Anlagen zum Abdünnen, für temporäres sowie permanentes Bonden von 200 mm BiCMOS Wafer

IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Zur Erweiterung und Umsetzung der Forschungsstrategie in den Bereichen Through-Silicon Vias (TSV), 3D-Heterointegration und Mikrofluidik wird ein Labor zur Bearbeitung und Funktionalisierung von BiCMOS Wafern auf der Rückseite aufgebaut, um eine Integration zusätzlicher Komponenten auf der Rückseite zu ermöglichen. Dazu wird ein sogenanntes „NanoLab“ realisiert, um z. B. Wafer zu dünnen und temporär und permanent zu Bonden, um diese anschließend in der Pilotlinie des IHP auf der Rückseite weiter zu bearbeiten. Zur Ausstattung des NanoLab werden verschiedene Prozessabläufe benötigt, die nachfolgend in 3 verschiedene Lose unterteilt sind.
— Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von BiCMOS Wafern,
— Los-2 beinhaltet Anlagen für das Temporäres Bonden von BiCMOS Wafern,
— Los-3 beinhaltet Anlagen für das Permanente Bonden von BiCMOS Wafern.
Es ist zu beachten, dass die verschiedenen Lose und damit die verschiedenen Prozessabläufe einerseits kompatibel zueinander und auch kompatibel mit anderen Prozessen innerhalb der bestehenden Pilotlinie des IHP sein müssen, da die eigenständigen Prozesse zum Abdünnen der Wafer sowie das temporäre und permanente Bonden ein Teil einer gesamten Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf die Verwendung der Anlagen für zukünftige Forschungsaufgaben, die zum Teil oben genannt aber zum Teil heute auch noch nicht abgeschätzt werden können. Dadurch kann eine detaillierte Beschreibung der Tool-Liste und Tool-Konfiguration hier noch nicht erfolgen.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2014-10-07. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2014-09-04.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

• Disco Hi-Tec GmbH
• EV Group E. Thallner GmbH

Wer?

• IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Wie?

Wo?

• Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt

Geschichte der Beschaffung

Datum	Dokument
2014-09-04	Auftragsbekanntmachung
2015-06-02	Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Auftragsbekanntmachung (2014-09-04)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
Menge oder Umfang:

Los-1:Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von 200 mm BiCMOS Wafern auf Zieldicken unterhalb von 75 µm. Dies wird benötigt, um zum Beispiel im Substrat vergrabene TSVs freizulegen. Dabei wird ein System benötigt, was zum einen eine gute Homogenität über den Wafer als auch zwischen verschiedenen Wafern ermöglicht, da sich dies direkt auf die Ausbeute der BiCMOS Wafer auswirkt. Damit ist ein hohe Anforderung an dem TTV-Wert (Total Thickness Variation) mit Werten im Bereich 1 µm nötig. Die Anlage muss dafür außerdem ein entsprechendes System zur Prozesskontrolle der Waferdicke beinhalten. Weiterhin muss eine entsprechende Kompatibilität zu den Anlagen aus Los-2 und Los-3 gewährleistet sein, da temporär bzw. permanent gebondete Wafer innerhalb der Anlagen aus Los-2 und Los-3 mit der Anlagen zum Abdünnen bearbeitet werden sollen. Los-2:Los-2 beinhaltet Anlagen zum temporären Bonden und Debonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benötigt, um Wafer auf Dicken unterhalb von 100 µm abzudünnen und in der Pilotlinie mit Prozessen wie Fotolithografie, Schichtabscheidung und Strukturierung weiterzubearbeiten. Das Bonden eines Carrier-Wafers soll dabei zur Stabilisierung der Wafer dienen. Dabei muss in erster Linie eine entsprechende Kompatibilität bezüglich des Handlings zu den vorhanden Produktionsan-lagen innerhalb der Pilotlinie gewährleistet werden. Hierbei sind Aspekte wie die thermische Kopplung zwischen dem Chuck und des zu bearbeitenden Wafers zu beachten. Weiterhin muss eine entsprechende Temperaturstabilität bis mindestens 300 °C gewährleistet werden, die in jeden Fall bzw. für jeden Prozessschritt einzeln bewertet werden muss. Aufgrund der Vielzahl an verschiedenen Verfahren des temporären Bonden kann hier kein Verfahren zum temporären Bonden eindeutig spezifiziert werden und muss im laufe des Verhandlungsverfahren spezifiziert werden. Im Anschluss an die Bearbeitung der gebondeten Wafer im Reinraum müssen die Carrier-Wafer zur Stabilisierung durch Debonden wieder entfernt werden. Los-3:Los-3 beinhaltet Anlagen zum permanenten Bonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benö-tigt, um z. B. mikrofluidische Strukturen innerhalb eines Wafers durch permanentes Waferbonden zu realisieren. Dabei wird ein permanentes Bonden zwischen Isolatorschichten wie z. B. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid bei geringen Temperaturen bis max. 400 °C angestrebt welches z. B. durch Fusionsbonden realisiert werden kann. Die Temperaturbegrenzung von max. 400 °C kommt durch das Vorhandensein von Aluminium Leiterbahnen auf der Wafer Vorderseite zustande. Da das Bonden der Wafer aufeinander abgestimmt werden muss, wird ein entsprechendes optisches Alignment benötigt welches eine Genauigkeit im sub-µm Bereich aufweisen muss.

