Lieferung und Installation eines Rasterelektronenmikroskops mit EDX- und EBSD-System sowie Nanoindenter

Technische Universität Dresden

Das ausgeschriebene Gerätesystem soll im Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) der Technischen Universität Dresden installiert und betrieben werden.
Das Ziel der Ausschreibung ist die Beschaffung eines leistungsstarken Rasterelektronenmikroskops mit EDX- und EBSD-System sowie Nanoindenter, wobei Lieferung, Aufstellung, Inbetriebnahme und Einweisung in die Nutzung, Auswertung und Problembehebung eingeschlossen sind. Mit der geplanten Infrastrukturmaßnahme soll im Rahmen des DCN ein Elektronenmikroskop mit Analytik-Zusätzen, die über die reine Abbildung hinausgehen, für die zukunftsorientierte Forschung auf den Gebieten der Mikroelektronik und Nanotechnologien sowie neuer Werkstoffe für Leichtbau, Energie und Umwelt bereitgestellt werden. Bei dem anzuschaffenden Gerätesystem handelt es sich um eine neuartige Kombination aus einem Rasterelektronenmikroskop mit geringer intrinsischer Energiebreite und mit hoher Auflösung bei niedrigen Anregungs-spannungen, sowie mit EDX-System (energiedispersive Röntgenspektroskopie), EBSD-System (Beugung rückgestreuter Elektronen) und in-situ Nanoindenter. Auf diese Weise wird eine umfassende Charakterisierung von Materialien ermöglicht, insbesondere die kinetische Untersuchung von Prozessen in Materialien, Strukturen und Systemen (4D-Analytik).
Mit dem anzuschaffenden Gerätesystem und insbesondere durch die Kombination von Analytik- und Manipulationssystemen werden die Untersuchung von nanoskaligen Funktionswerkstoffen und Strukturen sowie die Lösung anwendungsorientierter Aufgabenstellungen weit über das heute mit der Rasterelektronenmikroskopie übliche Niveau möglich. Mit dem Vorhaben wird eine Infrastruktur geschaffen, die für die High-Tech-Industrie in Sachsen, z. B. für die silizium-basierte Mikroelektronik und die organische Elektronik, aber auch die Leichtbau-Branche, von hohem Nutzen ist.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2015-03-02. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2015-01-14.

Anbieter

Die folgenden Lieferanten werden in Vergabeentscheidungen oder anderen Beschaffungsunterlagen erwähnt:

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2015-01-14 Auftragsbekanntmachung
2015-07-24 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
2015-07-24 Bekanntmachung über vergebene Aufträge
Auftragsbekanntmachung (2015-01-14)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Rasterelektronenmikroskope
Menge oder Umfang:
Lieferung, Installation des Rasterelektronenmikroskops (Los 1) gemäß LeistungsbeschreibungErstausstattung an Verbrauchsmaterial, Zubehör und Ersatzteile gemäß der technischen Spezifikation2-tägige Vor-Ort-Schulungoptional: Wartungsvertrag für 2 JahreLieferung, Installation des EDX/EBSD Systems (Los 2) gemäß Leistungsbeschreibung2-tägige Vor-Ort-Schulung EDX/EBSDoptional: Wartungsvertrag für 2 Jahre EDX/EBSDLieferung, Installation des Indenter-Systems (Los 3) gemäß Leistungsbeschreibung und der angebotenen technischen Spezifikation2-tägige Vor-Ort-Schulung Indenteroptional: Wartungsvertrag für 2 Jahre Indenter.815 000
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Gesamtwert des Auftrags: 457 000 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Dokumenttyp: Auftragsbekanntmachung
Art des Auftrags: Lieferungen
Verordnung: Europäische Union, mit GPA-Beteiligung
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Rasterelektronenmikroskope 📦

Verfahren
Verfahrensart: Offenes Verfahren
Angebotsart: Angebot für ein oder mehrere Los(e)
Vergabekriterien
Wirtschaftlichstes Angebot

