Anlagen zum Abdünnen, für temporäres sowie permanentes Bonden von 200 mm BiCMOS Wafer

Menge oder Umfang

Los-1:Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von 200 mm BiCMOS Wafern auf Zieldicken unterhalb von 75 µm. Dies wird benötigt, um zum Beispiel im Substrat vergrabene TSVs freizulegen. Dabei wird ein System benötigt, was zum einen eine gute Homogenität über den Wafer als auch zwischen verschiedenen Wafern ermöglicht, da sich dies direkt auf die Ausbeute der BiCMOS Wafer auswirkt. Damit ist ein hohe Anforderung an dem TTV-Wert (Total Thickness Variation) mit Werten im Bereich 1 µm nötig. Die Anlage muss dafür außerdem ein entsprechendes System zur Prozesskontrolle der Waferdicke beinhalten. Weiterhin muss eine entsprechende Kompatibilität zu den Anlagen aus Los-2 und Los-3 gewährleistet sein, da temporär bzw. permanent gebondete Wafer innerhalb der Anlagen aus Los-2 und Los-3 mit der Anlagen zum Abdünnen bearbeitet werden sollen. Los-2:Los-2 beinhaltet Anlagen zum temporären Bonden und Debonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benötigt, um Wafer auf Dicken unterhalb von 100 µm abzudünnen und in der Pilotlinie mit Prozessen wie Fotolithografie, Schichtabscheidung und Strukturierung weiterzubearbeiten. Das Bonden eines Carrier-Wafers soll dabei zur Stabilisierung der Wafer dienen. Dabei muss in erster Linie eine entsprechende Kompatibilität bezüglich des Handlings zu den vorhanden Produktionsan-lagen innerhalb der Pilotlinie gewährleistet werden. Hierbei sind Aspekte wie die thermische Kopplung zwischen dem Chuck und des zu bearbeitenden Wafers zu beachten. Weiterhin muss eine entsprechende Temperaturstabilität bis mindestens 300 °C gewährleistet werden, die in jeden Fall bzw. für jeden Prozessschritt einzeln bewertet werden muss. Aufgrund der Vielzahl an verschiedenen Verfahren des temporären Bonden kann hier kein Verfahren zum temporären Bonden eindeutig spezifiziert werden und muss im laufe des Verhandlungsverfahren spezifiziert werden. Im Anschluss an die Bearbeitung der gebondeten Wafer im Reinraum müssen die Carrier-Wafer zur Stabilisierung durch Debonden wieder entfernt werden. Los-3:Los-3 beinhaltet Anlagen zum permanenten Bonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benö-tigt, um z. B. mikrofluidische Strukturen innerhalb eines Wafers durch permanentes Waferbonden zu realisieren. Dabei wird ein permanentes Bonden zwischen Isolatorschichten wie z. B. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid bei geringen Temperaturen bis max. 400 °C angestrebt welches z. B. durch Fusionsbonden realisiert werden kann. Die Temperaturbegrenzung von max. 400 °C kommt durch das Vorhandensein von Aluminium Leiterbahnen auf der Wafer Vorderseite zustande. Da das Bonden der Wafer aufeinander abgestimmt werden muss, wird ein entsprechendes optisches Alignment benötigt welches eine Genauigkeit im sub-µm Bereich aufweisen muss.