Rasterelektronenmikroskope

Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung

Los1:
Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:
Feldemitter REM mit fokussiertem GaIonenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:
Los 2:
Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System.
Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen.
Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2018-07-30. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2018-06-22.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• Carl Zeiss Microscopy GmbH
• TESCAN GmbH

Wer?

• Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung

Wie?

• Elektronenmikroskope › Rasterelektronenmikroskope

Wo?

• Schleswig-Holstein › Herzogtum Lauenburg

Geschichte der Beschaffung

Datum	Dokument
2018-06-22	Auftragsbekanntmachung
2018-09-03	Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Auftragsbekanntmachung (2018-06-22)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Rasterelektronenmikroskope
Referenznummer: 10087073
Kurze Beschreibung:

Los1: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem: Feldemitter REM mit fokussiertem GaIonenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule: Los 2: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System. Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen. Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Rasterelektronenmikroskope 📦
Zusätzlicher CPV-Code: Rasterelektronenmikroskope 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Herzogtum Lauenburg 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Einrichtung des öffentlichen Rechts
Name des öffentlichen Auftraggebers: Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung
Postanschrift: Max-Planck-Str. 1
Postleitzahl: 21502
Postort: Geesthacht
Kontakt
Internetadresse: http://www.hzg.de 🌏
E-Mail: einkauf@hzg.de 📧
Fax: +49 4152-871750 📠
URL der Dokumente: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/notice/CXP9YCQDHZN 🌏
URL der Teilnahme: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/notice/CXP9YCQDHZN 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2018-06-22 📅
Einreichungsfrist: 2018-07-30 📅
Veröffentlichungsdatum: 2018-06-26 📅
Datum des Beginns: 2018-07-30 📅
Datum des Endes: 2018-12-15 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2018/S 120-272758
ABl. S-Ausgabe: 120
Zusätzliche Informationen
Bekanntmachungs-ID: CXP9YCQDHZN

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Los1:

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:

Feldemitter REM mit fokussiertem GaIonenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:

Los 2:

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System.

Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen.

Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

Bezeichnung des Loses: Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM)
Losnummer: 1
Kurze Beschreibung:

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie - Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem:

Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:

REM

— REM-Auflösung < 1.5 nm bei ~ 15 keV im Koinzidenzpunkt,

— Hoher max. Strahlstrom von Elektronenstrahl und Ionenstrahl ~ 100 nA,

— Großes FOV (Field of View) > 10 mm2 im Koinzidenzpunkt mit hoher Auflösung, Bildspeicher > 30 k x 30 k Pixel,

— Euzentrischer Probentisch durch mechanische Bewegung: X/Y >= 100 mm; Z >= 50 mm; R 360

— Probenkammer mit mind. 18 Ports (z.B. genügender Freiraum für ein In-situ Zug-Druck-* oder ein Heiz-Modul*.),

— Probenwechsel-Schleuse (Vorvakuum-Kammer) mit mehreren Probenhalterungen > 2, Schneller Probenwechsel < 2 min,

— Sekundärelektronen Detektor (Everhart-Thornley-Detektor), Sekundär-Ionen Detektor, Rückstreuelektronen Detektor (rückziehbar),

— In-lens Detektoren für Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen,

— STEM Detektor (Scanning Transmission Elektron Mikroskop Detektor, rückziehbar, Software Steuerung) für Bright-Field, Dark-Field und High-Angle-Dark-Field Modi, Auflösung < 0.7 nm bei 30kV

— Probenkammerüberwachung (Chamberview),

— Probenstrom Messung,

— Signalmischer, Autofocus, Autostigmator, dynamischer Fokus,

— Motorisierter Aperturblendenwechsler,

— Automatische Kammerniveauregulierung,

— Makroprogrammierung für Steuerbefehle,

— 3D Messungen mit frei regelbarem Strom für Abbildung und EDX/EBSD-Analysen (während der Tromographie soll zwischen beiden Abbildungsbedingungen automatisch geschaltet werden)

— 3D Bildbearbeitungssoftware inkl. 3D-Tomographie und -Driftkorrektur,

— Touch Alarm,

— Plasma-Reiniger,

— Mikromanipulator für Probenentnahme,

— Schwingungsdämpfung,

— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 3 000 W, Überbrückung > 30 Min bei 50 % Belastung.

