Anbieter: SPTS Technologies Limited

4 archivierte Beschaffungen

Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter SPTS Technologies Limited erwähnt wird

2021-08-06   PECVD Process module an III-V etch Clusrtertool (IHP GmbH - Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik)
Kombinationstool PE CVD Kammer für III-V Prozessierung Anlagenrichtpreis Für die unten ausgeschriebene Anlage gilt ein Richtpreis von 0.9 Mill. Euro netto. Gebrauchswert Aufgearbeitete und bereits verwendete Anlagen oder Anlagenteile sind aufgrund des erhöhten Sachmangelrisikos ausgeschlossen. Folgekosten Für die Abschätzung der Folgekosten nach Ablauf der Garantie ist ein Zeitplan für den planmäßigen Austausch von Anlagenteilen für die folgenden 3 Jahre mit einzureichen. Geräteevaluierung Um die … Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: SPTS Technologies Limited
2019-11-18   Cluster tool mit PECVD- und Trockenätzkammer (IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik)
1 cluster tool bestehend aus Transportmodul mit der Möglichkeit, insgesamt 6 Prozesskammern zu installieren für 200 mm wafer; ausgestattet mit einer Kammer für Tiefe Si-Ätzen (siehe Pkt. 2) und einer PECVD Kammer (siehe Pkt. 3); Möglichkeit nachträglich 4 weitere Kammern zu installieren. Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: SPTS Technologies Limited
2017-08-10   SiC-Ätzer (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe)
SiC-Ätzer Der SiC-Ätzer muss folgende generelle Funktionalitäten unterstützen: – Gas-Switching und Continuous Mode – Kassetten mit 25 Slots laden – Kassetten mit weniger als 25 Slots und vergrößertem Platz zwischen den einzel-nen Slots laden – Substrate detektieren und handhaben, die transparent oder semitransparent sind – Elektrostatisches Wafer-Chucking (für SiC-Wafer) – Temperaturkontrolle des Wafers während des Prozesses – Endpunktdetektion 1. Maschine/Maschinengrundgerüst weiter in II.2.4). Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: SPTS Technologies Limited
2012-08-28   DRIE / RIE / PECVD (Fraunhofer Gesellschaft e.V.)
Eine Plasmaätzanlge, die so ausgelegt ist, dass sie hauptsächlich den Anforderungen von TSV (Through Silicon Via) – Ätzprozessen für Interposer und hochentwickelte CMOS Anwendungen gerecht werden. Dabei können als Substratmaterialien reine Siliziumsubstrate oder SOI (Silicon-on-Insulator) Verwendung finden. Zusätzlich zum Siliziumätzen (im Folgenden DRIE genannt), benötigt die Anlage dedizierte Leistungsfähigkeit beim Ätzen von Dielektrika wie SiO2, und muss geeignet sein um typische dielektrische Back … Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: SPTS Technologies Limited