Forschungslabor Mikroelektronik Cottbus – Senftenberg für Siliziumbasierte Optoelektronik – ForLab FAMOS

BTU Cottbus-Senftenberg

Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, PECVD System mit Vakuumschleuse und rechnergestütztes Kontaktprofilometer
Die Beschaffung von einem Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse und PECVD System mit Vakuumschleuse dient der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, die auf Materialintegration (GeSn, SiGeSn, Oxide und 2D-Materialien) auf dem Grundmaterial Si basieren. Gesucht werden erprobte Systeme, da die Ätz- und Beschichtungsprozesse für Forschungszwecke benötigt werden und unmittelbar in Forschungsprojekten eingesetzt werden sollen.
Das Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse dient zur Übertragung lithografisch hochpräzise definierter Nanostrukturen in das darunterliegende Material. Hierzu ist der Einsatz der Ätzgase Cl2, HBr, CHF3, CF4, SF6, Ar, O2 geplant, zudem soll die Anlage die Möglichkeit zur Regulierung der Wafertemperatur über einen großen Temperaturbereich und die Möglichkeit zum Atomic Layer Etching für sehr gute Kontrolle der Ätztiefen, sehr glatte Oberflächen und hervorragende Uniformität bieten. Gesucht wird ein System, das insbesondere hinsichtlich der Strukturierung des Grundmaterials Si erprobt ist. Darüber hinaus soll diese Anlage durch die große Anzahl der Prozessgase für die Strukturierung unterschiedlicher Materialklassen ausgelegt sein.
Ferner ist zur Oberflächenpassivierung bei optoelektronischen Bauelementen ein PECVD System mit Vakuumschleuse nötig, in dem Si-basierte Oxide (auf TEOS-Basis) und Nitrite sowie a-Si abgeschieden werden können. Die Anlage soll die Abscheidung von passivierenden Schichten speziell bei niedrigen Temperaturen ermöglichen.
Zur Bestimmung der Ätztiefen ist ferner ein rechnergestützes Kontakprofilometer erforderlich. Gesucht wird ein erprobtes System zur rechnergestützten zwei- oder dreidimensionalen Vermessung mikroskopischer oder submikroskopischer Oberflächentopografien inklusive passivem Schwingungsdämpfungstisch zur reinraumgeeigneten Aufstellung.
Folgende LOSE sollen vergeben werden:
— Los 1: Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse,
— Los 2: PECVD System mit Vakuumschleuse,
— Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer.
Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden Los 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
Weitere Informationen und Anforderungen entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2021-02-12. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2021-01-12.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2021-01-12 Auftragsbekanntmachung
2021-02-11 Ergänzende Angaben
2021-05-27 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2021-01-12)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
Referenznummer: F41_000341
Kurze Beschreibung:
Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, PECVD System mit Vakuumschleuse und rechnergestütztes Kontaktprofilometer Die Beschaffung von einem Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse und PECVD System mit Vakuumschleuse dient der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, die auf Materialintegration (GeSn, SiGeSn, Oxide und 2D-Materialien) auf dem Grundmaterial Si basieren. Gesucht werden erprobte Systeme, da die Ätz- und Beschichtungsprozesse für Forschungszwecke benötigt werden und unmittelbar in Forschungsprojekten eingesetzt werden sollen. Das Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse dient zur Übertragung lithografisch hochpräzise definierter Nanostrukturen in das darunterliegende Material. Hierzu ist der Einsatz der Ätzgase Cl2, HBr, CHF3, CF4, SF6, Ar, O2 geplant, zudem soll die Anlage die Möglichkeit zur Regulierung der Wafertemperatur über einen großen Temperaturbereich und die Möglichkeit zum Atomic Layer Etching für sehr gute Kontrolle der Ätztiefen, sehr glatte Oberflächen und hervorragende Uniformität bieten. Gesucht wird ein System, das insbesondere hinsichtlich der Strukturierung des Grundmaterials Si erprobt ist. Darüber hinaus soll diese Anlage durch die große Anzahl der Prozessgase für die Strukturierung unterschiedlicher Materialklassen ausgelegt sein. Ferner ist zur Oberflächenpassivierung bei optoelektronischen Bauelementen ein PECVD System mit Vakuumschleuse nötig, in dem Si-basierte Oxide (auf TEOS-Basis) und Nitrite sowie a-Si abgeschieden werden können. Die Anlage soll die Abscheidung von passivierenden Schichten speziell bei niedrigen Temperaturen ermöglichen. Zur Bestimmung der Ätztiefen ist ferner ein rechnergestützes Kontakprofilometer erforderlich. Gesucht wird ein erprobtes System zur rechnergestützten zwei- oder dreidimensionalen Vermessung mikroskopischer oder submikroskopischer Oberflächentopografien inklusive passivem Schwingungsdämpfungstisch zur reinraumgeeigneten Aufstellung. Folgende LOSE sollen vergeben werden: — Los 1: Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, — Los 2: PECVD System mit Vakuumschleuse, — Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer. Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden Los 1 und Los 2 nur zusammen vergeben. Weitere Informationen und Anforderungen entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.
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Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦
Zusätzlicher CPV-Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦
Ort der Leistung
NUTS-Region: Oberspreewald-Lausitz 🏙️

