Beschaffungen: Trockenätzausrüstung
13 archivierte Beschaffungen
Trockenätzausrüstung wurden von Organisationen wie den folgenden erworben Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V., Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik und Beschaffungsamt des Bundesministeriums des Innern.
In der Vergangenheit waren die Anbieter in diesem Bereich Novel Technology Transfer GmbH und Sentech Gesellschaft für Sensortechnik mbH.
- Drucksachen und zugehörige Erzeugnisse (14 neue Beschaffungen)
- Druckplatten oder Druckwalzen oder andere Träger zur Verwendung bei Druckarbeiten
- Trockenätzausrüstung ⬅️
Die jüngsten Beschaffungen von trockenätzausrüstung in Deutschland
2026-02-20
Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage (Universität der Bundeswehr München)
Auftragsgegenstand ist die Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage. Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand ist die Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage. Ansicht der Beschaffung »
2025-10-23
Lieferung eines O₂-Photoresist-Strippers (O₂-Asher) einschließlich Nebenleistungen (Installation, Wartung, Support) (Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik)
FBH-2025-142 Lieferung eines O₂-Photoresist-Strippers (O₂-Asher) einschließlich Nebenleistungen (Installation, Wartung, Support) Ansicht der Beschaffung »
FBH-2025-142 Lieferung eines O₂-Photoresist-Strippers (O₂-Asher) einschließlich Nebenleistungen (Installation, Wartung, Support) Ansicht der Beschaffung »
2025-10-23
Lieferung eines ICP-RIE-Trockenätzers mit Fluor-Chemie einschließlich Nebenleistungen (Wartung und Support) (Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik)
FBH-2025-0141 Lieferung eines ICP-RIE-Trockenätzers mit Fluor-Chemie einschließlich Nebenleistungen (Wartung und Support) Ansicht der Beschaffung »
FBH-2025-0141 Lieferung eines ICP-RIE-Trockenätzers mit Fluor-Chemie einschließlich Nebenleistungen (Wartung und Support) Ansicht der Beschaffung »
2025-09-26
Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer RIE Ätzanlage (Kurt-Schwabe-Institut für Mess- und Sensortechnik Meinsberg e.V.)
Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer RIE Ätzanlage Ansicht der Beschaffung »
Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer RIE Ätzanlage Ansicht der Beschaffung »
2023-07-20
RIE Trockenätzer - PR454851-3240-W (Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12)
RIE Trockenätzer Ansicht der Beschaffung »
RIE Trockenätzer Ansicht der Beschaffung »
2018-06-08
Kompaktes Ion-Mill-Gerät zum Frontside-Polishing für Analyse- und Entwicklungszwecke (Ion-Beam-Etching &... (Beschaffungsamt des Bundesministeriums des Innern)
Kompaktes Ion-Mill-Gerät zum Fronside-Polishing (IBE & RIBE) Ansicht der Beschaffung »
Kompaktes Ion-Mill-Gerät zum Fronside-Polishing (IBE & RIBE) Ansicht der Beschaffung »
2009-02-07
Trockenätzausrüstung (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Weitere Informationen zu der Ausschreibung finden Sie auf folgender Internetseite: http://einkauf.ptb.de. Ansicht der Beschaffung »
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Lieferung einer RIE-Ätzanlage. Weitere Informationen zu der Ausschreibung finden Sie auf folgender Internetseite: http://einkauf.ptb.de. Ansicht der Beschaffung »
2006-09-01
Trockenätzausrüstung (Fraunhofer Gesellschaft)
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: 2 Dry Etcher. ICP RIE Equipment for compound semiconductors with In content. Dry Etcher for 12" Chromium masks. Ansicht der Beschaffung »
Bezeichnung des Auftrags durch den Auftraggeber: 2 Dry Etcher. ICP RIE Equipment for compound semiconductors with In content. Dry Etcher for 12" Chromium masks. Ansicht der Beschaffung »
2002-03-28
Ätzanlage (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Ätzanlage für Rückseitenvias. Anisotroper Ätzprozess für SiC (Siliciumcarbid). Gassystem SF6, Ar, O2, Cl2. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem Cl2, BCl3, Ar. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem C12, BC13, Ar. Ein-Scheiben-Betrieb, Chuck temperaturgeregelt (5° bis 50° C), Clamping vorzugsweise elektrostatisch, ICP Plasmaquelle bis 3 000 W Leistung, RF Anregung am Chuck bis 600 W Leistung, Ätzgase: SF6, C12, BC13, H2, Ar, O2, trockenes … Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Ätzanlage für Rückseitenvias. Anisotroper Ätzprozess für SiC (Siliciumcarbid). Gassystem SF6, Ar, O2, Cl2. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem Cl2, BCl3, Ar. Anisotroper Ätzprozess für GaAs. Gassystem C12, BC13, Ar. Ein-Scheiben-Betrieb, Chuck temperaturgeregelt (5° bis 50° C), Clamping vorzugsweise elektrostatisch, ICP Plasmaquelle bis 3 000 W Leistung, RF Anregung am Chuck bis 600 W Leistung, Ätzgase: SF6, C12, BC13, H2, Ar, O2, trockenes … Ansicht der Beschaffung »
2001-09-22
Zwei-Kammer-Ätzanlage (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. Flexible RIE Plasmaätzanlage mit zwei Kammern für Reinigungen, Ätzen von Dielektrika und Wolframsilizid für produktionsähnliche III/V Prozesse. 100 mm GaAs Scheiben (geeignet oder umrüstbar für 150 mm GaAs). Einzelscheiben-Ätzung; RF Generator bis etwa 600 W, 13,56 MHz; automatisches Matching mit Vorgabe der Vorwärtsleistung oder der DC Bias Spannung (wahlweise); RF Anregung über Substratelektrode (RIE mode); Gaszuführung programmierbar über vier Gaslinien … Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. Flexible RIE Plasmaätzanlage mit zwei Kammern für Reinigungen, Ätzen von Dielektrika und Wolframsilizid für produktionsähnliche III/V Prozesse. 100 mm GaAs Scheiben (geeignet oder umrüstbar für 150 mm GaAs). Einzelscheiben-Ätzung; RF Generator bis etwa 600 W, 13,56 MHz; automatisches Matching mit Vorgabe der Vorwärtsleistung oder der DC Bias Spannung (wahlweise); RF Anregung über Substratelektrode (RIE mode); Gaszuführung programmierbar über vier Gaslinien … Ansicht der Beschaffung »
2001-06-23
Metalltrockenätzer (Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Metalltrockenätzer. FhG IIS-B, Abteilung Halbleitertechnologie. Strukturierung von metallischen Schichten, diese sind AlSiCu, Ti, TiN. ICP-Ätzkammer (kompatibel nach dem MESC-Standard), ICP-Quelle und Steuerung, RF-Generator (1 kW, 13,56 MHz) und Matching Unit, RF-Generator (300/30 W, 13,56 MHz) und Matching Unit, Phase Lock Unit für zwei 13,56 MHzPSUs, Temperaturkontrolle für die Elektroden, Mechanische Scheibenhalterung mit Helium-Rückseitenkühlung, fünf … Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. 1 Metalltrockenätzer. FhG IIS-B, Abteilung Halbleitertechnologie. Strukturierung von metallischen Schichten, diese sind AlSiCu, Ti, TiN. ICP-Ätzkammer (kompatibel nach dem MESC-Standard), ICP-Quelle und Steuerung, RF-Generator (1 kW, 13,56 MHz) und Matching Unit, RF-Generator (300/30 W, 13,56 MHz) und Matching Unit, Phase Lock Unit für zwei 13,56 MHzPSUs, Temperaturkontrolle für die Elektroden, Mechanische Scheibenhalterung mit Helium-Rückseitenkühlung, fünf … Ansicht der Beschaffung »
2001-06-21
Nassätzanlage (Max-Planck-Institut für extraterrestrische Physik)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und … Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000, 33250000. Kauf einer Nassätzanlage zur Strukturierung von Polysilizium und Oxiden auf 6" Silizium Wafern: Prozessanlage für den Betrieb in Klasse 1 Reinraumumgebung; Prozessierung von 150 mm Silizium Wafer, Dicke 300 ìm-0,8 mm; drei rezirkulierbare sowie verwerfbare Ätzmedien in der Anlage verfügbar; automatische Spüleinrichtung der Prozess-Tanks; Ätzprozess auf der Basis von Sprühen oder Spin-On; Strukturierung bzw. Abätzung von maskierten (Photoresist) und … Ansicht der Beschaffung »
2000-11-17
Anlage zum Ätzen von dielektrischen Dünnfilmen (Stadt Dortmund)
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. RIE-Anlage. Anlage zum Ätzen von dielektrischen Dünnfilmen bestehend aus SiO2, SiON und Si3N4 mittels Reaktiven Ionen Ätzens. Ansicht der Beschaffung »
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 22520000. RIE-Anlage. Anlage zum Ätzen von dielektrischen Dünnfilmen bestehend aus SiO2, SiON und Si3N4 mittels Reaktiven Ionen Ätzens. Ansicht der Beschaffung »