Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und unmaskierten dünnen Filmen auf Si-Substraten. Polysilizium 500 nm-1 ìm, Oxid 0,3 ìm-1 ìm über Aluminium (Ätzmedium Padetch), das dritte Mediensystem soll kompatibel mit den Medien Phosphorsäure Ätzmischung (Aluätzung), Freckle-Ätze (Entfernen von Si-Gries) und BOE (Oxidätzung) sein; Handling der Rückseite nur auf den äußeren 10 mm, kein mechanischer Kontakt auf der Wafervorderseite; automatisches Handling Dry-in Dry-out, Cassette to Cassette; eine Trennung der Medien in der (den) Ätzkammer(n) muss gewährleistet sein; Befüllung der Anlage aus Kleingebinden (2,5-30 l) mit Saugvorrichtung. Die Saugvorrichtung muss Bestandteil der Anlage sein; die Anlage muss eine nach dem Stand der Halbleitertechnik partikelfreie Medienversorgung am Substrat ermöglichen; zur Abnahme erfolgt ein Prozessnachweis. Die im Folgenden spezifizierten Leistungen sind zu erbringen; Homogenität: die geätzten Schichten müssen homogen geätzt werden, und zwar; Wafer to Wafer: weniger als 1 % Abweichung (3 sigma); Wafer; weniger als 5 % Abweichung (3 sigma); Öffnung kleiner Strukturen: Gefordert wird eine 100 %-Öffnung aller Strukturen (typische Dimension >= 2 ìm Stege und Öffnungen in beliebigen Geometrien). Testkriterium ist die Öffnung von 10 aufeinanderfolgend geätzten Wafern des MPI mit vom MPI bereitgestellten Layouts. Auf diesen Wafern müssen bei 20 % Überätzung alle Strukturen geöffnet sein; Partikeltoleranz: Prozesssimulation ohne Ätzmedium in der Anlage unter der Verwendung von Di-Wasser und N2 generiert weniger als 2 Partikel > 0,5 ìm und weniger als 5 Partikel 0,2-0,5 ìm. Die Qualifikation erfolgt an einem MPI-Surfscan mit blanken Wafern.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2001-08-20.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2001-06-21.
Auftragsbekanntmachung (2001-06-13) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: Nassätzanlage
Volltext:
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und unmaskierten dünnen Filmen auf Si-Substraten. Polysilizium 500 nm-1 ìm, Oxid 0,3 ìm-1 ìm über Aluminium (Ätzmedium Padetch), das dritte Mediensystem soll kompatibel mit den Medien Phosphorsäure Ätzmischung (Aluätzung), Freckle-Ätze (Entfernen von Si-Gries) und BOE (Oxidätzung) sein; Handling der Rückseite nur auf den äußeren 10 mm, kein mechanischer Kontakt auf der Wafervorderseite; automatisches Handling Dry-in Dry-out, Cassette to Cassette; eine Trennung der Medien in der (den) Ätzkammer(n) muss gewährleistet sein; Befüllung der Anlage aus Kleingebinden (2,5-30 l) mit Saugvorrichtung. Die Saugvorrichtung muss Bestandteil der Anlage sein; die Anlage muss eine nach dem Stand der Halbleitertechnik partikelfreie Medienversorgung am Substrat ermöglichen; zur Abnahme erfolgt ein Prozessnachweis. Die im Folgenden spezifizierten Leistungen sind zu erbringen; Homogenität: die geätzten Schichten müssen homogen geätzt werden, und zwar; Wafer to Wafer: weniger als 1 % Abweichung (3 sigma); Wafer; weniger als 5 % Abweichung (3 sigma); Öffnung kleiner Strukturen: Gefordert wird eine 100 %-Öffnung aller Strukturen (typische Dimension >= 2 ìm Stege und Öffnungen in beliebigen Geometrien). Testkriterium ist die Öffnung von 10 aufeinanderfolgend geätzten Wafern des MPI mit vom MPI bereitgestellten Layouts. Auf diesen Wafern müssen bei 20 % Überätzung alle Strukturen geöffnet sein; Partikeltoleranz: Prozesssimulation ohne Ätzmedium in der Anlage unter der Verwendung von Di-Wasser und N2 generiert weniger als 2 Partikel > 0,5 ìm und weniger als 5 Partikel 0,2-0,5 ìm. Die Qualifikation erfolgt an einem MPI-Surfscan mit blanken Wafern.
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und unmaskierten dünnen Filmen auf Si-Substraten. Polysilizium 500 nm-1 ìm, Oxid 0,3 ìm-1 ìm über Aluminium (Ätzmedium Padetch), das dritte Mediensystem soll kompatibel mit den Medien Phosphorsäure Ätzmischung (Aluätzung), Freckle-Ätze (Entfernen von Si-Gries) und BOE (Oxidätzung) sein; Handling der Rückseite nur auf den äußeren 10 mm, kein mechanischer Kontakt auf der Wafervorderseite; automatisches Handling Dry-in Dry-out, Cassette to Cassette; eine Trennung der Medien in der (den) Ätzkammer(n) muss gewährleistet sein; Befüllung der Anlage aus Kleingebinden (2,5-30 l) mit Saugvorrichtung. Die Saugvorrichtung muss Bestandteil der Anlage sein; die Anlage muss eine nach dem Stand der Halbleitertechnik partikelfreie Medienversorgung am Substrat ermöglichen; zur Abnahme erfolgt ein Prozessnachweis. Die im Folgenden spezifizierten Leistungen sind zu erbringen; Homogenität: die geätzten Schichten müssen homogen geätzt werden, und zwar; Wafer to Wafer: weniger als 1 % Abweichung (3 sigma); Wafer; weniger als 5 % Abweichung (3 sigma); Öffnung kleiner Strukturen: Gefordert wird eine 100 %-Öffnung aller Strukturen (typische Dimension >= 2 ìm Stege und Öffnungen in beliebigen Geometrien). Testkriterium ist die Öffnung von 10 aufeinanderfolgend geätzten Wafern des MPI mit vom MPI bereitgestellten Layouts. Auf diesen Wafern müssen bei 20 % Überätzung alle Strukturen geöffnet sein; Partikeltoleranz: Prozesssimulation ohne Ätzmedium in der Anlage unter der Verwendung von Di-Wasser und N2 generiert weniger als 2 Partikel > 0,5 ìm und weniger als 5 Partikel 0,2-0,5 ìm. Die Qualifikation erfolgt an einem MPI-Surfscan mit blanken Wafern.
Ort der Leistung München, Kreisfreie Stadt
🏙️ Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ausschreibung
Art des Auftrags: Lieferauftrag
Verordnung: Europäische Gemeinschaften
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot
Angebotsart: Gesamtangebot
Art des öffentlichen Auftraggebers: Körperschaften
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Max-Planck-Institut für extraterrestrische Physik
Land: Deutschland 🇩🇪