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für alle Lose
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Einrichtung des öffentlichen Rechts
Name des öffentlichen Auftraggebers: BTU Cottbus-Senftenberg
Postanschrift: Platz der Deutschen Einheit 1
Postleitzahl: 03046
Postort: Cottbus
Kontakt
Internetadresse: https://www.b-tu.de 🌏
E-Mail: christin.markus@b-tu.de 📧
URL der Dokumente: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXP9YY0R5EH/documents 🌏
URL der Teilnahme: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXP9YY0R5EH 🌏

Referenz
Daten
Absendedatum: 2021-01-12 📅
Einreichungsfrist: 2021-02-12 📅
Veröffentlichungsdatum: 2021-01-15 📅
Datum des Endes: 2021-10-29 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2021/S 010-016704
ABl. S-Ausgabe: 10
Zusätzliche Informationen
Bei dem geschätzten Wert handelt es sich um den Netto-Wert.

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, PECVD System mit Vakuumschleuse und rechnergestütztes Kontaktprofilometer
Die Beschaffung von einem Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse und PECVD System mit Vakuumschleuse dient der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, die auf Materialintegration (GeSn, SiGeSn, Oxide und 2D-Materialien) auf dem Grundmaterial Si basieren. Gesucht werden erprobte Systeme, da die Ätz- und Beschichtungsprozesse für Forschungszwecke benötigt werden und unmittelbar in Forschungsprojekten eingesetzt werden sollen.
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Das Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse dient zur Übertragung lithografisch hochpräzise definierter Nanostrukturen in das darunterliegende Material. Hierzu ist der Einsatz der Ätzgase Cl2, HBr, CHF3, CF4, SF6, Ar, O2 geplant, zudem soll die Anlage die Möglichkeit zur Regulierung der Wafertemperatur über einen großen Temperaturbereich und die Möglichkeit zum Atomic Layer Etching für sehr gute Kontrolle der Ätztiefen, sehr glatte Oberflächen und hervorragende Uniformität bieten. Gesucht wird ein System, das insbesondere hinsichtlich der Strukturierung des Grundmaterials Si erprobt ist. Darüber hinaus soll diese Anlage durch die große Anzahl der Prozessgase für die Strukturierung unterschiedlicher Materialklassen ausgelegt sein.
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Ferner ist zur Oberflächenpassivierung bei optoelektronischen Bauelementen ein PECVD System mit Vakuumschleuse nötig, in dem Si-basierte Oxide (auf TEOS-Basis) und Nitrite sowie a-Si abgeschieden werden können. Die Anlage soll die Abscheidung von passivierenden Schichten speziell bei niedrigen Temperaturen ermöglichen.
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Zur Bestimmung der Ätztiefen ist ferner ein rechnergestützes Kontakprofilometer erforderlich. Gesucht wird ein erprobtes System zur rechnergestützten zwei- oder dreidimensionalen Vermessung mikroskopischer oder submikroskopischer Oberflächentopografien inklusive passivem Schwingungsdämpfungstisch zur reinraumgeeigneten Aufstellung.
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Folgende LOSE sollen vergeben werden:
— Los 1: Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse,
— Los 2: PECVD System mit Vakuumschleuse,
— Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer.
Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden Los 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
Weitere Informationen und Anforderungen entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.
Geschätzter Gesamtwert: 905 000 EUR 💰
Informationen über Lose:
Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden Los 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
Bezeichnung des Loses: Trockenätzanlage
Losnummer: LOS 1
Kurze Beschreibung: Trockenätzanlage gemäß Leistungsbeschreibung.
Geschätzter Wert ohne MwSt: 500 000 EUR 💰
Beschreibung der Optionen: Gemäß Leistungsbeschreibung zu Los 1 unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.
Zusätzliche Informationen: Bei dem geschätzten Wert handelt es sich um den Netto-Wert.
Bezeichnung des Loses: PECVD-Anlage
Losnummer: LOS 2
Kurze Beschreibung: PECVD-Anlage gemäß Leistungsbeschreibung.
Geschätzter Wert ohne MwSt: 350 000 EUR 💰
Beschreibung der Optionen: Gemäß Leistungsbeschreibung zu Los 2 unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.
Bezeichnung des Loses: Kontaktprofilometer
Losnummer: LOS 3
Kurze Beschreibung: Kontaktprofilometer gemäß Leistungsbeschreibung
Geschätzter Wert ohne MwSt: 55 000 EUR 💰
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:
BTU Cottbus-Senftenberg Platz der Deutschen Einheit 1
03046 Cottbus
Gebäude 14E, Campus Senftenberg