Menge oder Umfang

Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser) 📦

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren
Angebotsart: Angebot für ein oder mehrere Los(e)
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Sonstiges
Name des öffentlichen Auftraggebers: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Postleitzahl: 15236
Postort: Frankfurt (Oder)
Kontakt
E-Mail: rohner@ihp-microelectronics.com 📧
Telefon: +49 3355625359 📞
Fax: +49 335562525359 📠

Referenz
Daten
Absendedatum: 2014-09-04 📅
Einreichungsfrist: 2014-10-07 📅
Veröffentlichungsdatum: 2014-09-09 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2014/S 172-304620
ABl. S-Ausgabe: 172
Zusätzliche Informationen

Weitere vorzulegende Nachweise: Eigenerklärung ILO (Mit dem Angebot mittels Eigenerklärung vorzulegen). Tariftreue (Mit dem Angebot mittels Eigenerklärung vorzulegen). Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYRF. Elektronische Einreichung von Angeboten und Teilnahmeanträgen: http://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:

— Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von BiCMOS Wafern,

— Los-2 beinhaltet Anlagen für das Temporäres Bonden von BiCMOS Wafern,

— Los-3 beinhaltet Anlagen für das Permanente Bonden von BiCMOS Wafern.

Es ist zu beachten, dass die verschiedenen Lose und damit die verschiedenen Prozessabläufe einerseits kompatibel zueinander und auch kompatibel mit anderen Prozessen innerhalb der bestehenden Pilotlinie des IHP sein müssen, da die eigenständigen Prozesse zum Abdünnen der Wafer sowie das temporäre und permanente Bonden ein Teil einer gesamten Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf die Verwendung der Anlagen für zukünftige Forschungsaufgaben, die zum Teil oben genannt aber zum Teil heute auch noch nicht abgeschätzt werden können. Dadurch kann eine detaillierte Beschreibung der Tool-Liste und Tool-Konfiguration hier noch nicht erfolgen.

Menge oder Umfang:

Los-1:

Los-1 beinhaltet eine Anlage zum Abdünnen von 200 mm BiCMOS Wafern auf Zieldicken unterhalb von 75 µm. Dies wird benötigt, um zum Beispiel im Substrat vergrabene TSVs freizulegen. Dabei wird ein System benötigt, was zum einen eine gute Homogenität über den Wafer als auch zwischen verschiedenen Wafern ermöglicht, da sich dies direkt auf die Ausbeute der BiCMOS Wafer auswirkt. Damit ist ein hohe Anforderung an dem TTV-Wert (Total Thickness Variation) mit Werten im Bereich 1 µm nötig. Die Anlage muss dafür außerdem ein entsprechendes System zur Prozesskontrolle der Waferdicke beinhalten. Weiterhin muss eine entsprechende Kompatibilität zu den Anlagen aus Los-2 und Los-3 gewährleistet sein, da temporär bzw. permanent gebondete Wafer innerhalb der Anlagen aus Los-2 und Los-3 mit der Anlagen zum Abdünnen bearbeitet werden sollen.