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Land: Deutschland 🇩🇪
Art des öffentlichen Auftraggebers: Einrichtung des öffentlichen Rechts
Name des öffentlichen Auftraggebers: Technische Universität Dresden
Postanschrift: Helmholtzstraße 10
Postleitzahl: 01069
Postort: Dresden
Kontakt
Internetadresse: http://www.tu-dresden.de 🌏
E-Mail: beschaffung@tu-dresden.de 📧
Telefon: +49 35146334223 📞
Fax: +49 35146337102 📠

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-01-14 📅
Einreichungsfrist: 2015-03-02 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-01-17 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 012-016716
ABl. S-Ausgabe: 12

Objekt
Umfang der Beschaffung
Kurze Beschreibung:
Das ausgeschriebene Gerätesystem soll im Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) der Technischen Universität Dresden installiert und betrieben werden.
Das Ziel der Ausschreibung ist die Beschaffung eines leistungsstarken Rasterelektronenmikroskops mit EDX- und EBSD-System sowie Nanoindenter, wobei Lieferung, Aufstellung, Inbetriebnahme und Einweisung in die Nutzung, Auswertung und Problembehebung eingeschlossen sind. Mit der geplanten Infrastrukturmaßnahme soll im Rahmen des DCN ein Elektronenmikroskop mit Analytik-Zusätzen, die über die reine Abbildung hinausgehen, für die zukunftsorientierte Forschung auf den Gebieten der Mikroelektronik und Nanotechnologien sowie neuer Werkstoffe für Leichtbau, Energie und Umwelt bereitgestellt werden. Bei dem anzuschaffenden Gerätesystem handelt es sich um eine neuartige Kombination aus einem Rasterelektronenmikroskop mit geringer intrinsischer Energiebreite und mit hoher Auflösung bei niedrigen Anregungs-spannungen, sowie mit EDX-System (energiedispersive Röntgenspektroskopie), EBSD-System (Beugung rückgestreuter Elektronen) und in-situ Nanoindenter. Auf diese Weise wird eine umfassende Charakterisierung von Materialien ermöglicht, insbesondere die kinetische Untersuchung von Prozessen in Materialien, Strukturen und Systemen (4D-Analytik).
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Mit dem anzuschaffenden Gerätesystem und insbesondere durch die Kombination von Analytik- und Manipulationssystemen werden die Untersuchung von nanoskaligen Funktionswerkstoffen und Strukturen sowie die Lösung anwendungsorientierter Aufgabenstellungen weit über das heute mit der Rasterelektronenmikroskopie übliche Niveau möglich. Mit dem Vorhaben wird eine Infrastruktur geschaffen, die für die High-Tech-Industrie in Sachsen, z. B. für die silizium-basierte Mikroelektronik und die organische Elektronik, aber auch die Leichtbau-Branche, von hohem Nutzen ist.
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Losnummer: 1
Bezeichnung des Loses: Rasterelektronenmikroskop
Kurze Beschreibung:
Das REM soll folgende Auflösung erreichen: < 0.7 nm für den gesamten Bereich der Anregungsspannung von 1 kV – 30 kV, < 1.2 nm im Bereich von 0.2 kV – 1…
… kV.Das Gerät soll über die Möglichkeit der hochauflösenden Abbildung mit niedrigen Landeenergien verfügen. Eine Reduktion der Landeenergien bis hinunter zu 50eV soll bei Primärenergien von bis zu 4keV möglich sein.Das Gerätesystem soll über die Option STEM-Mode verfügen. Für den STEM-Mode soll eine Auflösung < 0.7 nm bei 30 kV erreicht werden. Dabei soll Abbildung im Hellfeld (BF), Dunkelfeld (DF) und Hochwinkeldunkelfeld (HAADF) möglich sein.Das Gerätesystem soll über Kammer und In-lens Detektoren für die Abbildung mittels Sekundär- sowie Rückstreuelektronen verfügen. Insbesondere soll die Abbildung mittel Niedrigverlust-, hochwinkelgestreuten Rückstreuelektronen möglich sein.Das Gerät soll die simultane Abbildung mit mehreren Detektoren gleichzeitig ermöglichen.Die Pixelauflösung der aufgenommenen Bilder soll bis zu mindestens 20MP einstellbar seinFür die Abbildung