FIB

— Ga Ionenstrahlsäule,

— Auflösung ? 3 nm (Ga) bei ~ 30 kV,

— Strahlstrom 1pA ~ 100 nA, freiwählbar,

— 1 GIS für einen Precursor (Pt Precursor),

— Motorisierter Blendenwechsler,

— Eigenständiger Scan-Generator für FIB (volle REM-Kontrolle während der FIB-Operation, On-line Kontrolle und Bestimmung der Abtrag- und Schnittdicke während der FIB-Operation, frei wählbare ROI während der 3D-Tomographie),

— Software für automatische Präparationsroutinen, z.B. Querschliffe, TEM- Lamellen,

— Einbindung in REM-Steuer-, 3D Tomographie-, EBSD- und EDX-Software.

EDX

— EDX Detektor mit 100 mm

— Detektion der Elemente von Be bis Cf,

— EDX mit SDD (Silizium-Drift-Detektor) Pulseprozessor, Bildaufnahme, Mapping und aktiver Strahlsteuerung,

— Auflösung bei 130 000 cps: ?127 eV bei Mn K?, ?56 eV bei C K?

— Quantitative Analyse bei >= 400 000 counts/s, Mapping bei >= 1 000 000 counts/s,

— Live Bildeinzug, Mapping und Spektrum,

— Softwarepaket zur qualitativen und quantitativen Analyse in 2D und 3D, Darstellung von Phasen- und Elementverteilungen,

— Möglichkeit zur manuellen Optimierung des Pile-up-Koeffizienten,

— Überlagerung von nicht Pile-up korrigiertem Spektrum mit korrigiertem Spektrum,

— Einblendung von theoretischen Peak-Profilen zur Überprüfung der automatischen.

Elementidentifikation

EBSD

— EBSD Kamera mit CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Sensor für hohe Geschwindigkeit und Auflösung: Geschwindigkeit > 200 pps bei Pixel > 1 000 x 1 000 und simultan mit EDX,

— Hohe Sensitivität auch bei geringen Beschleunigungsspannungen und Strahlströmen (effektiver Betrieb bei < 5 kV und 100 pA),

— Integrierter Infrarot-Filter für in-situ Heizexperimente,

— Winkelauflösung (angular resolution) < 0.1

— Forward Scatter-Detektor System mit Z-Kontrast,

— Unterstützung TKD (Transmission Kikuchi Diffraction) Analysen,

Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung.

Bezeichnung des Loses: Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop
Losnummer: 2
Kurze Beschreibung:

Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung. Es kommen Magnesium(-legierungs) Proben mit nichtleitfähigen Beschichtungssystemen vor und nach Korrosionsversuchen zur Untersuchung.

Daher wird besonders Wert auf die Fähigkeiten zur Untersuchung bei niedrigen Beschleunigungsspannungen gelegt.

Das REM soll mit einer großen Probenkammer für spätere Aufrüstungen ausgestattet sein. Es wird ein ölfreies Pumpsystem benötigt. Für die Vereinfachung der Aufstellung wird aktive Schwingungsdämpfung und automatische Kammernivellierung bevorzugt.

SE (Sekundarelektronen) ausziehbarer BSE (Rückstreuelektronen)- Detektor in Kammer und Säule sind Voraussetzung, ebenso wie Probenkammerkamera „Chamberview“, Probenstrommessung und Touch- Alarm.

Die nötigen Hard- und Softwarevoraussetzungen für eine unbeaufsichtigte FIB- 3D Schichtaufnahme mit gleichzeitiger Elementverteilungsaufnahme mit EDX sollten vorhanden sein.

Das EDX- System soll optional mit einem fensterlosen Detektor angeboten werden.

Optional soll ein TOF- oder Quadrupol- SIMS angeboten werden, das ebenfalls für eine unbeaufsichtigte 3D Schichtaufnahme mit örtlicher Darstellung des SIMS Ergebnisses mit entsprechender Hard- und Software ausgerüstet sein soll.

Es ist erlaubt, auch Hersteller oder Distributor- Demo Systeme anzubieten.

1) Beschreibung der technischen (Mindest-)Anforderung

REM (Rasterelektronenmikroskop)

— Schottky FE- FIB Rasterelektronenmikroskop,

— <=0,2 bis >=30 kV Beschleunigungsspannung,

— Strahlstrom: >= 100 nA,

— Auflösung <=2.0 nm bei 1 keV,

— FoV (Field of View) >= 10mm2 an Koinzidenzpunkt,

— Beam decel. (Abbrems- oder Beschleunigungs-),

— Auflösungs- und Schärfentiefemodus,

— Rasterfeldrotation,

— Autofocus,

— Autostigmator,

— dynamischer Fokus,

— Messtools: Punkt, Line, Kreisdurchmesser, Winkel,

— Makroprogrammierung,

— Probenstrom Messeinrichtung,

— motorisierter Aperturblendenwechsler,

— Hochvakuumsystem,

— Detektoren SE (Everhard Thornley), BSE jeweils in Kammer (BSE rückziehbar) und Säule,

