2026-08-26   Reaktives Ionenätzen (Freistaat Bayern, vertreten durch die Universität Erlangen-Nürnberg)
Für die aktuell am Lehrstuhl durchzuführenden Projekte ist die Herstellung freistehender Wellenleiter mittels "Faraday Cage Etching" zentral. Dieser komplexe Prozess erfordert zwei völlig unterschiedliche Ätzregime in derselben Kammer. Entsprechend werden Entkoppelte Plasmadichte und Ionenenergie (für p-i-n Dioden Integration) benötigt. Weitere Forschungsprojekte erfordern eine aktive Helium-Rückseitenkühlung (für nanophotonische Wellenleiter), um "Fließen" oder Verbrennen des Elektronenstrahl-Resists … Ansicht der Beschaffung »
2026-02-20   Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage (Universität der Bundeswehr München)
Auftragsgegenstand ist die Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage. Ansicht der Beschaffung »
2025-10-23   Lieferung eines O₂-Photoresist-Strippers (O₂-Asher) einschließlich Nebenleistungen (Installation, Wartung, Support) (Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik)
FBH-2025-142 Lieferung eines O₂-Photoresist-Strippers (O₂-Asher) einschließlich Nebenleistungen (Installation, Wartung, Support) Ansicht der Beschaffung »
2025-10-23   Lieferung eines ICP-RIE-Trockenätzers mit Fluor-Chemie einschließlich Nebenleistungen (Wartung und Support) (Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik)
FBH-2025-0141 Lieferung eines ICP-RIE-Trockenätzers mit Fluor-Chemie einschließlich Nebenleistungen (Wartung und Support) Ansicht der Beschaffung »
2009-02-07   Trockenätzausrüstung (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Weitere Informationen zu der Ausschreibung finden Sie auf folgender Internetseite: http://einkauf.ptb.de. Ansicht der Beschaffung »
2006-09-01   Trockenätzausrüstung (Fraunhofer Gesellschaft)
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: 2 Dry Etcher. ICP RIE Equipment for compound semiconductors with In content. Dry Etcher for 12" Chromium masks. Ansicht der Beschaffung »
2002-03-28   Ätzanlage (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Ätzanlage für Rückseitenvias. Anisotroper Ätzprozess für SiC (Siliciumcarbid). Gassystem SF6, Ar, O2, Cl2. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem Cl2, BCl3, Ar. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem C12, BC13, Ar. Ein-Scheiben-Betrieb, Chuck temperaturgeregelt (5° bis 50° C), Clamping vorzugsweise elektrostatisch, ICP Plasmaquelle bis 3 000 W Leistung, RF Anregung am Chuck bis 600 W Leistung, Ätzgase: SF6, C12, BC13, H2, Ar, O2, trockenes … Ansicht der Beschaffung »
2001-09-22   Zwei-Kammer-Ätzanlage (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. Flexible RIE Plasmaätzanlage mit zwei Kammern für Reinigungen, Ätzen von Dielektrika und Wolframsilizid für produktionsähnliche III/V Prozesse. 100 mm GaAs Scheiben (geeignet oder umrüstbar für 150 mm GaAs). Einzelscheiben-Ätzung; RF Generator bis etwa 600 W, 13,56 MHz; automatisches Matching mit Vorgabe der Vorwärtsleistung oder der DC Bias Spannung (wahlweise); RF Anregung über Substratelektrode (RIE mode); Gaszuführung programmierbar über vier Gaslinien … Ansicht der Beschaffung »
2001-06-23   Metalltrockenätzer (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Metalltrockenätzer. FhG IIS-B, Abteilung Halbleitertechnologie. Strukturierung von metallischen Schichten, diese sind AlSiCu, Ti, TiN. ICP-Ätzkammer (kompatibel nach dem MESC-Standard), ICP-Quelle und Steuerung, RF-Generator (1 kW, 13,56 MHz) und Matching Unit, RF-Generator (300/30 W, 13,56 MHz) und Matching Unit, Phase Lock Unit für zwei 13,56 MHzPSUs, Temperaturkontrolle für die Elektroden, Mechanische Scheibenhalterung mit Helium-Rückseitenkühlung, fünf … Ansicht der Beschaffung »
2001-06-21   Nassätzanlage (Max-Planck-Institut für extraterrestrische Physik)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und … Ansicht der Beschaffung »
2000-11-17   Anlage zum Ätzen von dielektrischen Dünnfilmen (Stadt Dortmund)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. RIE-Anlage. Anlage zum Ätzen von dielektrischen Dünnfilmen bestehend aus SiO2, SiON und Si3N4 mittels Reaktiven Ionen Ätzens. Ansicht der Beschaffung »