LPCVD-Anlage

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.

Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 29560000, 31650000, 32150000, 73000000. Vertikale LPCVD-Anlage (300 mm Wafergröße) zur Abscheidung von Polysilicium und Siliciumnitrid. FhG IIS-B, Abteilung Technologie. Abscheidung von Polysilicium- (dotiert) und Siliciumnitridschichten mittels LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) als Gatematerial oder dielektrische Isolierung in der Halbleitertechnologie, insbesondere für integrierte Schaltungen der 0,13 ìm Technologie. Vertikales LPCVD-System, insgesamt zwei Rohre, Abscheidung von Siliciumnitrid, Abscheidung von Polysilicium und in-situ Phosphor dotiertem Polysilicium, Prozesskontrolle: Automatische Rezeptausführung, Erstellung von Rezept und Prozesstabellen, Automatische Temperaturprofilierung, Prozessmonitoring, Fehleraufzeichnung, Small Footprint, 5-Zonenheizung, Wafergrößen: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Partikel minimiertes Pumpensystem, Einfacher Rohrwechsel. Anwendung: Gateelektrode, Widerstände, Leiterbahnen, In-situ Phosphordotierung, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Silan und Disilan (Phosphin), Temperatur Polysilicium: 620°C, Temperatur dotiertes Polysilicium: 520°C, Abscheiderate Polysilicium: 10 nm/min, Abscheiderate dotiertes Polysilicium: 6 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, In-situ Phosphor dotiertes Polysilicium: 580 micro Ohm cm für 235 nm nach Anneal, Defektdichte: < 0,1 def/cm² > 0,5 ìm. Anwendung: Maske für selektive Oxidation, Diffusionsbarriere, Spacer, Dielektrikum, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Ammoniak und Dichlorsilan, Temperatur: 775°C, Abscheiderate: 3,5 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, Defektdichte: < 0,15 def/cm² > 0,3 ìm. Gebrauchte Anlagen in einwandfreiem Zustand mit 1 Jahr Herstellergarantie werden auch in Betracht gezogen. Automatisches Waferbeladen der Boote oder Kassetten zu Kassetten Beladen nicht nötig.

Deadline

Die Frist für den Eingang der Angebote war 2001-09-20. Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2001-09-08.

Wer? Wie? Wo?
Geschichte der Beschaffung
Datum Dokument
2001-09-05 Auftragsbekanntmachung
2001-11-12 Ergänzende Angaben
Auftragsbekanntmachung (2001-09-05)
Objekt
Umfang der Beschaffung
Titel: LPCVD-Anlage
Volltext:
“Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 29560000, 31650000, 32150000, 73000000. Vertikale LPCVD-Anlage (300 mm Wafergröße) zur Abscheidung von Polysilicium und...”    Mehr anzeigen
Ort der Leistung
Erlangen, Kreisfreie Stadt 🏙️
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ausschreibung
Art des Auftrags: Lieferauftrag
Verordnung: Europäische Gemeinschaften
Originalsprache: Deutsch 🗣️

Verfahren
Verfahrensart: Beschleunigte Verhandlungsverfahren
Vergabekriterien
Entfällt
Angebotsart: Gesamtangebot
Art des öffentlichen Auftraggebers: Körperschaften

Öffentlicher Auftraggeber
Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.
Land: Deutschland 🇩🇪

Referenz
Daten
Veröffentlichungsdatum: 2001-09-08 📅
Empfangsdatum: 2001-09-05 📅
Absendedatum: 2001-09-05 📅
Einreichungsfrist: 2001-09-20 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer (Legacy): 119373-2001
ABl. S-Ausgabe: 173/2001

Objekt
Gemeinsames Vokabular für öffentliche Aufträge (CPV)
Code: Forschungs- und Entwicklungsdienste und zugehörige Beratung 📦
Code: Isolierteile 📦
Quelle: OJS 2001/S 173-119373 (2001-09-05)
Ergänzende Angaben (2001-11-12)
Objekt
Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ergänzende Angaben

Referenz
Daten
Veröffentlichungsdatum: 2001-11-15 📅
Empfangsdatum: 2001-11-12 📅
Absendedatum: 2001-11-12 📅
Einreichungsfrist: 2001-12-05 📅
Kennungen
Bekanntmachungsnummer (Legacy): 151130-2001
ABl. S-Ausgabe: 220/2001
Verweist auf Bekanntmachung: 119373-2001
Quelle: OJS 2001/S 220-151130 (2001-11-12)