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Technische und berufliche Fähigkeiten:
Siehe auch Dokument „Eignungskriterien Los 1 und Los 2“ unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“
— Existenz eines eigenen Applikationsreinraums des Herstellers (keine Partner). Es wird erwartet, dass der Anbieter dort mindestens 20 Anlagen, davon mindestens 5 ICP-Trockenätzsysteme und mindestens 3 PECVD-Anlagen, nachweisen kann. Die Zahl der Prozessingenieure sollte mindestens 20 betragen, um eine große Bandbreite an Prozessen abdecken zu können. (Nachweis durch Eigenerklärung, wir behalten uns außerdem das Recht vor, das Labor bei der Auswertung für eine Demonstration zu besuchen.),
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— Existenz einer kostenlosen Service-Hotline, die seit mindestens 10 Jahren läuft und eine Reaktionszeit von maximal 30 Minuten hat (Eigenerklärung und Kontaktinformationen der entsprechenden Personen),
— Reaktionszeit von maximal 2 Arbeitstagen für Servicebesuch (Nachweis durch Eigenerklärung),
— Nachweis von Maßnahmen zur Umweltverträglichkeit (Nachweis z. B. durch ISO 14001:2004 Zertifizierung.

Verfahren
Rechtsgrundlage: 32014L0024
Zeitpunkt des Eingangs der Angebote: 12:00
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2021-03-16 📅
Datum der Angebotseröffnung: 2021-03-16 📅
Zeitpunkt der Angebotseröffnung: 12:01
Zusätzliche Informationen:
Die Angebote werden unverzüglich nach dem Ende der Angebotsfrist von 2 Mitarbeitern der Vergabestelle im 4-Augen-Prinzip geöffnet. Bieter sind lt. VgV bei der Öffnung der Angebote nicht zugelassen.
Vergabekriterien
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Technisch-inhaltliche Anforderungen
Qualitätskriterium (Gewichtung): 60
Qualitätskriterium (Bezeichnung): Service
Qualitätskriterium (Gewichtung): 10
Preis (Gewichtung): 30

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Kontaktperson: VB 2.3 Beschaffung
Dokumente URL: https://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPSatellite/notice/CXP9YY0R5EH/documents 🌏

Referenz
Zusätzliche Informationen
Bitte beachten Sie die Bewerbungsbedingungen eVergabe unter „Vergabeunterlagen“.
Vorsorglich wird insbesondere auf Punkt 1, Nr. 1 der VOL/B mit dem Hinweis verwiesen, dass anderslautende Geschäfts-, Liefer-, oder Zahlungsbedingungen des Auftragnehmers nicht Bestandteil des Vertrages werden.
Bekanntmachungs-ID: CXP9YY0R5EH

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Landes Brandenburg beim Ministerium für Wirtschaft, Arbeit und Energie
Postanschrift: Heinrich-Mann-Allee 107
Postort: Potsdam
Postleitzahl: 14473
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 3318661-610 📞
Fax: +49 3318661-652 📠
Internetadresse: https://mwae.brandenburg.de/de/vergabekammer-nachpr%c3%bcfungsverfahren/bb1.c.478846.de 🌏
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Die Vergabekammer leitet ein Nachprüfungsverfahren nur auf Antrag ein. Antragsbefugt ist jedes Unternehmen, das ein Interesse am Auftrag hat und eine Verletzung in seinen Rechten nach § 97 Abs. 6 GWB durch Nichtbeachtung von Vergabevorschriften geltend macht. Dabei ist darzulegen, dass dem Unternehmen durch die behauptete Verletzung der Vergabevorschriften ein Schaden entstanden ist oder zu entstehen droht. Der Antrag ist unzulässig, soweit:
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1) der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat,
2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind. Der Antrag ist schriftlich bei der Vergabekammer einzureichen und unverzüglich zu begründen.
Quelle: OJS 2021/S 010-016704 (2021-01-12)
Ergänzende Angaben (2021-02-11)
Objekt
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ergänzende Angaben

