Anbieter: Sentech Gesellschaft für Sensortechnik mbH
>20 archivierte Beschaffungen
Sentech Gesellschaft für Sensortechnik mbH war in der Vergangenheit ein Lieferant von laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser), elektrische Maschinen, Geräte, Ausstattung und Verbrauchsartikel; Beleuchtung und industrielle Maschinen.
Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter Sentech Gesellschaft für Sensortechnik mbH erwähnt wird
2023-07-20
RIE Trockenätzer - PR454851-3240-W (Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12)
RIE Trockenätzer Ansicht der Beschaffung »
RIE Trockenätzer Ansicht der Beschaffung »
2023-05-16
Lieferung ICP (inductively coupled plasma) DRIE (deep reactive ion etching) Ätzanlage gemäß Leistungsbeschreibung (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung ICP (inductively coupled plasma) DRIE (deep reactive ion etching) Ätzanlage gemäß Leistungsbeschreibung Ansicht der Beschaffung »
Lieferung ICP (inductively coupled plasma) DRIE (deep reactive ion etching) Ätzanlage gemäß Leistungsbeschreibung Ansicht der Beschaffung »
2023-05-08
PE-CVD Anlage Technische Physik 2023 (Freistaat Bayern vertreten durch die Julius-Maximilians-Universität Würzburg)
Im Rahmen des vorliegenden Vergabeverfahrens vergibt der Freistaat Bayern (Auftraggeber) – hier vertreten durch die Julius-Maximilians-Universität Würzburg – die Beschaffung einer PE-CVD Anlage für den Lehrstuhl für Technische Physik an der Julius-Maximilians-Universität Würzburg gemäß dem Leistungsverzeichnis des Verfahrens. Ansicht der Beschaffung »
Im Rahmen des vorliegenden Vergabeverfahrens vergibt der Freistaat Bayern (Auftraggeber) – hier vertreten durch die Julius-Maximilians-Universität Würzburg – die Beschaffung einer PE-CVD Anlage für den Lehrstuhl für Technische Physik an der Julius-Maximilians-Universität Würzburg gemäß dem Leistungsverzeichnis des Verfahrens. Ansicht der Beschaffung »
2023-04-17
PEALE-Prozesskit für RIE-Ätzanlage SI 500 (Friedrich-Schiller-Universität Jena)
Die Friedrich-Schiller-Universität Jena beabsichtigt die Beschaffung eines PEALE-Prozesskits für eine bestehende RIE-Ätzanlage SI 500 der Firma Sentech. Diese Anlage wird für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien genutzt. Durch die Erweiterung der Anlage wird die Durchführung von PEALE (Plasma Enhanced Atomic Layer Etching) Prozessen möglich. Die erweiterte Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit chlorhaltigen … Ansicht der Beschaffung »
Die Friedrich-Schiller-Universität Jena beabsichtigt die Beschaffung eines PEALE-Prozesskits für eine bestehende RIE-Ätzanlage SI 500 der Firma Sentech. Diese Anlage wird für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien genutzt. Durch die Erweiterung der Anlage wird die Durchführung von PEALE (Plasma Enhanced Atomic Layer Etching) Prozessen möglich. Die erweiterte Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit chlorhaltigen … Ansicht der Beschaffung »
2022-03-07
Lieferung eines Atomlagenabscheidungsystems gemäß Leistungsbeschreibung (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung eines Atomlagenabscheidungsystems gemäß Leistungsbeschreibung Ansicht der Beschaffung »
Lieferung eines Atomlagenabscheidungsystems gemäß Leistungsbeschreibung Ansicht der Beschaffung »
2021-08-19
Spektroskopisches Ellipsometer (IHP GmbH - Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik)
Spektroskopisches Ellipsometer Spektralbereich 190 nm - 3500 nm mit vorzugsweise Si CCD und InAs Detektoren Automatischer Pyramidengoniometer mindestens im Bereich von 20Grad - 100Grad, mit minimaler Schrittweite von 0.002Grad Automatischer 200 mm X-Y-Mappingtisch mit einer Genauigkeit < 5 Müm Automatische Probenausrichtung in Höhe und Neigung PC mit Flachbildschirm inklusive Software zur Ansteuerung Hochstabilisierter Kompensator für den UV-VIS- und NIR-Spektralbereich Variabler Strahldurchmesser < 4 … Ansicht der Beschaffung »
Spektroskopisches Ellipsometer Spektralbereich 190 nm - 3500 nm mit vorzugsweise Si CCD und InAs Detektoren Automatischer Pyramidengoniometer mindestens im Bereich von 20Grad - 100Grad, mit minimaler Schrittweite von 0.002Grad Automatischer 200 mm X-Y-Mappingtisch mit einer Genauigkeit < 5 Müm Automatische Probenausrichtung in Höhe und Neigung PC mit Flachbildschirm inklusive Software zur Ansteuerung Hochstabilisierter Kompensator für den UV-VIS- und NIR-Spektralbereich Variabler Strahldurchmesser < 4 … Ansicht der Beschaffung »
2020-10-27
ICP-RIE-Plasmaätzanlage (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung Einkauf und Gerätewirtschaft C2 – Vergabestelle Bau)
ICP-RIE-Plasmaätzanlage. Ansicht der Beschaffung »
ICP-RIE-Plasmaätzanlage. Ansicht der Beschaffung »
2020-04-21
ICP-Plasma-Ätzanlage (Universität des Saarlandes)
ICP-Plasma-Ätzanlage zur Herstellung von photonischen und mechanischen Mikro- und Nanostrukturen in ultraharten Materialien (vgl. Leistungsbeschreibung). Ansicht der Beschaffung »