Los-2:

Los-2 beinhaltet Anlagen zum temporären Bonden und Debonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benötigt, um Wafer auf Dicken unterhalb von 100 µm abzudünnen und in der Pilotlinie mit Prozessen wie Fotolithografie, Schichtabscheidung und Strukturierung weiterzubearbeiten. Das Bonden eines Carrier-Wafers soll dabei zur Stabilisierung der Wafer dienen. Dabei muss in erster Linie eine entsprechende Kompatibilität bezüglich des Handlings zu den vorhanden Produktionsan-lagen innerhalb der Pilotlinie gewährleistet werden. Hierbei sind Aspekte wie die thermische Kopplung zwischen dem Chuck und des zu bearbeitenden Wafers zu beachten. Weiterhin muss eine entsprechende Temperaturstabilität bis mindestens 300 °C gewährleistet werden, die in jeden Fall bzw. für jeden Prozessschritt einzeln bewertet werden muss. Aufgrund der Vielzahl an verschiedenen Verfahren des temporären Bonden kann hier kein Verfahren zum temporären Bonden eindeutig spezifiziert werden und muss im laufe des Verhandlungsverfahren spezifiziert werden. Im Anschluss an die Bearbeitung der gebondeten Wafer im Reinraum müssen die Carrier-Wafer zur Stabilisierung durch Debonden wieder entfernt werden.

Los-3:

Los-3 beinhaltet Anlagen zum permanenten Bonden von 200 mm BiCMOS Wafern. Dies wird benö-tigt, um z. B. mikrofluidische Strukturen innerhalb eines Wafers durch permanentes Waferbonden zu realisieren. Dabei wird ein permanentes Bonden zwischen Isolatorschichten wie z. B. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid bei geringen Temperaturen bis max. 400 °C angestrebt welches z. B. durch Fusionsbonden realisiert werden kann. Die Temperaturbegrenzung von max. 400 °C kommt durch das Vorhandensein von Aluminium Leiterbahnen auf der Wafer Vorderseite zustande. Da das Bonden der Wafer aufeinander abgestimmt werden muss, wird ein entsprechendes optisches Alignment benötigt welches eine Genauigkeit im sub-µm Bereich aufweisen muss.

Referenznummer: IHP-2014-T-084
Ort der Leistung
Hauptstandort oder Erfüllungsort:

IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder).

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung:

Nachweis der Eintragung im Berufs- oder Handelsregister nach Maßgaben der Rechtsvorschriften des Landes der Gemeinschaft oder des Vertragsstaates des EWR-Abkommens, in dem das Unternehmen tätig ist gem. § 7EG, Abs. 8, VOL/A, Stand 2009 Bescheinigung der zuständigen Stellen oder Erklärungen darüber, dass die in § 6EG, Absatz 6, VOL/A genannten Ausschlussgründe auf das Unternehmen nicht zutreffen, gem. § 7EG, Abs. 7, VOL/A Stand 2009.

Referenzen:

Es werden vergleichbare auftragsbezogene Firmenreferenzen in Bezug zur ausgeschriebenen Leistung erwartet. Vergleichbar heißt Referenzen in Zusammenarbeit mit dem Auftrag. Es müssen von den Bietern Referenzen präsentiert werden, dass gleiche oder vergleichbare Entwicklungen von Prozessmodulen (Abdünnen von 200 mm Wafern auf unter 75 µm, Handling und Prozessierung von dünnen 200 mm CMOS/BiCMOS Wafer unter 75 µm Dicke in einer CMOS/BiCMOS Pilotlinie, permanentes Bonden von 200 mm CMOS/BiCMOS Wafern) in der Vergangenheit schon erfolgreich realisiert und umgesetzt wurden. Die Referenzen werden dann nach Art und Umfang anhand von Punkten 1-6 bewertet. Die Referenzen sind als Art Referenzbescheinigung durch den Bieter mit den folgenden Angaben mit der Angebotsabgabe einzureichen:

— Referenzgeber,

— Ansprechpartner des Referenzgebers inklusive Telefonnummer,

— Zeitraum Beginn/Ende der Ausführung,

— Kurzbeschreibung des Auftragsumfangs.