— simultanes InLens SE- und BSE- Imaging,

— STEM / TE-System (Scanning Transmission System), rückziehbar,

— Ölfreies Pumpsystem,

— Große Probenkammer mit min 18 Ports,

— euzentrischer Probentisch: voll-motorisierter Probentisch mit X/Y: >=100 mm; Z: >=50 mm; R: 360

— Elektronen Flood Gun,

— Referenzpositionierung,

— Softwaremodul: korrelative Mikroskopie, Übertragung von Positionsfiles anderer Bildquellen (z.B. Lichtmikroskopie)

— Erweitertes 3D Tomographie Softwarepaket, automatische 3D Drift Korrektur, Bildstapel ausrichten, frei regelbarer und ablaufgesteuerter, kleiner Strahlstrom für Bildaufnahme, hoher Strahlstrom für EDX,

— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 2 kW,

— aktive Schwingungsdämpfung,

— automatische Kammernivellierung,

— REM muss mit ToF- SIMS aus-/ nachrüstbar sein, inklusive Softwareintegration, siehe Punkt 7,

— optional: Sekundärionen- Detektor.

— Auflösung <= 3 nm (Ga) bei 30kV und 1 pA,

— <= 1pA bis >= 50 nA Strahlstrom,

— Anregungsspannung <= 0,5 bis >= 30 kV,

— 1 GIS (Gas Injektor System) für einen Precursor, mit PT Precursor bestückt,

— Beam Blanker und Faraday- Käfig.

Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:

Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung

Max-Planck-Str. 1

21502 Geesthacht

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung:

1) Eigenerklärung zur Eintragung ins Handelsregister:

Den Nachweis über die Eintragung in das Handelsregister führen wir über die folgenden Angaben Registerführendes Amtsgericht Handelsregisternummer Oder Vergleichbare Eintragung (EU).

2) Erklärungen folgenden Inhalts:

a) Wir erklären, dass über unser Vermögen kein Insolvenzverfahren oder kein vergleichbares gesetzlich geregeltes Verfahren eröffnet oder die Eröffnung beantragt worden ist oder der Antrag mangels Masse. Abgelehnt worden ist bzw. dass sich das Unternehmen sich nicht in Liquidation befindet;

b) Wir erklären, dass wir unseren Verpflichtungen zur Zahlung von Steuern und Abgaben sowie der Beiträge zur gesetzlichen Sozialversicherung ordnungsgemäß nachkommen;

c) Wir erklären, dass wir Mitglied in der für uns zuständigen Berufsgenossenschaft sind;

d) Wir erklären, die öffentlich-rechtlichen Bestimmungen gegen Schwarzarbeit, illegale Arbeitnehmerüberlassung und gegen Leistungsmissbrauch (z.B. §§ 404 Abs. 1 Nr. 2, Abs. 2 Nr. 2 des Dritten Buches Sozialgesetzbuch.

§§ 15, 15a, 16 Abs. 1 Nr. 1, 1b und 2 des Arbeitnehmerüberlassungsgesetzes) einzuhalten.

3) Eigenerklärung gemäß der „Richtlinie über den Ausschluss von Bewerbern und Bietern von der Vergabe öffentlicher Aufträge wegen schwerer Verfehlungen, die ihre Zuverlässigkeit in Frage stellen“:

DE Standardformular 02 – Auftragsbekanntmachung 8 / 19.

Der Bieter hat mit Abgabe seines Angebotes zum Nachweis seiner Zuverlässigkeit gemäß bzw. analog § 6.Abs. 5 lit. c) bzw. § 6 EG Abs. 6 lit. c) VOL/A bzw. § 4 Abs. 9 lit. c) VOF eine Eigenerklärung abzugeben. Ein Angebot kann von der Wertung ausgeschlossen werden, wenn die Erklärung nicht rechtzeitig vorgelegt wird.

Oder unzutreffende Erklärungen abgegeben werden. Die Angaben werden ggf. von der Vergabestelle durch eine Auskunft aus dem Gewerbezentralregister nach § 150 a Gewerbeordnung (GewO) überprüft.

Ich/Wir erklären, dass.

