Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter SPTS Technologies Limited erwähnt wird
2021-08-06PECVD Process module an III-V etch Clusrtertool (IHP GmbH - Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik)
Kombinationstool PE CVD Kammer für III-V Prozessierung
Anlagenrichtpreis
Für die unten ausgeschriebene Anlage gilt ein Richtpreis von 0.9 Mill. Euro netto.
Gebrauchswert
Aufgearbeitete und bereits verwendete Anlagen oder Anlagenteile sind aufgrund des erhöhten Sachmangelrisikos ausgeschlossen.
Folgekosten
Für die Abschätzung der Folgekosten nach Ablauf der Garantie ist ein Zeitplan für den planmäßigen Austausch von Anlagenteilen für die folgenden 3 Jahre mit einzureichen.
Geräteevaluierung
Um die …
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2017-08-10SiC-Ätzer (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal deutsche eVergabe)
SiC-Ätzer
Der SiC-Ätzer muss folgende generelle Funktionalitäten unterstützen: – Gas-Switching und Continuous Mode – Kassetten mit 25 Slots laden – Kassetten mit weniger als 25 Slots und vergrößertem Platz zwischen den einzel-nen Slots laden – Substrate detektieren und handhaben, die transparent oder semitransparent sind – Elektrostatisches Wafer-Chucking (für SiC-Wafer) – Temperaturkontrolle des Wafers während des Prozesses – Endpunktdetektion 1. Maschine/Maschinengrundgerüst
weiter in II.2.4).
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2012-08-28DRIE / RIE / PECVD (Fraunhofer Gesellschaft e.V.)
Eine Plasmaätzanlge, die so ausgelegt ist, dass sie hauptsächlich den Anforderungen von TSV (Through Silicon Via) – Ätzprozessen für Interposer und hochentwickelte CMOS Anwendungen gerecht werden. Dabei können als Substratmaterialien reine Siliziumsubstrate oder SOI (Silicon-on-Insulator) Verwendung finden. Zusätzlich zum Siliziumätzen (im Folgenden DRIE genannt), benötigt die Anlage dedizierte Leistungsfähigkeit beim Ätzen von Dielektrika wie SiO2, und muss geeignet sein um typische dielektrische Back …
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