Anbieter: Sentech GmbH

13 archivierte Beschaffungen

Neuere Beschaffungen, bei denen der Anbieter Sentech GmbH erwähnt wird

2022-09-08   Reaktive Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (RIE ICP) (Ludwig-Maximilians-Universität München)
Lieferung einer reaktiven Ionenätzanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (RIE ICP), Ludwig-Maximilians-Universität München Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: Sentech GmbH
2021-06-29   Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool (Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.)
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus. Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können. Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) … Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: Sentech GmbH
2020-08-20   Plasmaätzanlage für Fluorchemie (Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.)
— Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien aus. — Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen ätzen lassen. — Es sind mit dieser Anlage Strukturübertragungen bis in den tiefen Submikrometerbereich auszuführen und es soll eine Homogenität der Prozesse von ca. 5 % über einer Fläche von 150 mm … Ansicht der Beschaffung »
Erwähnte Lieferanten: Sentech GmbH
2019-08-09   Clusterfähige PEALD/ICPECVD (Universität Duisburg-Essen)
Clusterfähige Anlagenkombination aus einer ICPECVD und einer PEALD Siehe Leistungsbeschreibung. Ansicht der Beschaffung »
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2019-02-28   Lieferung einer Anlage für Reaktives Ionenätzen (RIE) (Physikalisch-Technische Bundesanstalt)
Lieferung einer Anlage für Reaktives Ionenätzen (RIE) (s. Vergabeunterlagen). Ansicht der Beschaffung »
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2017-08-10   ALD-Anlage zur hermetischen Passivierung von photonischen III/V Komponenten (Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. über Vergabeportal eVergabe)
Aus einem Stück gefertigter, bis 50 °C elektrisch geheizt und temperaturgeregelter Aluminium-Reaktor (gut von oben zugänglich für eine schnelle und einfache mechanische Reaktorreinigung oder Wartung) – flache, ebene, hocheffiziente, schnell schaltbare ICP-Quelle für ein direktes (kein Remote), stabil brennendes und pulsbares Plasma – höhenverstellbare, elektrisch isolierte sowie bis 300 °C geheizt und temperaturstabilisierte Substratelektrode für Substrate und Träger bis max. 200 mm Durchmesser … Ansicht der Beschaffung »
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2017-03-21   Thermische und Plasma-unterstützte Atomlagenabscheideanlage (Technische Universität Chemnitz)
Lieferung und Installation einer thermischen und Plasma-unterstützten Atomlagenabscheideanlage (PE-ALD) für das Beschichten von Proben mit diversen Materialien, hauptsächlich Metalloxiden. Die Beschichtungsanlage muss als eine Ein–Kammer–Loadlock-Anlage zur Beschichtung von Substraten mittels PE-ALD aufgebaut sein. Ansicht der Beschaffung »
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2016-04-14   E_066_234756 cl-bla – ALD Beschichtungsanlage zur Herstellung dielektrischer Schichten für Optiken (Fraunhofer Gesellschaft e. V.)
Kurzspezifikation ALD Beschichtungsanlage zur Herstellung dielektrischer Schichten für die Optik Ansicht der Beschaffung »
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2015-04-01   ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika (Fraunhofer Gesellschaft e. V.)
ICP-RIE Ätzanlage für Dielektrika - ICP-RIE Plasma-Ätzanlage zur Strukturierung von Dielektrika und III/V-Halbleitern. - ICP-Quelle: max. Leistung HF-Generator: 1200 W (13,56 MHz). Substratelektrode: max. Leistung HF-Generator: 600 W (13,56 MHz). Sehr gutes Zündverhalten der Quelle und stabiles Plasma auch bei geringen Generatorleistungen und niedrigen Arbeitsdrücken (≤ 0,4 Pa). - Elektrode vorbereitet für Klemmung von Wafern mit 4“-Durchmesser. Helium-Rückseitenkühlung für guten thermischen Kontakt … Ansicht der Beschaffung »
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2015-01-28   Herstellung, Lieferung und Aufbau einer Beschichtungsanlage nach der... (Hochschule für Technik und Wirtschaft des Saarlandes)
Herstellung, Lieferung und Aufbau einer PECVD-Beschichtungsanlage mit dazugehöriger Gasversorgungsanlage. Ansicht der Beschaffung »
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2014-10-06   Universität zu Köln – Gasphasenabscheidungsanlage (CVD) (Universität zu Köln)
Herstellung, Lieferung und Installation einer Gasphasenabscheidungsanlage (CVD). Ansicht der Beschaffung »
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2014-04-23   Ätzanlage (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V.)
Die Ausschreibung zielt auf die Beschaffung eines reaktiven Ionen Ätzers mit induktiv eingekoppeltem Plasma (ICP-RIE), zur anisotropen Ätzung von Halblautersubstraten, insbesondere Silizium. Zum Leistungsumfang gehören Lieferung, Installation, Inbetriebnahme, Einweisung, 24 Monate Gewährleistung sowie kostenlose Software-Updates innerhalb der ersten 24 Monate nach Inbetriebnahme. Die Ätzanlage muss folgende Mindestanforderungen erfüllen: — CE Zertifizierung, — Strukturierung von SI Nanostrukturen, — … Ansicht der Beschaffung »
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2014-04-15   Lieferung und betriebsbereite Aufstellung eines Ätz- und Beschichtungsclusters (Technische Hochschule Wildau [FH])
Lieferung und betriebsbereite Aufstellung eines Clusters mit einem Beschichtungsmodul und einem Ätzmodul inkl. Transferkammer mit Beladeschleuse für die Beschichtung und Strukturierung verschiedener Substrate. Ansicht der Beschaffung »
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