— ich/wir in den letzten 2 Jahren nicht gem. § 21 Abs. 1 Satz 1 oder 2 des Gesetzes zur Bekämpfung der Schwarzarbeit und illegalen Beschäftigung (SchwarzArbG) oder gem. § 6 Satz 1 oder 2 Arbeitnehmerentsendegesetz (AEntG) mit einer Freiheitsstrafe von mehr als 3 Monaten oder einer Geldstrafe von mehr als 90 Tagessätzen oder einer Geldbuße von mehr als 2 500 EUR belegt worden bin/sind,

— keine Verfehlungen vorliegen, die meinen/unseren Ausschluss vom Wettbewerb rechtfertigen könnten Verfehlungen, die in der Regel zum Ausschluss des Bewerbers oder Bieters von der Teilnahme am Vergabeverfahren führen, sind – unabhängig von der Beteiligungsform, bei Unternehmen auch unabhängig von der Funktion des Täters oder Beteiligten -:

— Straftaten, die im Geschäftsverkehr oder im Bezug auf diesen begangen worden sind, u.a. Betrug, untreue Urkundenfälschung, Diebstahl, Erpressung,

— das Anbieten, Versprechen oder Gewähren von Vorteilen an Amtsträger oder an nach dem Gesetz über die förmliche Verpflichtung nicht beamteter Personen besonders Verpflichtete oder an Personen, die für den öffentlichen Dienst besonders Verpflichteten nahe stehen (Beste-chung/Vorteilsgewährung),

— Verstöße gegen das Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB), u.a. Beteiligung an Absprachen über Preise oder Preisbestandteile, verbotene Preisempfehlungen, Beteiligung an Empfehlungen oder Absprachen über die Abgabe oder Nichtabgabe von Angeboten, sowie die Leistung von konkreten Planungs und Ausschreibungshilfen,

— andere vergleichbar schwerwiegende Verstöße. Darüber hinaus zählen Verstöße gegen das SchwarzArbG.

Das AEntG und das Arbeitnehmerüberlassungsgesetz zu den schweren Verfehlungen. Mir/uns ist bekannt, dass die Nichtvorlage oder die Unrichtigkeit vorstehender Erklärung zu meinem/unserem Ausschluss von künftigen Vergabeverfahren sowie zur Kündigung eines etwa erteilten Auftrags führen kann.Ich/wir verpflichte(n) mich/uns auch, die vorstehende Erklärung von Nachunternehmern zu fordern und diese vor Zustimmung des Auftraggebers zur Weiterbeauftragung vorzulegen.

Verfahren
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 13:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2018-08-31 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2018-07-30 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 13:00

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Internetadresse: www.hzg.de 🌏
Dokumente URL: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/notice/CXP9YCQDHZN 🌏

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemomblerstr. 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 2289499-0 📞
Fax: +49 2289499-163 📠
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:

Die Auftraggeberin weist ausdrücklich auf die Rügeobliegenheiten der Unternehmen/Bewerber/Bieter sowie auf die Präklusionsregelungen gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1-4 GWB hinsichtlich der Behauptung von Verstößen.

Gegen die Bestimmungen über das Vergabeverfahren hin. § 107 Abs. 3 Satz 1 GWB lautet: „Der Antrag (auf Nachprüfung) ist unzulässig, soweit.

1) der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat;

2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden;

3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden;

4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind“.

Die Auftraggeberin weist insbesondere darauf hin, dass ein Antrag auf Einleitung eines Nachprüfungsverfahrens gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB unzulässig ist, wenn nach Eingang der Mitteilung der Auftraggeberin, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen (Nichtabhilfeentscheidung), mehr als 15 Kalendertage vergangen sind. Die Vergabestelle weist zudem ausdrücklich auf die Fristen des § 101 a GWB hin. Die Auftraggeberin wird gemäß § 101 a GWB die Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, hiervon vor Zuschlagserteilung nach Maßgabe des § 101 a Abs. 1 GWB informieren. Bei schriftlicher Information darf der Vertrag erst 15 Kalendertage, bei Information per Telefax oder E-Mail erst 10 Kalendertage nach Absendung der Information geschlossen werden (§ 101 a Abs. 1 Satz 3 und 4 GWB). Die Frist beginnt am Tag der Absendung der Information durch die Auftraggeberin, § 101 a Abs. 1 Satz 5 GWB.

Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Wie: Körper überprüfen
Quelle: OJS 2018/S 120-272758 (2018-06-22)

Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2018-09-03)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Los1: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem: Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule: Los 2: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen) - Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System. Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen. Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

Gesamtwert des Auftrags: 1 773 900 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Referenz
Daten
Absendedatum: 2018-09-03 📅
Veröffentlichungsdatum: 2018-09-04 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2018/S 169-384665
Verweist auf Bekanntmachung: 2018/S 120-272758
ABl. S-Ausgabe: 169
Zusätzliche Informationen
Bekanntmachungs-ID: CXP9YCQDMGG

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen) - Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System.

