Trockenätzer: Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2018-04-02.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2018-02-27.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Auftragsbekanntmachung (2018-02-27) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Referenznummer: E_124_224750 ChrPat-wit FMD
Kurze Beschreibung:
Trockenätzer:
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke📦 Ort der Leistung
NUTS-Region: Berlin
🏙️
Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastr. 27 c
Postleitzahl: 80686
Postort: München
Kontakt
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de📧
URL der Dokumente: http://www.deutsche-evergabe.de/🌏
URL der Teilnahme: http://www.deutsche-evergabe.de/🌏
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden,
— Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB),
— Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden,
— Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB),
— Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Trockenätzer:
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Dauer: 10 Monate
Beschreibung der Optionen: Servicevertrag
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort: 10587 Berlin
Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen Bedingungen für die Teilnahme
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
(1) Firmenprofil mit Angabe der Anzahl der Mitarbeiter;
(2) Angaben zum Umsatz der letzten 3 Jahre;
(3) Eigenerklärung über das Nichtvorliegen von Ausschlussgründen (s. Anlage).
Technische und berufliche Fähigkeiten:
(4) Auszug aus dem Gewerbezentralregister gemäß § 150a GewO (wird durch den Auftraggeber angefordert);
(5) Komplette Referenzen (Kontaktdaten) von vergleichbaren Systemen, nicht älter als 3 Jahre.
Auftragsausführung
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter III.1.) aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen, deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Verfahren
Mindestzahl der Bewerber: 3
Höchstzahl der Bewerber: 5
Objektive Kriterien für die Auswahl der begrenzten Anzahl von Bewerbern: Gemäß Eignungskriterien, Referenzen
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 23:59
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Englisch 🗣️
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden,
— Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB),
— Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
— Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter Ziffer I.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt
Postanschrift: Villemombler Straße 76
Postort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland 🇩🇪
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf 10 Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB).
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf 10 Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB).
Für Mediationsverfahren zuständige Stelle
Name: Vergabeprüfstelle des BMBF Referat Z 23
Postanschrift: Heinemannstraße 2
Postleitzahl: 53175
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postort: München
Postleitzahl: 80686
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de📧
Internetadresse: http://www.fraunhofer.de🌏
Quelle: OJS 2018/S 042-091565 (2018-02-27)
Ergänzende Angaben (2018-03-14) Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Trockenätzer:
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3x3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3x3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ergänzende Angaben
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. über Vergabeportal eVergabe
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3x3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3x3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2018-10-11) Objekt Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter ZifferI.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
— Anforderung Unterlagen – erhältlich bei: Die Vergabeunterlagen können ausschließlich über das Vergabeportal der deutschen e-Vergabe unter www.deutsche-evergabe.de abgerufen werden. – Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch den Bestimmungen über nicht berücksichtigte Angebote (§134 GWB) – Fragen oder Hinweise der Bieter können nur in deutscher Sprache und ausschließlich per E-Mail an die unter ZifferI.1 genannte Kontaktstelle gerichtet werden. Soweit relevant, werden Antworten auf Fragen oder Hinweise der Bieter auch an alle anderen Bieter versandt.
Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2018-09-12 📅
Name: SENTECH Gesellschaft für Sensortechnik mbH
Postanschrift: Konrad-Zuse-Bogen 13
Postort: Krailling
Postleitzahl: 82152
Land: Deutschland 🇩🇪 Starnberg
🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 0.01 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 2
Ergänzende Informationen Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf zehn Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB).
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren
Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf zehn Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB).