Anlagen zum Abdünnen, für temporäres sowie permanentes Bonden von 200 mm BiCMOS Wafer
Zur Erweiterung und Umsetzung der Forschungsstrategie in den Bereichen Through-Silicon Vias (TSV), 3D-Heterointegration und Mikrofluidik wird ein Labor zur Bearbeitung und Funktionalisierung von BiCMOS Wafern auf der Rückseite aufgebaut, um eine Integration zusätzlicher Komponenten auf der Rückseite zu ermöglichen. Dazu wird ein sogenanntes „NanoLab“ realisiert, um z. B. Wafer zu dünnen und temporär und permanent zu Bonden, um diese anschließend in der Pilotlinie des IHP auf der Rückseite weiter zu bearbeiten. Zur Ausstattung des NanoLab werden verschiedene Prozessabläufe benötigt, die nachfolgend in 3 verschiedene Lose unterteilt sind.
— Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von BiCMOS Wafern,
— Los-2 beinhaltet Anlagen für das Temporäres Bonden von BiCMOS Wafern,
— Los-3 beinhaltet Anlagen für das Permanente Bonden von BiCMOS Wafern.
Es ist zu beachten, dass die verschiedenen Lose und damit die verschiedenen Prozessabläufe einerseits kompatibel zueinander und auch kompatibel mit anderen Prozessen innerhalb der bestehenden Pilotlinie des IHP sein müssen, da die eigenständigen Prozesse zum Abdünnen der Wafer sowie das temporäre und permanente Bonden ein Teil einer gesamten Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf die Verwendung der Anlagen für zukünftige Forschungsaufgaben, die zum Teil oben genannt aber zum Teil heute auch noch nicht abgeschätzt werden können. Dadurch kann eine detaillierte Beschreibung der Tool-Liste und Tool-Konfiguration hier noch nicht erfolgen.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-10-07.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-09-04.
Anbieter
Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:
Wer?
Wie?
Geschichte der Beschaffung
| Datum |
Dokument |
| 2014-09-04
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Auftragsbekanntmachung
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| 2015-06-02
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Bekanntmachung über vergebene Aufträge
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