Referenz
Daten
Absendedatum: 2021-02-11 📅
Einreichungsfrist: 2021-02-19 📅
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-16 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2021/S 032-079676
Verweist auf Bekanntmachung: 2021/S 010-016704
ABl. S-Ausgabe: 32
Zusätzliche Informationen
Die Angebotsfrist wird bis zum 19.2.2021, 12.00 Uhr verlängert. Die Angebote werden danach, um 12.01 Uhr, im 4-Augen-Prinzip von der Vergabestelle geöffnet.
Quelle: OJS 2021/S 032-079676 (2021-02-11)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2021-05-27)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, PECVD System mit Vakuumschleuse und rechnergestütztes Kontaktprofilometer Die Beschaffung von einem Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse und PECVD System mit Vakuumschleuse dient der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, die auf Materialintegration (GeSn, SiGeSn, Oxide und 2D-Materialien) auf dem Grundmaterial Si basieren. Gesucht werden erprobte Systeme, da die Ätz- und Beschichtungsprozesse für Forschungszwecke benötigt werden und unmittelbar in Forschungsprojekten eingesetzt werden sollen. Das Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse dient zur Übertragung lithografisch hochpräzise definierter Nanostrukturen in das darunterliegende Material. Hierzu ist der Einsatz der Ätzgase Cl2, HBr, CHF3, CF4, SF6, Ar, O2 geplant, zudem soll die Anlage die Möglichkeit zur Regulierung der Wafertemperatur über einen großen Temperaturbereich und die Möglichkeit zum Atomic Layer Etching für sehr gute Kontrolle der Ätztiefen, sehr glatte Oberflächen und hervorragende Uniformität bieten. Gesucht wird ein System, das insbesondere hinsichtlich der Strukturierung des Grundmaterials Si erprobt ist. Darüber hinaus soll diese Anlage durch die große Anzahl der Prozessgase für die Strukturierung unterschiedlicher Materialklassen ausgelegt sein. Ferner ist zur Oberflächenpassivierung bei optoelektronischen Bauelementen ein PECVD System mit Vakuumschleuse nötig, in dem Si-basierte Oxide (auf TEOS-Basis) und Nitrite sowie a-Si abgeschieden werden können. Die Anlage soll die Abscheidung von passivierenden Schichten speziell bei niedrigen Temperaturen ermöglichen. Zur Bestimmung der Ätztiefen ist ferner ein rechnergestützes Kontakprofilometer erforderlich. Gesucht wird ein erprobtes System zur rechnergestützten zwei- oder dreidimensionalen Vermessung mikroskopischer oder submikroskopischer Oberflächentopografien inklusive passivem Schwingungsdämpfungstisch zur reinraumgeeigneten Aufstellung. — Los 1: Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, — Los 2: PECVD System mit Vakuumschleuse, — Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer, Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden LOS 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
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Gesamtwert des Auftrags: 903 370 EUR 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Referenz
Daten
Absendedatum: 2021-05-27 📅
Veröffentlichungsdatum: 2021-06-01 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2021/S 104-273443
ABl. S-Ausgabe: 104

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
— Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer,
Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden LOS 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
Beschreibung der Optionen:
Gemäß Leistungsbeschreibung zu Los 1
Gemäß Leistungsbeschreibung zu Los 2
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:
BTU Cottbus-Senftenberg
Universitätsplatz 1
01968 Senftenberg

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2021-04-21 📅
Name: Oxford Instruments GmbH
Postanschrift: Borsigstraße 15a
Postort: Wiesbaden
Postleitzahl: 65205
Land: Deutschland 🇩🇪
Wiesbaden, Kreisfreie Stadt 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 850 000 EUR 💰
Datum des Vertragsabschlusses: 2021-05-03 📅
Name: Schaefer Technologie GmbH
Postanschrift: Robert-Bosch-Str. 31
Postort: Langen
Postleitzahl: 63225
Land: Offenbach, Landkreis 🏙️
Gesamtwert des Auftrags: 53 370 EUR 💰
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1
2

Referenz
Zusätzliche Informationen
Bekanntmachungs-ID: CXP9YY0R0B7.

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Die Vergabekammer leitet ein Nachprüfungsverfahren nur auf Antrag ein. Antragsbefugt ist jedes Unternehmen, das ein Interesse am Auftrag hat und eine Verletzung in seinen Rechten nach § 97 Abs. 6 GWB durch Nichtbeachtung von Vergabevorschriften geltend macht. Dabei ist darzulegen, dass dem Unternehmen durch die behauptete Verletzung der Vergabevorschriften ein Schaden entstanden ist oder zu entstehen droht.
Mehr anzeigen
Der Antrag ist unzulässig, soweit:
Quelle: OJS 2021/S 104-273443 (2021-05-27)
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Region:
Deutschland Brandenburg Brandenburg Cottbus, Kreisfreie Stadt Oberspreewald-Lausitz
Anbieter:
Oxford Instruments GmbH Schaefer Technologie GmbH