Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2021-08-03.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2021-06-29.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool
02.21.O.00
Produkte/Dienstleistungen: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)📦
Kurze Beschreibung:
“Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und...”
Kurze Beschreibung
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.
1️⃣
Ort der Leistung: Jena, Kreisfreie Stadt🏙️
Hauptstandort oder Erfüllungsort:
“Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.
Albert-Einstein-Straße 9
07745 Jena”
Beschreibung der Beschaffung:
“Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und...”
Beschreibung der Beschaffung
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1 nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
Mehr anzeigen Vergabekriterien
Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium, und alle Kriterien werden nur in den Auftragsunterlagen genannt
Dauer
Datum des Endes: 2022-08-31 📅
Informationen über Optionen
Optionen ✅
Beschreibung der Optionen:
“Optionen bitte separat auspreisen.
PE-ALD Modul:
— Zweiter Satz Liner,
— Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil,
— Prozessieren durch thermische ALD,
—...”
Beschreibung der Optionen
Optionen bitte separat auspreisen.
PE-ALD Modul:
— Zweiter Satz Liner,
— Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil,
— Prozessieren durch thermische ALD,
— Ellipsometrieanalysepaket,
— Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung,
— Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 C.
PVD Modul:
— Heizung des Substrattisches >= 300 C.
Alternatives PECVD-Modul:
— HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box),
— Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster,
— Zweiter Satz Liner.
Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen Bedingungen für den Vertrag
Bedingungen für die Vertragserfüllung:
“— Besonderen Vertragsbedingungen für Lieferleistungen des Leibniz-IPHT Jena,
— Eigenerklärungen gemäß ThürVgG,
— Eigenerklärung für nicht präqualifizierte...”
Bedingungen für die Vertragserfüllung
— Besonderen Vertragsbedingungen für Lieferleistungen des Leibniz-IPHT Jena,
— Eigenerklärungen gemäß ThürVgG,
— Eigenerklärung für nicht präqualifizierte Unternehmen.
Verfahren Art des Verfahrens
Offenes Verfahren
Administrative Informationen
Frist für den Eingang von Angeboten oder Teilnahmeanträgen: 2021-08-03
13:00 📅
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch 🗣️
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Englisch 🗣️
Das Angebot muss gültig sein bis: 2021-09-12 📅
Bedingungen für die Öffnung der Angebote: 2021-08-03
13:00 📅
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2021-08-23) Öffentlicher Auftraggeber Name und Adressen
Name: Leibniz-Institut für Photonische Technologien
URL: https://www.leibniz-ipht.de🌏 Art des öffentlichen Auftraggebers
Andere Art: eingetragener Verein, Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft
Objekt Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
“Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und...”
Kurze Beschreibung
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.
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Gesamtwert der Beschaffung (ohne MwSt.): EUR 1 086 937 💰
Beschreibung
Beschreibung der Beschaffung:
“Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und...”
Beschreibung der Beschaffung
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.
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Qualitätskriterium (Bezeichnung): technische Spezifikationen
Qualitätskriterium (Gewichtung): 75%
Preis (Gewichtung): 25%
Informationen über Optionen
Beschreibung der Optionen:
“6 Optionen (Bitte separat auspreisen)
PE-ALD Modul:
- Zweiter Satz Liner
- Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil
- Prozessieren durch thermische...”
Beschreibung der Optionen
6 Optionen (Bitte separat auspreisen)
PE-ALD Modul:
- Zweiter Satz Liner
- Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil
- Prozessieren durch thermische ALD
- Ellipsometrieanalysepaket
- Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung
- Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 °C
PVD Modul:
- Heizung des Substrattisches ≥ 300 °C
Alternatives PECVD-Modul:
- HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box)
- Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster
- Zweiter Satz Liner
Verfahren Administrative Informationen
Frühere Veröffentlichungen zu diesem Verfahren: 2021/S 126-331236
Auftragsvergabe
1️⃣
Vertragsnummer: 2120162/295301
Titel: Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool
Datum des Vertragsabschlusses: 2021-08-23 📅
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1
Name und Anschrift des Auftragnehmers
Name: Sentech GmbH
Postanschrift: Konrad-Zuse-Bogen 13
Postort: Krailling
Postleitzahl: 82152
Land: Deutschland 🇩🇪
Region: Starnberg🏙️
Der Auftragnehmer ist ein KMU
Angaben zum Wert des Auftrags/der Partie (ohne MwSt.)
Gesamtwert des Auftrags/Loses: EUR 1 086 937 💰
Quelle: OJS 2021/S 166-433387 (2021-08-23)