Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 29560000, 31650000, 32150000, 73000000. Vertikale LPCVD-Anlage (300 mm Wafergröße) zur Abscheidung von Polysilicium und Siliciumnitrid. FhG IIS-B, Abteilung Technologie. Abscheidung von Polysilicium- (dotiert) und Siliciumnitridschichten mittels LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) als Gatematerial oder dielektrische Isolierung in der Halbleitertechnologie, insbesondere für integrierte Schaltungen der 0,13 ìm Technologie. Vertikales LPCVD-System, insgesamt zwei Rohre, Abscheidung von Siliciumnitrid, Abscheidung von Polysilicium und in-situ Phosphor dotiertem Polysilicium, Prozesskontrolle: Automatische Rezeptausführung, Erstellung von Rezept und Prozesstabellen, Automatische Temperaturprofilierung, Prozessmonitoring, Fehleraufzeichnung, Small Footprint, 5-Zonenheizung, Wafergrößen: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Partikel minimiertes Pumpensystem, Einfacher Rohrwechsel. Anwendung: Gateelektrode, Widerstände, Leiterbahnen, In-situ Phosphordotierung, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Silan und Disilan (Phosphin), Temperatur Polysilicium: 620°C, Temperatur dotiertes Polysilicium: 520°C, Abscheiderate Polysilicium: 10 nm/min, Abscheiderate dotiertes Polysilicium: 6 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, In-situ Phosphor dotiertes Polysilicium: 580 micro Ohm cm für 235 nm nach Anneal, Defektdichte: < 0,1 def/cm² > 0,5 ìm. Anwendung: Maske für selektive Oxidation, Diffusionsbarriere, Spacer, Dielektrikum, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Ammoniak und Dichlorsilan, Temperatur: 775°C, Abscheiderate: 3,5 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, Defektdichte: < 0,15 def/cm² > 0,3 ìm. Gebrauchte Anlagen in einwandfreiem Zustand mit 1 Jahr Herstellergarantie werden auch in Betracht gezogen. Automatisches Waferbeladen der Boote oder Kassetten zu Kassetten Beladen nicht nötig.
Deadline
Die Frist für den Eingang der Angebote war 2001-09-20.
Die Ausschreibung wurde veröffentlicht am 2001-09-08.
Auftragsbekanntmachung (2001-09-05) Objekt Umfang der Beschaffung
Titel: LPCVD-Anlage
Volltext:
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 29560000, 31650000, 32150000, 73000000. Vertikale LPCVD-Anlage (300 mm Wafergröße) zur Abscheidung von Polysilicium und Siliciumnitrid. FhG IIS-B, Abteilung Technologie. Abscheidung von Polysilicium- (dotiert) und Siliciumnitridschichten mittels LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) als Gatematerial oder dielektrische Isolierung in der Halbleitertechnologie, insbesondere für integrierte Schaltungen der 0,13 ìm Technologie. Vertikales LPCVD-System, insgesamt zwei Rohre, Abscheidung von Siliciumnitrid, Abscheidung von Polysilicium und in-situ Phosphor dotiertem Polysilicium, Prozesskontrolle: Automatische Rezeptausführung, Erstellung von Rezept und Prozesstabellen, Automatische Temperaturprofilierung, Prozessmonitoring, Fehleraufzeichnung, Small Footprint, 5-Zonenheizung, Wafergrößen: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Partikel minimiertes Pumpensystem, Einfacher Rohrwechsel. Anwendung: Gateelektrode, Widerstände, Leiterbahnen, In-situ Phosphordotierung, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Silan und Disilan (Phosphin), Temperatur Polysilicium: 620°C, Temperatur dotiertes Polysilicium: 520°C, Abscheiderate Polysilicium: 10 nm/min, Abscheiderate dotiertes Polysilicium: 6 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, In-situ Phosphor dotiertes Polysilicium: 580 micro Ohm cm für 235 nm nach Anneal, Defektdichte: < 0,1 def/cm² > 0,5 ìm. Anwendung: Maske für selektive Oxidation, Diffusionsbarriere, Spacer, Dielektrikum, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Ammoniak und Dichlorsilan, Temperatur: 775°C, Abscheiderate: 3,5 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, Defektdichte: < 0,15 def/cm² > 0,3 ìm. Gebrauchte Anlagen in einwandfreiem Zustand mit 1 Jahr Herstellergarantie werden auch in Betracht gezogen. Automatisches Waferbeladen der Boote oder Kassetten zu Kassetten Beladen nicht nötig.
Auftragsgegenstand, CPA-Nummer: CPV: 29560000, 31650000, 32150000, 73000000. Vertikale LPCVD-Anlage (300 mm Wafergröße) zur Abscheidung von Polysilicium und Siliciumnitrid. FhG IIS-B, Abteilung Technologie. Abscheidung von Polysilicium- (dotiert) und Siliciumnitridschichten mittels LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) als Gatematerial oder dielektrische Isolierung in der Halbleitertechnologie, insbesondere für integrierte Schaltungen der 0,13 ìm Technologie. Vertikales LPCVD-System, insgesamt zwei Rohre, Abscheidung von Siliciumnitrid, Abscheidung von Polysilicium und in-situ Phosphor dotiertem Polysilicium, Prozesskontrolle: Automatische Rezeptausführung, Erstellung von Rezept und Prozesstabellen, Automatische Temperaturprofilierung, Prozessmonitoring, Fehleraufzeichnung, Small Footprint, 5-Zonenheizung, Wafergrößen: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Partikel minimiertes Pumpensystem, Einfacher Rohrwechsel. Anwendung: Gateelektrode, Widerstände, Leiterbahnen, In-situ Phosphordotierung, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Silan und Disilan (Phosphin), Temperatur Polysilicium: 620°C, Temperatur dotiertes Polysilicium: 520°C, Abscheiderate Polysilicium: 10 nm/min, Abscheiderate dotiertes Polysilicium: 6 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, In-situ Phosphor dotiertes Polysilicium: 580 micro Ohm cm für 235 nm nach Anneal, Defektdichte: < 0,1 def/cm² > 0,5 ìm. Anwendung: Maske für selektive Oxidation, Diffusionsbarriere, Spacer, Dielektrikum, Wafergröße: 150 mm, 200 mm und 300 mm, Batchgröße: 100 Wafer für 150 mm und 200 mm, Gase: Stickstoff, Ammoniak und Dichlorsilan, Temperatur: 775°C, Abscheiderate: 3,5 nm/min, Wafer-to-wafer Inhomogenität < 5,0 % max-min, Inhomogenität über Wafer: < 3 %, Defektdichte: < 0,15 def/cm² > 0,3 ìm. Gebrauchte Anlagen in einwandfreiem Zustand mit 1 Jahr Herstellergarantie werden auch in Betracht gezogen. Automatisches Waferbeladen der Boote oder Kassetten zu Kassetten Beladen nicht nötig.
Ort der Leistung Erlangen, Kreisfreie Stadt
🏙️ Metadaten der Bekanntmachung
Dokumenttyp: Ausschreibung
Art des Auftrags: Lieferauftrag
Verordnung: Europäische Gemeinschaften
Originalsprache: Deutsch 🗣️
Verfahren
Verfahrensart: Beschleunigte Verhandlungsverfahren
Vergabekriterien
Entfällt
Angebotsart: Gesamtangebot
Art des öffentlichen Auftraggebers: Körperschaften
Öffentlicher Auftraggeber Identität
Name des öffentlichen Auftraggebers: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.
Land: Deutschland 🇩🇪