schlecht leitfähiger Proben sollen kurze Strahlverweilzeiten von weniger als 100ns pro Bildpunkt erreicht werden.Für die Elementanalyse mittels EDX oder EBSD sollen auch hohe Strahlströme (>50nA) möglich sein, um effiziente Kartierungen zu ermöglichen.Wegen der kleinen Probengeometrie für künftige elektronische Strukturen und für die Beobachtung kinetischer Prozesse in mikroelektronischen Bauelementen ist eine automatische Drift-Korrektur mit hoher Genauigkeit im Nanometerbereich erforderlich.Wegen der geplanten Verwendung für EDS/EBSD Karten soll der Probentisch eine Reichweite von mindestens 100mm mit weniger als 100nm Schrittweite und hoher Reproduzierbarkeit erreichen.Zur Optimierung der Nutzungszeit soll das Gerät über eine automatische Justierung verfügen.Das Gerätesystem verfügt über einen integrierten Plasma Cleaner, um zeitsparend die nötige Sauberkeit der Proben zu gewährleisten. Speziell bei der Verwendung von niedrigen Beschleu-nigungsspannungen < 3 kV kann es zu verminderter Bildqualität durch Verschmutzungen der Probenoberflächen kommen.Das Gerät soll über eine Möglichkeit verfügen, eine grobe Probenpositionierung mittels optischer Abbildung vorzunehmen um effizient bestimmte Probenbereiche mittels REM abzubilden.Das Gerät sollte über eine Kammerkamera verfügen, um die Position der Probe sowie diverse Detektoren (EDS, EBSD-Schirm) in Echtzeit überwachen zu können, um eine Beschädigung am Gerät zu vermeiden.Das Gerätesystem soll über Erweiterungsports verfügen, die es ermöglichen ein EDS sowie ein EBSD System zu installieren. Des Weiteren soll das System über mindestens einen zusätzlichen Port verfügen, der eine elektrische Durchführung für einen in situ Indenter ermöglicht.Der Energieverbrauch soll so gering wie möglich sein. Unter normalen Betriebsbedingungen des Gerätes soll der max. Energieverbrauch bei 1,6 kW liegen, mit Spitzen bis auf 2,4 kW.
… kV.
Das Gerät soll über die Möglichkeit der hochauflösenden Abbildung mit niedrigen Landeenergien verfügen. Eine Reduktion der Landeenergien bis hinunter zu 50eV soll bei Primärenergien von bis zu 4keV möglich sein.
Das Gerätesystem soll über die Option STEM-Mode verfügen. Für den STEM-Mode soll eine Auflösung < 0.7 nm bei 30 kV erreicht werden. Dabei soll Abbildung im Hellfeld (BF), Dunkelfeld (DF) und Hochwinkeldunkelfeld (HAADF) möglich sein.
Das Gerätesystem soll über Kammer und In-lens Detektoren für die Abbildung mittels Sekundär- sowie Rückstreuelektronen verfügen. Insbesondere soll die Abbildung mittel Niedrigverlust-, hochwinkelgestreuten Rückstreuelektronen möglich sein.
Das Gerät soll die simultane Abbildung mit mehreren Detektoren gleichzeitig ermöglichen.
Die Pixelauflösung der aufgenommenen Bilder soll bis zu mindestens 20MP einstellbar sein
Für die Abbildung schlecht leitfähiger Proben sollen kurze Strahlverweilzeiten von weniger als 100ns pro Bildpunkt erreicht werden.
Für die Elementanalyse mittels EDX oder EBSD sollen auch hohe Strahlströme (>50nA) möglich sein, um effiziente Kartierungen zu ermöglichen.
Wegen der kleinen Probengeometrie für künftige elektronische Strukturen und für die Beobachtung kinetischer Prozesse in mikroelektronischen Bauelementen ist eine automatische Drift-Korrektur mit hoher Genauigkeit im Nanometerbereich erforderlich.
Wegen der geplanten Verwendung für EDS/EBSD Karten soll der Probentisch eine Reichweite von mindestens 100mm mit weniger als 100nm Schrittweite und hoher Reproduzierbarkeit erreichen.
Zur Optimierung der Nutzungszeit soll das Gerät über eine automatische Justierung verfügen.
Das Gerätesystem verfügt über einen integrierten Plasma Cleaner, um zeitsparend die nötige Sauberkeit der Proben zu gewährleisten. Speziell bei der Verwendung von niedrigen Beschleu-nigungsspannungen < 3 kV kann es zu verminderter Bildqualität durch Verschmutzungen der Probenoberflächen kommen.
