Hochratenätzer

Fraunhofer-Gesellschaft

Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 31712100. Hochratenätzer. For our micromachining activities at FhG-ISiT we require a deep silicon system for 6"-wafers. An upgrade to 8" must be possible. The tool must be equipped with one process chamber with a high density plasma source, a load lock and a cassette-to-cassette wafer handler. Manual handling of critical thinned or bonned wafers must be possible. The system must be field proven and fit within the standard requirements of a semiconductor production line. A room temperature silicon etching process is preferred. Main application will be the vertical etching through a wafer. To achieve short process times a etching rate as high as possible is desired, at least 3 ìm/min. In a special case the process has to stop on a thin membrane on the backside of the wafer. Therefore the etching uniformity must be at least ± 5 % over 6"-wafer.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2000-08-05. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2000-07-27.

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2000-07-21 Auftragsbekanntmachung
2000-12-27 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2000-07-21)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Hochratenätzer
Volltext:
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 31712100. Hochratenätzer. For our micromachining activities at FhG-ISiT we require a deep silicon system for 6"-wafers. An upgrade to 8" must be possible. The tool must be equipped with one process chamber with a high density plasma source, a load lock and a cassette-to-cassette wafer handler. Manual handling of critical thinned or bonned wafers must be possible. The system must be field proven and fit within the standard requirements of a semiconductor production line. A room temperature silicon etching process is preferred. Main application will be the vertical etching through a wafer. To achieve short process times a etching rate as high as possible is desired, at least 3 ìm/min. In a special case the process has to stop on a thin membrane on the backside of the wafer. Therefore the etching uniformity must be at least ± 5 % over 6"-wafer.
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Ort der Leistung
Steinburg 🏙️
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ausschreibung
Art des Auftrags: Lieferauftrag
Verordnung: Europäische Gemeinschaften
Originalsprache: Deutsch 🗣️

Verfahren
Verfahrensart: Beschleunigte Verhandlungsverfahren
Vergabekriterien
Entfällt
Angebotsart: Nicht definiert
Art des öffentlichen Auftraggebers: Körperschaften

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer-Gesellschaft
Land: Deutschland 🇩🇪

Referenz
Daten
Veröffentlichungsdatum: 2000-07-27 📅
Empfangsdatum: 2000-07-21 📅
Absendedatum: 2000-07-21 📅
Einreichungsfrist: 2000-08-05 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer (Legacy): 93520-2000
ABl. S-Ausgabe: 142/2000

Objekt
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Mikroelektronische Maschinen und Geräte 📦
Quelle: OJS 2000/S 142-093520 (2000-07-21)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2000-12-27)
Objekt
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Vergebene Aufträge

Verfahren
Verfahrensart: Vergebene Aufträge
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Referenz
Daten
Veröffentlichungsdatum: 2001-01-06 📅
Empfangsdatum: 2000-12-27 📅
Absendedatum: 2000-12-20 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer (Legacy): 2169-2001
ABl. S-Ausgabe: 4/2001
Verweist auf Bekanntmachung: 93520-2000

Objekt
Zuschlagsdetails
Erteilter Auftrag: Auftragnehmer: Alcatel Vac. Technology, F-Annecy Cedex.
Quelle: OJS 2001/S 004-002169 (2000-12-27)
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Region:
Deutschland Schleswig-Holstein Schleswig-Holstein Steinburg