Referenzen können nur bei vollständigen Angaben bewertet werden.

Benennung der Einsatzkapazitäten an Personal einschließlich Qualifizierungsdarstellung

Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:

Vorlage von Bilanzen oder Bilanzauszügen des Unternehmens, falls deren Veröffentlichung nach dem Gesellschaftsrecht des Staates, in dem das Unternehmen ansässig ist, vorgeschrieben ist, gem. § 7EG, Abs. 2 c), VOL/A, Stand 2009.

Erklärung über den Gesamtumsatz des Unternehmens sowie den Umsatz bezüglich der besonderen Leistungsart, die Gegenstand der Vergabe ist, jeweils bezogen auf die letzten 3 Geschäftsjahre, gem. § 7EG, Abs. 2 d), VOL/A, Stand 2009.

Gewerbean- bzw. -ummeldung, ggf. Gewerbeerlaubnis .

Eigenerklärung, dass sich das Unternehmen nicht in Liquidation befindet.

Erklärung zur Vermeidung der Beschaffung von Produkten aus Formen schlimmster Kinderarbeit.

Erklärung über die Einhaltung der Zahlung des vorgeschriebenen Mindestlohns.

Information zur beabsichtigten Auftragsvergabe an Nachunternehmer.

Auftragsausführung
Sonstige besondere Bedingungen: Vorzulegende Nachweise:

Verfahren
Datum der Absendung der Aufforderungen: 2014-10-07 📅
Vergabekriterien
Kriterium: 1. Preis (40)
2. Funktionalität entsprechend Anforderungen in der Leistungsbeschreibung (24)
3. Kompatibilität innerhalb der Prozessmodule (18)
4. Betriebs- und Folgekosten (12)
5. Lieferzeitpunkt und Lieferungs- und Ausführungsfrist (6)
Sprachen
Sprache: Deutsch 🗣️

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Andere Art des öffentlichen Auftraggebers: Other
Kontakt
Kontaktperson: Beschaffung
Frau Sophie Rohner
Name: IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Referenz
Daten
Datum des Beginns: 2014-11-17 📅
Datum des Endes: 2015-03-27 📅
Kennungen
Vom öffentlichen Auftraggeber vergebene Referenznummer: IHP-2014-T-084
Zusätzliche Informationen

Weitere vorzulegende Nachweise:

Eigenerklärung ILO (Mit dem Angebot mittels Eigenerklärung vorzulegen).

Tariftreue (Mit dem Angebot mittels Eigenerklärung vorzulegen).

Bekanntmachungs-ID: CXSTYYDYYRF.

Elektronische Einreichung von Angeboten und Teilnahmeanträgen: http://vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Landes Brandenburg beim Ministerium für Wirtschaft und Europaangelegenheiten
Postanschrift: Heinrich-Mann-Allee 107
Postort: Potsdam
Postleitzahl: 14473
Land: Deutschland 🇩🇪
Telefon: +49 3318661719 📞
Fax: +49 3318661652 📠
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Wie: Kontakt
Quelle: OJS 2014/S 172-304620 (2014-09-04)

Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2015-06-02)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 2 336 960 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Single Wafer Spin Etch System

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-06-02 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-06-05 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 107-193944
Verweist auf Bekanntmachung: 2014/S 172-304620
ABl. S-Ausgabe: 107

Auftragsvergabe

1️⃣
Datum des Vertragsabschlusses: 2014-12-15 📅
Name: EV Group E. Thallner GmbH
Postort: Neuhaus
Postleitzahl: 94152
Land: Deutschland 🇩🇪

2️⃣

3️⃣
Datum des Vertragsabschlusses: 2014-12-09 📅
Name: Disco Hi-Tec GmbH
Postort: Kirchheim
Postleitzahl: 85551
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 2

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Kontaktperson: Sophie Rohner
Quelle: OJS 2015/S 107-193944 (2015-06-02)

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