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Das Gerät soll über eine Möglichkeit verfügen, eine grobe Probenpositionierung mittels optischer Abbildung vorzunehmen um effizient bestimmte Probenbereiche mittels REM abzubilden.
Das Gerät sollte über eine Kammerkamera verfügen, um die Position der Probe sowie diverse Detektoren (EDS, EBSD-Schirm) in Echtzeit überwachen zu können, um eine Beschädigung am Gerät zu vermeiden.
Das Gerätesystem soll über Erweiterungsports verfügen, die es ermöglichen ein EDS sowie ein EBSD System zu installieren. Des Weiteren soll das System über mindestens einen zusätzlichen Port verfügen, der eine elektrische Durchführung für einen in situ Indenter ermöglicht.
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Der Energieverbrauch soll so gering wie möglich sein. Unter normalen Betriebsbedingungen des Gerätes soll der max. Energieverbrauch bei 1,6 kW liegen, mit Spitzen bis auf 2,4 kW.
Menge oder Umfang: 1 Stück Rasterelektronenmikroskop.
Losnummer: 2
Bezeichnung des Loses: EDX-Analyse und EBSD-Analyse für ein Rasterelektronenmikroskop
Kurze Beschreibung:
Das EDX System soll eine Energieauflösung von mindestens 127eV bei Mn Kα und mindestens 56eV bei C Kα…
… erreichenDer EDX Detektor sollte einen möglichst großen Raumwinkel, mindestens jedoch 0.08sr abdeckenDas EDX System sollte Elemente ab Be(Z=4) detektieren können, sowie die Si Ll, Al Ll Linien detektierenDer Detektor sollte Peltier-gekühlt sein.Das EBSD System sollte eine hochauflösende Kamera (>1MP) mit hoher Empfindlichkeit besitzenDas System soll eine möglichst hohe Geschwindkeit bei der Musteraufnahme besitzen, mindestens jedoch 100 Muster/s.Das System soll für die Anwendung bei niedrigen Beschleunigungsspannungen (≤5kV) und niedrigen Strahlströmen (≤100pA) geeignet sein.Das System soll für in-situ Untersuchungen (z.B. Heizen, mechanische Beanspruchung der Probe) geeignet sein.Das System soll die sowohl für die Verwendung im EBSD als auch im TKD Modus verwendbar sein.Das System soll über Detektoren für vorwärts und rückgestreute Elektronen verfügen.Wegen der kleinen Probengeometrie für künftige elektronische Strukturen und für die Beobachtung kinetischer Prozesse in mikroelektronischen Bauelementen ist eine automatische Drift-Korrektur mit hoher Genauigkeit im Nanometerbereich erforderlich.Wegen der geplanten Verwendung für EDS/EBSD Karten soll das System sowohl den Elektronenstrahl als auch den Probentisch steuern können.Zur Optimierung der Nutzungszeit soll das Gerät über eine automatische Justierung und Kalibrierung verfügen.Das Gerät soll über eine Möglichkeit verfügen, simultan zur Analyse eine Abbildung mittels Detektoren des REM zu ermöglichen.Das Gerät sollte eine einstellbare Entfernung des Phosphorschirms ermöglichen sowie einen komplett rückziehbaren Phosphorschirm besitzen.Das System soll eine korrelative und zeitgleiche EDX/EBSD Analyse ermöglichen.Die Software soll sowohl die Steuerung des Systems als auch des Elektronenstrahls und Probentisches übernehmen.Für EDS Analysen soll die Software eine vollständige Quantifizierung, auch in Echtzeit, ermöglichen.Die Software soll in der Lage sein, Punkt- und Linienanalysen sowie eine Kartierung der Elementverteilung durchzuführen.Die Software soll Summensignale (pile-up) automatisch korrigieren sowie überlappende Signale trennen können (peak dekonvolution)Die Software soll automatisch eine Indizierung der Orientierung sowie deren Kartierung vornehmen können.Analysesoftware soll es ermöglichen, Polfiguren und inverse Polfiguren abzubilden, sowie Phasenverteilungen, (Fehl-)orientierungen, Korn- und Phasengrenzen sowie Verformungen/Spannungszustände in 2D Karten darzustellenDer Zugang zu einer Strukturdatenbank sowie zu einer Datenbank für Energielinien für die automatisierte Auswertung von EDS-Spektren und EBSD Mustern.