ICP-Plasma-Ätzanlage zur Herstellung von photonischen und mechanischen Mikro- und Nanostrukturen in ultraharten Materialien (vgl. Leistungsbeschreibung). Ansicht der Beschaffung »
2020-03-04
Weitbereichsspektralellipsometrie-System für Analyseaufgaben (TU Ilmenau SG Beschaffung)
Lieferung und Inbetriebnahme eines spektroskopischen Weitbereichsellipsometriesystems bestehend aus einem UV-Vis-NIR- und einem NIR-MIR-Gerät mit einer spektralen Gesamtbreite von 200 nm bis mindestens 25 μm zur Bestimmung der Schichtdicken bei Mehrfachschichtsystemen, der optischen (und elektronischen) Eigenschaften von Schichten und Festkörpern sowie struktureller Eigenschaften von regelmäßigen geometrischen Strukturen. Das UV-Vis-NIR- Ellipsometermodul muss zur Bestimmung der vollen 4 x 4 … Ansicht der Beschaffung »
Lieferung und Inbetriebnahme eines spektroskopischen Weitbereichsellipsometriesystems bestehend aus einem UV-Vis-NIR- und einem NIR-MIR-Gerät mit einer spektralen Gesamtbreite von 200 nm bis mindestens 25 μm zur Bestimmung der Schichtdicken bei Mehrfachschichtsystemen, der optischen (und elektronischen) Eigenschaften von Schichten und Festkörpern sowie struktureller Eigenschaften von regelmäßigen geometrischen Strukturen. Das UV-Vis-NIR- Ellipsometermodul muss zur Bestimmung der vollen 4 x 4 … Ansicht der Beschaffung »
2020-02-26
Lieferung einer Beschichtungsanlage nach der Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition-Methode (PECVD-Beschichtungsanlage) (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung einer Beschichtungsanlage nach der Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition-Methode (PECVD-Beschichtungsanlage). Ansicht der Beschaffung »
Lieferung einer Beschichtungsanlage nach der Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition-Methode (PECVD-Beschichtungsanlage). Ansicht der Beschaffung »
2019-09-27
Diamantätzer (Forschungsverbund Berlin e. V. – Gemeinsame Verwaltung)
Diamant-Ätzers. Ansicht der Beschaffung »
Diamant-Ätzers. Ansicht der Beschaffung »
2019-07-29
Atomic Layer Depositionsanlage (Universität Bielefeld)
Atomic Layer Depositionsanlage. Ansicht der Beschaffung »
Atomic Layer Depositionsanlage. Ansicht der Beschaffung »
2018-11-07
Reaktives Ionenätzsystem (Max-Planck-Institut für Struktur und Dynamik der Materie)
Kauf eines reaktiven Ionenätzsystems Ansicht der Beschaffung »
Kauf eines reaktiven Ionenätzsystems Ansicht der Beschaffung »
2018-06-14
Los 2 - Fluor-Chargenätzer (Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V.)
Los 2 – Fluor-Chargenätzer ist die zweite von 4 Ausschreibungen des Forschungsprojektes „Innovative optische Gesundheitstechnologien basierend auf hocheffizienten und reproduzierbaren Mikrofluidik-Chips (OptoMikro)“. Es soll eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikrostrukturen für Chargenprozesse angeschafft werden. Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen und Sauerstoff bzw. Gemischen davon ätzen lassen. — geplantes … Ansicht der Beschaffung »
Los 2 – Fluor-Chargenätzer ist die zweite von 4 Ausschreibungen des Forschungsprojektes „Innovative optische Gesundheitstechnologien basierend auf hocheffizienten und reproduzierbaren Mikrofluidik-Chips (OptoMikro)“. Es soll eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikrostrukturen für Chargenprozesse angeschafft werden. Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen und Sauerstoff bzw. Gemischen davon ätzen lassen. — geplantes … Ansicht der Beschaffung »
2018-02-27
Trockenätzer (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe)
Trockenätzer: Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen … Ansicht der Beschaffung »
Trockenätzer: Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen … Ansicht der Beschaffung »
2017-09-29
Lieferung, Installation, Inbetrieb- und Endabnahme einer Plasmaätzanlage für das Halbleiterlabor der Max-Planck-Gesellschaft (Halbleiterlabor der Max-Planck-Gesellschaft)
Für die Erweiterung der Technologie wird im MPG Halbleiterlabor eine Plasmaätzanlage benötigt. Ziel ist es, die bisher verwendeten nasschemischen Prozesse durch Plasmaätzprozesse zu ersetzen und dabei die Strukturhaltigkeit (Kantenformen, Unterätzung) wesentlich zu verbessern. Dabei dürfen keine irreversiblen Strahlenschäden an den Bauteilen auftreten. Ansicht der Beschaffung »
Für die Erweiterung der Technologie wird im MPG Halbleiterlabor eine Plasmaätzanlage benötigt. Ziel ist es, die bisher verwendeten nasschemischen Prozesse durch Plasmaätzprozesse zu ersetzen und dabei die Strukturhaltigkeit (Kantenformen, Unterätzung) wesentlich zu verbessern. Dabei dürfen keine irreversiblen Strahlenschäden an den Bauteilen auftreten. Ansicht der Beschaffung »
2017-09-21
Lieferung von Ätzern: 1 ICP-Ätzer BCB; 1 CCP-Ätzer-Gold oder ein Cluster mit jeweils einem der genannten Ätzer (Forschungsverbund Berlin e. V.)
