeberin weist insbesondere darauf hin, dass ein Antrag auf Einleitung eines Nachprüfungsverfahrens gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB unzulässig ist, wenn nach Eingang der Mitteilung der Auftraggeberin, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen (Nichtabhilfeentscheidung), mehr als 15 Kalendertage vergangen sind. Die Vergabestelle weist zudem ausdrücklich auf die Fristen des § 101a GWB hin. Die Auftraggeberin wird gemäß § 101a GWB die Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, hiervon vor Zuschlagserteilung nach Maßgabe des § 101 a Abs. 1 GWB informieren. Bei schriftlicher Information darf der Vertrag erst 15 Kalendertage, bei Information per Telefax oder E-Mail erst 10 Kalendertage nach Absendung der Information geschlossen werden (§ 101a Abs. 1 Satz 3 und 4 GWB). Die Frist beginnt am Tag der Absendung der Information durch die Auftraggeberin, § 101 a Abs. 1 Satz 5 GWB.