— Großes FOV (Field of View) > 10 mm

— Euzentrischer Probentisch durch mechanische Bewegung: X/Y >= 100mm; Z >= 50mm; R 360

— Probenkammer mit mind. 18 Ports (z.B. genügender Freiraum für ein In-situ Zug-Druck- oder ein Heiz-Modul.),

— Probenwechsel-Schleuse (Vorvakuum-Kammer) mit mehreren Probenhalterungen > 2, Schneller Probenwechsel < 2 min.

— Inlens Detektoren für Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen,

— STEM Detektor (Scanning Transmission Elektron Mikroskop Detektor, rückziehbar, Software Steuerung) für Bright-Field, Dark-Field und High-Angle-Dark-Field Modi, Auflösung < 0.7 nm bei 30 kV,

— 3D Messungen mit frei regelbarem Strom für Abbildung und EDX/EBSD-Analysen (während der Tromographie soll zwischen beiden Abbildungsbedingungen automatisch geschaltet werden),

— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 3 000 W, Überbrückung > 30 Min bei 50 % Belastung

FIB,

— Einbindung in REM-Steuer-, 3D Tomographie-, EBSD- und EDX-Software

EDX,

— Auflösung bei 130 000 cps: ?127eV bei Mn K?, ?56eV bei C K?,

— Einblendung von theoretischen Peak-Profilen zur Überprüfung der automatischen,

— EBSD Kamera mit CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Sensor für hohe Geschwindigkeit und Auflösung: Geschwindigkeit > 200 pps bei Pixel > 1000 x 1000 und simultan mit EDX,

— Unterstützung TKD (Transmission Kikuchi Diffraction) Analysen.

1. Beschreibung der technischen (Mindest-)Anforderung

— FoV (Field of View) >= 10 mm

— STEM/TE-System (Scanning Transmission System), rückziehbar,

— euzentrischer Probentisch: voll-motorisierter Probentisch mit X/Y: >=100 mm; Z: >=50mm; R: 360

— Softwaremodul: korrelative Mikroskopie, Übertragung von Positionsfiles anderer Bildquellen (z. B. Lichtmikroskopie),

— Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 2 kWn,

— REM muss mit ToF- SIMS aus-/nachrüstbar sein, inklusive Softwareintegration, siehe Punkt 7,

— Auflösung <= 3 nm (Ga) bei 30 kV und 1 pA,

Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:

Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung Max-Planck-Str. 1 21502 Geesthacht

Verfahren
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Wertungskriterium Hardware
Qualitätskriterium (Gewichtung): 60
Preis (Gewichtung): 40

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2018-08-28 📅
Name: Carl Zeiss Microscopy GmbH
Postanschrift: Carl-Zeiss-Str. 22
Postort: Oberkochen
Postleitzahl: 73447
Land: Deutschland 🇩🇪
Ostalbkreis 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 909 900 EUR 💰
Datum des Vertragsabschlusses: 2018-08-31 📅
Name: TESCAN GmbH
Postanschrift: Zum Lonnenhohl 46
Postort: Dortmund
Postleitzahl: 44319
Land: Dortmund, Kreisfreie Stadt 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 864 000 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 2
3

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:

Gegen die Bestimmungen über das Vergabeverfahren hin. § 107 Abs. 3 Satz 1 GWB lautet: „Der Antrag (auf Nachprüfung) ist unzulässig, soweit:

1) der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat,

Die Auftraggeberin weist insbesondere darauf hin, dass ein Antrag auf Einleitung eines Nachprüfungsverfahrens gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB unzulässig ist, wenn nach Eingang der Mitteilung der Auftraggeberin, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen (Nichtabhilfeentscheidung), mehr als 15 Kalendertage vergangen sind. Die Vergabestelle weist zudem ausdrücklich auf die Fristen des § 101a GWB hin. Die Auftraggeberin wird gemäß § 101a GWB die Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, hiervon vor Zuschlagserteilung nach Maßgabe des § 101 a Abs. 1 GWB informieren. Bei schriftlicher Information darf der Vertrag erst 15 Kalendertage, bei Information per Telefax oder E-Mail erst 10 Kalendertage nach Absendung der Information geschlossen werden (§ 101a Abs. 1 Satz 3 und 4 GWB). Die Frist beginnt am Tag der Absendung der Information durch die Auftraggeberin, § 101 a Abs. 1 Satz 5 GWB.

Quelle: OJS 2018/S 169-384665 (2018-09-03)

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