Anlage zum BCB-Ätzen bzw. zum Gold-Ätzen, Lieferung von 2 separaten Geräten, die als Anlage arbeiten oder Lieferung eines Clustersdas beide geräte funktionell verbindet Die konkrete Leistungsbeschreibung befindet sich unter dem Link: http://www.fv-berlin.de/administration/einkauf-bau-liegenschaften-1/ausschreibungen/ausschreibungen Ansicht der Beschaffung »
Anlage zum BCB-Ätzen bzw. zum Gold-Ätzen, Lieferung von 2 separaten Geräten, die als Anlage arbeiten oder Lieferung eines Clustersdas beide geräte funktionell verbindet Die konkrete Leistungsbeschreibung befindet sich unter dem Link: http://www.fv-berlin.de/administration/einkauf-bau-liegenschaften-1/ausschreibungen/ausschreibungen Ansicht der Beschaffung »
2017-08-11
Lieferung und Installation eines DRIE-Ätzers (Forschungsverbund Berlin e. V.)
Anlage zum tiefen Ätzen von Si-Vias (TSV) zur Unterdrückung von Substratmoden für THz-Anwendungen siehe link zur Leistungsbeschreibung: http://www.fv-berlin.de/administration/einkauf-bau-liegenschaften-1/ausschreibungen/ausschreibungen Ansicht der Beschaffung »
Anlage zum tiefen Ätzen von Si-Vias (TSV) zur Unterdrückung von Substratmoden für THz-Anwendungen siehe link zur Leistungsbeschreibung: http://www.fv-berlin.de/administration/einkauf-bau-liegenschaften-1/ausschreibungen/ausschreibungen Ansicht der Beschaffung »
2017-07-19
1 Stück, RIE Ätzsystem für Metalle (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe)
1 Stück, RIE Ätzsystem für Metalle. Es wird eine Anlage, Stückzahl 1, mit entkoppelter Plasmaquelle zum reaktiven Ionenätzen von metallischen Nanostrukturen und Hartmasken (insbesondere aus Chrom, Aluminium, Platin) sowie der Strukturierung von Aluminiumnitrid als piezoelektrischem Wandlermaterial beschafft. Fortsetzung unter II.2.4). Ansicht der Beschaffung »
1 Stück, RIE Ätzsystem für Metalle. Es wird eine Anlage, Stückzahl 1, mit entkoppelter Plasmaquelle zum reaktiven Ionenätzen von metallischen Nanostrukturen und Hartmasken (insbesondere aus Chrom, Aluminium, Platin) sowie der Strukturierung von Aluminiumnitrid als piezoelektrischem Wandlermaterial beschafft. Fortsetzung unter II.2.4). Ansicht der Beschaffung »
2013-05-13
Lieferung eines spektroskopischen Ellipsometers (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung eines spektroskopischen Ellipsometers. Weitere Informationen zu der Ausschreibung finden Sie auf folgender Internetseite: http://www.ptb.de/cms/fachabteilungen/abtz/z11/z113/ausschreibungen.html Ansicht der Beschaffung »
Lieferung eines spektroskopischen Ellipsometers. Weitere Informationen zu der Ausschreibung finden Sie auf folgender Internetseite: http://www.ptb.de/cms/fachabteilungen/abtz/z11/z113/ausschreibungen.html Ansicht der Beschaffung »
2012-11-26
Plasma-unterstützte Atomic Layer Deposition (ALD) Anlage (Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. - Max-Planck-Institut für Intelligente Systeme)
Lieferung und Installation einer Plasma unterstützte Atomic Layer Deposition (ALD) Anlage. Die Anlage ist so konzipiert, dass sowohl Plasma-unterstützte (PE) als auch Thermische (T) ALD möglich sind. Abgeschieden werden Dünnschichten insbesondere aus Oxyden, Nitriden und Metallen. Ansicht der Beschaffung »
Lieferung und Installation einer Plasma unterstützte Atomic Layer Deposition (ALD) Anlage. Die Anlage ist so konzipiert, dass sowohl Plasma-unterstützte (PE) als auch Thermische (T) ALD möglich sind. Abgeschieden werden Dünnschichten insbesondere aus Oxyden, Nitriden und Metallen. Ansicht der Beschaffung »