… erreichen
Der EDX Detektor sollte einen möglichst großen Raumwinkel, mindestens jedoch 0.08sr abdecken
Das EDX System sollte Elemente ab Be(Z=4) detektieren können, sowie die Si Ll, Al Ll Linien detektieren
Der Detektor sollte Peltier-gekühlt sein.
Das EBSD System sollte eine hochauflösende Kamera (>1MP) mit hoher Empfindlichkeit besitzen
Das System soll eine möglichst hohe Geschwindkeit bei der Musteraufnahme besitzen, mindestens jedoch 100 Muster/s.
Das System soll für die Anwendung bei niedrigen Beschleunigungsspannungen (≤5kV) und niedrigen Strahlströmen (≤100pA) geeignet sein.
Das System soll für in-situ Untersuchungen (z.B. Heizen, mechanische Beanspruchung der Probe) geeignet sein.
Das System soll die sowohl für die Verwendung im EBSD als auch im TKD Modus verwendbar sein.
Das System soll über Detektoren für vorwärts und rückgestreute Elektronen verfügen.
Wegen der geplanten Verwendung für EDS/EBSD Karten soll das System sowohl den Elektronenstrahl als auch den Probentisch steuern können.
Zur Optimierung der Nutzungszeit soll das Gerät über eine automatische Justierung und Kalibrierung verfügen.
Das Gerät soll über eine Möglichkeit verfügen, simultan zur Analyse eine Abbildung mittels Detektoren des REM zu ermöglichen.
Das Gerät sollte eine einstellbare Entfernung des Phosphorschirms ermöglichen sowie einen komplett rückziehbaren Phosphorschirm besitzen.
Das System soll eine korrelative und zeitgleiche EDX/EBSD Analyse ermöglichen.
Die Software soll sowohl die Steuerung des Systems als auch des Elektronenstrahls und Probentisches übernehmen.
Für EDS Analysen soll die Software eine vollständige Quantifizierung, auch in Echtzeit, ermöglichen.
Die Software soll in der Lage sein, Punkt- und Linienanalysen sowie eine Kartierung der Elementverteilung durchzuführen.
Die Software soll Summensignale (pile-up) automatisch korrigieren sowie überlappende Signale trennen können (peak dekonvolution)
Die Software soll automatisch eine Indizierung der Orientierung sowie deren Kartierung vornehmen können.
Analysesoftware soll es ermöglichen, Polfiguren und inverse Polfiguren abzubilden, sowie Phasenverteilungen, (Fehl-)orientierungen, Korn- und Phasengrenzen sowie Verformungen/Spannungszustände in 2D Karten darzustellen
Der Zugang zu einer Strukturdatenbank sowie zu einer Datenbank für Energielinien für die automatisierte Auswertung von EDS-Spektren und EBSD Mustern.
Menge oder Umfang: EDX-AnalyseEBSD-Analyse.
EDX-Analyse
EBSD-Analyse.
Losnummer: 3
Bezeichnung des Loses: Indenter für ein Rasterelektronenmikroskop
Kurze Beschreibung:
Der Indenter sollte in situ Untersuchungen im REM und FIB/REM ermöglichen, insbesondere Indentation, Zugversuche sowie…
… Scherversuche.Das System sollte über einen kapazitativen, vakuumtauglichen Wandler mit Rückkopplungsmöglichkeit verfügen, der einen Austausch der Testkörper vorsieht.Das System sollte rauscharm und hochauflösend sein.Dabei darf das Lastrauschen 400nN nicht überschreiten. Das Positionsrauschen sollte 1nm nicht überschreiten.Das System sollte eine simultane elektrische Charakterisierung ermöglichen. Die Mindestanforderungen sind ein Spannungsbereich von 10µV…10V sowie Ströme von 20pA…10mA. Dabei sollte das Rauschen 10µV bzw. 20pA im empfindlichsten Messbereich nicht überschreiten. Die Abtastrate sollte mindestens 1kHz betragen.Das System sollte auf verschiedene Probengeometrien, insbesondere Probendicken adaptierbar sein.Für die 3D Analyse soll das System neben 3 Achsen (x,y,z) über entsprechende Kipp und Rotationsachsen verfügen, die eine flexible Nutzung im FIB/REM unter Ausschöpfung der vollen Analysemöglichkeiten erlaubt.Das System sollte mit einem Dia-manttestkörper Würfelecke (<50nm Krümmungsradius) sowie