Beschaffung einer Dünnschicht-Abscheidungsanlage

Beschreibung der Beschaffung

- Factory Acceptance Test (FAT), web-basiert oder vor Ort inkludiert - Installation, Training and Site Acceptance Test (SAT) mit Nutzertraining inkludiert - CE-Kennzeichnung für das Gesamtsystem "- Maximalmaße der Anlage: Höhe 2.95m x Breite 3.60 x Länge 2.60m, bei Überschreitung dieser Maße ist Rücksprache unter Zusendung des Anlagenlayouts nötig. Je nach Anlagenlayout kann eine Überschreitung zum Ausschluss aus dem Vergabeverfahren führen, die Entscheidung hierüber trifft die Westsächsiche Hochschule Zwickau." "- Das Gesamtsystem muss alle zum regulären Betrieb in einem Reinraum nötigen Anlagenbestandteile enthalten (Verkleidungen, Rackmounts, anlageninterne Verrohrung, Schläuche, Bedieneinheiten, Anzeigen...)" Transfer und Kammersystem: Mindestens 3 Port Transferkammersystem, optional 4 Port, je nach Anlagenkonfiguration - Port 1: Kassetten load lock zum Einschleusen von Proben - Port 2: Sputtermodul - Port 3: frei, mit der Option eines späteren Nachrüstens eines Verdampfers (thermisch / Elektronenstrahl) " - Port 4: frei, mit der Option eines späteren Nachrüstens eines Wafer-Wenders, nur nötig, wenn das Sputtermodul in "sputter down" Konfiguration angeboten wird." Handlingsystem, automatisch oder manuell mit >10 Millionen MCBF Sputtermodul in "sputter down" Konfiguration angeboten wird. - End-Effektoren für 150mm wafers/carriers - min. eine Kassette für 150mm Wafer mit 12 Carriern für 100mm Wafer und kleinere Proben - Wafer im Durchmesser von 150mm sollen mit und ohne Flat / Notch in einem Dickenbereich von 200-1000µm oder einem weiteren Dickenbereich bearbeitet werden können. " - Über die Verwendung der mitgelieferten Carrier soll die Bearbeitung von 100mm Wafern (mit und ohne Flat, 200-1000µm Dicke oder einem weiteren Dickenbereich) möglich sein." " - min. 6 Carrier mit hoher thermischer Masse, dieser kann die Verwendung der Substratheizung unmöglich machen, muss jedoch ohne Ausbau der Substratheizung verwendbar sein." Pump- und Gassystem - Turbopumpen an load lock, Prozess- und Transferkammern - ölfreie Vorvakuumpumpen an allen für die Funktion des Systems notwendigen Stellen - Gaskontrollsystem für die Prozessgase ink. MFCs " - Prozessgase: Ar, N2, O2, H2 / CH4, in beliebigen Zusammensetzungen, jedoch Hardware Interlock an O2 Gaslinie, gesperrt bei Betrieb mit H2 oder CH4" " - Prozessgase im Prozessmodul: N2 Spülventil MFC für Ar mit individuellem Ein-/Aus-Ventil MFC für O2 mit individuellem Ein-/Aus-Ventil und Hardware Interlock gegen H2 und CH4 MFC für N2 mit individuellem Ein-/Aus-Ventil MFC für H2/CH4 mit individuellem Ein-/Aus-Ventil" Software - Anlagensteuerungssoftware mit speicherbaren Prozessrezepten und möglichem automatisiertem Prozessablauf " - Datenaufzeichnung der relevanten Prozessparameter, min. Zeit, Prozessmoduldruck, Gasfluss, Leistung. " "- mehrere Nutzerlevel, ab Level 2 passwortgeschützt, min: 1 nur Prozessstart hinterlegter Rezepte 2 Prozessstart und -modifikation bzw. Rezepterstellung 3 manuelle Anlagensteuerung" Prozessmodul - Modul konfiguriert sowohl für co-Deposition mit einem konfokal Setup und weiterhin einem face-to-face Sputtersystem " - konfokale 3" Magnetrons beweglich um das Sputtern vom 6" Magnetron ohne Verschattung und mit flexiblem Abstand zu ermöglichen. " " - Bottom-up Konfiguration (Quellen unten in Kammer, Probe oben), oder Top-down Konfiguration, mit der Option für einen später nachrüstbaren Wafer-Wender, für die spätere Beladung des Verdampfers vorgesehen." " - Leicht aus der Kammer zur Reinigung entfernbarer Liner (extra Set als Tauschteil inkludiert) zur Vermeidung parasitärer Abscheidung an den Kammerwänden" - Basisdruck im E-8 mbar Bereich oder besser - Upstream und downstream Druckregulierung möglich " - 4 Stück 3" Magnetrons - konfokale Anordnung - co-deposition, RF and DC/gepulst DC sputtering möglich - Individueller Quellen-Shutter vor jedem Target - Automatischer Magnetron Kippwinkel als Rezeptvorwahl - Uniformity besser als +/-5% auf 150mm Wafer (Randausschluss max.: 5mm) - Abscheiderate für Al min. 100 nm/min" " - 1 Stück 6" Magnetron - Face-to-face Konfiguration, DC/pDC sputtern möglich - Automatisierte lineare Z-Bewegung zur Einstellung des Abstandes zum Target und zurückziehen des Targets bei Verwendung der co-sputter Targets - Uniformity besser als +/-5% auf 100mm Wafer (Randausschluss max.: 5mm) - Abscheiderate für Al min. 300 nm/min" " - 2 St. min. 2.5 kW DC/pDC Netzteile - Erstes Netzteil geteilt zwischen einem 3" Magnetron und dem 6" Magnetron - Zweites Netzteil geteilt zwischen zwei 3" Magnetrons - Automatische rezeptwählbare Softwaresteuerung für den DC-Schalter" " - 1 St. min. 600W HF Netzteil incl. matching network - Geteilt zwischen zwei 3"" Magnetrons - Automatischer softwaregesteuerter HF-Schalter" " - 1 St. min. 300W HF-Netzteil inkl. Matching-Netzwerk z.B. für Substratvorspannung bei DLC-Beschichtungen und Vorreinigung der Substrate in der Kammer." - Substratelektrode für 150mm Wafer/Carrier - Heizelement für die Substratheizung bis min. 1000°C, Homogenität <5K auf einem Durchmesser von 100mm oder größer. - Motorisierter Substrat-Shutter zum Abscheiden von Schichten mit Dickengradient - Kontinuierliche 360°-Substratdrehung, min. 0-20 U/min " - Flansch zur späteren Nachrüstung einer optischen Emissionsüberwachung, dieser ka