einem elektrisch leitfähigen Testkörper (Würfelecke) ausgestattet sein.Wegen der kleinen Probengeometrie für künftige elektronische Strukturen und für die Beobachtung kinetischer Prozesse in mikroelektronischen Bauelementen ist eine automatische Drift-Korrektur mit hoher Genauigkeit im Nanometerbereich erforderlich.Die Steuerung sollte über Software geschehen, die sowohl die Wandler als auch den Probentisch umfasst. Dabei soll sowohl rückgekoppelte (closed-loop) als auch nicht rückgekoppelte (open-loop) Steuerung möglich sein.Die Software soll die Steuerung des Systems übernehmen.Die Software soll es ermöglichen, Position und Kraft in Echtzeit auszulesen, die Stärke der Rückkopllung einzustellen sowie Zeit-Kraft-Funktionen frei zu programmieren.Die Software sollte über einen Notaus verfügen, um Beschädigungen des Systems, der Probe oder des REM zu verhindern.Die Software soll es ermöglichen die Aufnahme von SEM Videos und die Operation des Systems zu synchronisieren.
… Scherversuche.
Das System sollte über einen kapazitativen, vakuumtauglichen Wandler mit Rückkopplungsmöglichkeit verfügen, der einen Austausch der Testkörper vorsieht.
Das System sollte rauscharm und hochauflösend sein.
Dabei darf das Lastrauschen 400nN nicht überschreiten. Das Positionsrauschen sollte 1nm nicht überschreiten.
Das System sollte eine simultane elektrische Charakterisierung ermöglichen. Die Mindestanforderungen sind ein Spannungsbereich von 10µV…10V sowie Ströme von 20pA…10mA. Dabei sollte das Rauschen 10µV bzw. 20pA im empfindlichsten Messbereich nicht überschreiten. Die Abtastrate sollte mindestens 1kHz betragen.
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Das System sollte auf verschiedene Probengeometrien, insbesondere Probendicken adaptierbar sein.
Für die 3D Analyse soll das System neben 3 Achsen (x,y,z) über entsprechende Kipp und Rotationsachsen verfügen, die eine flexible Nutzung im FIB/REM unter Ausschöpfung der vollen Analysemöglichkeiten erlaubt.
Das System sollte mit einem Dia-manttestkörper Würfelecke (<50nm Krümmungsradius) sowie einem elektrisch leitfähigen Testkörper (Würfelecke) ausgestattet sein.
Die Steuerung sollte über Software geschehen, die sowohl die Wandler als auch den Probentisch umfasst. Dabei soll sowohl rückgekoppelte (closed-loop) als auch nicht rückgekoppelte (open-loop) Steuerung möglich sein.
Die Software soll die Steuerung des Systems übernehmen.
Die Software soll es ermöglichen, Position und Kraft in Echtzeit auszulesen, die Stärke der Rückkopllung einzustellen sowie Zeit-Kraft-Funktionen frei zu programmieren.
Die Software sollte über einen Notaus verfügen, um Beschädigungen des Systems, der Probe oder des REM zu verhindern.
Die Software soll es ermöglichen die Aufnahme von SEM Videos und die Operation des Systems zu synchronisieren.
Menge oder Umfang: 1 Stück Indenter.
Lieferung, Installation des Rasterelektronenmikroskops (Los 1) gemäß Leistungsbeschreibung
Erstausstattung an Verbrauchsmaterial, Zubehör und Ersatzteile gemäß der technischen Spezifikation
2-tägige Vor-Ort-Schulung
optional: Wartungsvertrag für 2 Jahre
Lieferung, Installation des EDX/EBSD Systems (Los 2) gemäß Leistungsbeschreibung
2-tägige Vor-Ort-Schulung EDX/EBSD
optional: Wartungsvertrag für 2 Jahre EDX/EBSD
Lieferung, Installation des Indenter-Systems (Los 3) gemäß Leistungsbeschreibung und der angebotenen technischen Spezifikation
2-tägige Vor-Ort-Schulung Indenter
optional: Wartungsvertrag für 2 Jahre Indenter.
Beschreibung der Optionen: Wartungsleistungen für zwei Jahre.
Vorläufiger Zeitplan für die Nutzung von Optionen: 12 Monate
Referenznummer: 015001/15
Bezeichnung des von der EU finanzierten Projekts oder Programms:
Diese Beschaffungsmaßnahme wird aus Mitteln des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) finanziert.

Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Informationen
Bedingungen für die Teilnahme
Befähigung zur Berufsausübung:
A) Nachweis, dass das Unternehmen im Berufs- oder Handelsregister seines Herkunftslandes eingetragen ist. Die Vorlage einer Kopie aus dem Handelsregister genügt.
B) Eine Erklärung der Stelle, die das Insolvenzregister führt, oder - in Ermangelung solcher - eine gleichwertige Bescheinigung einer Gerichts- oder Verwaltungsbehörde des Ursprungs- oder Herkunftslandes des Unternehmens, aus der hervorgeht, dass für das Unternehmen nicht einer der genannten Ausschlussgründe nach § 6 EG Absatz 6 VOL/A vorliegt.
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Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit:
C) Bankauskunft: Erklärung der Hausbank über die bestehende Geschäftsbeziehung.
In den Erklärungen sollte insbesondere die gegenwärtige Finanz- und Liquiditätslage des Unternehmens dargestellt werden. Aktualität der Erklärung: nicht älter als drei Monate.
D) Gesamtumsatz der letzten drei Geschäftsjahre des Unternehmens.
Technische und berufliche Fähigkeiten:
E) Angaben über die wesentlichen in den letzten drei Jahren erbrachten Leistungen (Referenzliste).
F) Eigenerklärung zu den angegebenen Referenzen
Grundsätzlich sollte der Name und die Anschrift des jeweiligen Auftraggebers der Referenzleistung, eine Beschreibung der erbrachten Leistung nach Art, Umfang und Wert, den Leistungszeitraum sowie eine kurze Bewertung der erbrachten Leistung enthalten. Darüber hinaus ist die Angabe einer Ansprechperson für Rückfragen beim Referenzauftraggeber vorteilhaft.
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Auftragsausführung
Wichtigste Finanzierungsbedingungen und Zahlungsmodalitäten und/oder Verweis auf die einschlägigen Bestimmungen, die sie regeln: Gemäß Vergabeunterlagen.
Rechtsform der Gruppe von Wirtschaftsteilnehmern, an die der Auftrag vergeben werden soll: Gesamtschuldnerisch haftend mit bevollmächtigtem Vertreter.

Verfahren
Gültigkeitsdauer des Angebots: 2015-03-31 📅
Sprachen
Sprache: Deutsch 🗣️

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
Kontaktperson: Sigrid Flade
Internetadresse: www.tu-dresden.de 🌏

Referenz
Daten
Datum des Beginns: 2015-03-02 📅
Datum des Endes: 2015-03-31 📅
Kennungen
Vom öffentlichen Auftraggeber vergebene Referenznummer: 015001/15

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Name: Vergabekammer des Freistaates Sachsen bei der Landesdirektion Leipzig
Postanschrift: Braustraße 2
Postort: Leipzig
Postleitzahl: 04107
Land: Deutschland 🇩🇪
E-Mail: vergabekammer@ldl.sachsen.de 📧
Telefon: +49 3419771402 📞
Internetadresse: http://www.ldl.sachsen.de 🌏
Fax: +49 3419772049 📠
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren:
Rechtsbehelfe gemäß § 107 GWB:
(1) Die Vergabekammer leitet ein Nachprüfungsverfahren nur auf Antrag ein.
(2) Antragsbefugt ist jedes Unternehmen, das ein Interesse am Auftrag hat und eine Verletzung in seinen Rechten nach § 97 Abs. 7 durch Nichtbeachtung von Vergabevorschriften geltend macht. Dabei ist darzulegen, dass dem Unternehmen durch die behauptete Verletzung der Vergabevorschriften ein Schaden entstanden ist oder zu entstehen droht.
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(3) Der Antrag ist unzulässig, soweit
1. der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat,
2. Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
3. Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
4. mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind.
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Technische Universität Dresden
Postort: Dresden
Postleitzahl: 01062
Telefon: +49 35146334223 📞
Internetadresse: http://tu-dresden.de 🌏
Fax: +49 35146337102 📠
Quelle: OJS 2015/S 012-016716 (2015-01-14)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2015-07-24)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Gesamtwert des Auftrags: 449 000 💰
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Bekanntmachung über vergebene Aufträge

Verfahren
Angebotsart: Entfällt

Referenz
Daten
Absendedatum: 2015-07-24 📅
Veröffentlichungsdatum: 2015-07-29 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 144-265908
Verweist auf Bekanntmachung: 2015/S 12-016716
ABl. S-Ausgabe: 144

Verfahren
Vergabekriterien
Kriterium: 1. Anwendung der einfache Richtwertmethode nach UfAB V (100)

Auftragsvergabe

1️⃣
Datum des Vertragsabschlusses: 2015-03-27 📅
Name: Carl-Zeiss Microscopy GmbH
Postanschrift: Carl-Zeiss-Str. 22
Postort: Oberkochen
Postleitzahl: 73447
Land: Deutschland 🇩🇪

2️⃣
Name: Oxford Instruments GmbH
Postanschrift: Postfach 4509
Postort: Wiesbaden
Postleitzahl: 65035
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 2
3

Ergänzende Informationen
Körper überprüfen
Informationen zu Fristen für Nachprüfungsverfahren: (3) Der Antrag ist unzulässig, soweit:
Quelle: OJS 2015/S 144-265908 (2015-07-24)
Bekanntmachung über vergebene Aufträge (2015-07-24)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: Mikroskope
Gesamtwert des Auftrags: 323 000 💰
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Mikroskope 📦

Verfahren
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren ohne Aufruf zum Wettbewerb
Vergabekriterien
Niedrigster Preis

Referenz
Kennungen
Bekanntmachungsnummer: 2015/S 144-265945

Objekt
Umfang der Beschaffung
Referenznummer: 015001/15x

Auftragsvergabe
Datum des Vertragsabschlusses: 2015-04-20 📅
Name: Physical Electronics GmbH
Postanschrift: Fraunhoferstr. 4
Postort: Ismaning
Postleitzahl: 85737
Informationen über Ausschreibungen
Anzahl der eingegangenen Angebote: 1

Öffentlicher Auftraggeber
Kontakt
E-Mail: vergabekammer@ldl.sachsden.de 📧

Ergänzende Informationen
Dienststelle, bei der Informationen über das Überprüfungsverfahren eingeholt werden können
Name: Vergabekammer des Freistaates Sachsen bei der Landesdirektion Leipzig
Postanschrift: Braustraße 2
Postort: Leipzig
Postleitzahl: 04107
Telefon: +49 3419771402 📞
Fax: +49 3419772049 📠
Quelle: OJS 2015/S 144-265945 (2015-07-24)
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Region:
Deutschland Sachsen Dresden Dresden, Kreisfreie Stadt
Anbieter:
Carl-Zeiss Microscopy GmbH Oxford Instruments GmbH Physical Electronics GmbH
Produkte/Dienstleistungen:
Laborgeräte, optische Geräte und... Apparate und Geräte zum Prüfen und Testen Mikroskope Elektronenmikroskope Rasterelektronenmikroskope